VCM一体化性能测试方法及系统技术方案

技术编号:13394895 阅读:110 留言:0更新日期:2016-07-23 13:05
一种VCM一体化性能测试方法,包括如下步骤:S1:通过MCU的AD信号采集,计算出VCM阻值,从而得出需要输入的电压V;S2:电源电路在VCM两端施加上述电压V,使得VCM中有对应的初始电流I通过,与VCM测试模块连接的镭射测距仪,其输出的距离数字通过VCM测试模块回传给MCU,MCU计算得出VCM震荡周期T,并将VCM震荡周期T上传服务器;S3:MCU询问是否测试震荡抑制,若是,进入如下步骤:S4:打开MCU的定时器,于第一个震荡周期T内的某一时间点t,调节电压,将对VCM的输入电流i减少到某一个小于初始电流I的电流值,使VCM产生一个向下的力来抵消VCM向上的震荡力,并在此基础上逐渐加大输入电流i,最终恢复初始电流I,实现VCM震荡抑制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种VCM一体化性能测试方法及系统,尤其是一种能够完成震荡周期测试之后实现震荡抑制的VCM一体化性能测试方法及系统。
技术介绍
VCM当运动到一个相应的位置是都有一个类似与弹簧的机械震荡,同样也有对应的震荡周期,VCM必须进过一定时间才能达到一个相对稳定期。手机端由于VCM震荡不利于快速对焦,因而抑制震荡是需要解决的一个问题。
技术实现思路
为了克服上述缺陷,本专利技术提供一种VCM一体化性能测试方法及系统,所述VCM一体化性能测试方法及系统能够在完成震荡周期测试之后继续实现震荡抑制。本专利技术为了解决其技术问题所采用的技术方案一是:一种VCM一体化性能测试方法,包括如下步骤:S1:通过主控单元(MCU)的AD(模拟-数字)信号采集,计算出VCM阻值,从而得出需要输入的电压V;S2:电源电路在VCM两端施加上述电压V,使得VCM中有对应的初始电流I通过,与VCM测试模块连接的镭射测距仪,其输出的距离数字通过VCM测试模块回传给MCU,MCU计算得出VCM震荡周期T,并将VCM震荡周期T上传服务器;S3:MCU询问是否测试震荡抑制,若是,进入如下步骤:S4:打开MCU的定时器,于第一个震荡周期T内的某一时间点t(0<t<震荡周期(T)),调节电压,将对VCM的输入电流i减少到某一个小于初始电流I的电流值(0<i<初始电流(I)),使VCM产生一个向下的力来抵消VCM向上的震荡力,并在此基础上逐渐加大输入电流i,最终恢复初始电流I,实现VCM震荡抑制。作为本专利技术的进一步改进,所述步骤S4里减少输入电流的时间点t位于T/5与T/4之间,该时间点t的输入电流i为3I/4。作为本专利技术的进一步改进,步骤S1之后还包括启动电流测试S11:持续增加电压使通过VCM的电流逐渐增大,观察镭射测距仪是否有质变?若是,将引起镭射测距仪质变的该电流值作为启动电流测试的结果上传服务器。作为本专利技术的进一步改进,在步骤S1之后还包括VCM行程测试S12:调节电压使通过VCM的电流从能够承受的最小值逐渐增大到最大值,观察镭射测距仪上的数值变化量,将该数值变化量作为VCM行程测试的结果上传服务器。作为本专利技术的进一步改进,在步骤S1之后还包括VCM寿命测试S13:调节电压不间断地给VCM输入能够承受的最小、最大电流,观察镭射测距仪有无大变化?若否,将测试的次数作为VCM寿命测试的结果上传服务器。作为本专利技术的进一步改进,还包括步骤S0:MCU询问是EEPROM测试还是VCM测试?若是VCM测试,进入步骤S1;若是EEPROM测试S03,包括如下步骤:S031:将一个随机数写入任意一个固定地址中;S032:从同一个地址里读出数据;S033:判断读出数据是否与写入数据一致?若是,返回步骤S031;若否,进入步骤S034:判断失败次数是否超过规定次数?若否,返回步骤S031;若是,将读写的次数、失败的次数以及计算得出的出错概率作为EEPROM测试的结果上传服务器。作为本专利技术的进一步改进,在步骤S0之前还包括Hall测试S01,包括如下步骤:S011:分别在水平面内相互垂直的左右方向和前后方向即X/Y方向上向VCM注入正负电流;S012:测试X/Y方向上Hall是否有电压差?若是,将Hall是良品作为Hall测试的结果上传服务器;若否,将Hall是不良品作为Hall测试的结果上传服务器。作为本专利技术的进一步改进,在步骤S0之前还包括Gyro测试S02,包括如下步骤:S021:固定测试系统于振动台,实时监控Gyro输出数据;S022:测试获得Gyro数据的角度以及震动率是否与震动台一致?若是,将Gyro是良品作为Gyro测试的结果上传服务器;若否,则将Gyro是不良品作为Gyro测试的结果上传服务器。本专利技术为了解决其技术问题所采用的技术方案二是:一种VCM一体化性能测试系统,包括给VCM两端施加电压的电源电路、设有定时器的主控单元(MCU)、与主控单元(MCU)连接的服务器、VCM测试模块以及与VCM测试模块连接的镭射测距仪,MCU控制VCM测试模块的运行,VCM测试模块能够在完成VCM震荡测试之后且打开MCU定时器的情况下,通过在第一个震荡周期T内的某一时间点t(0<t<震荡周期(T)),调节电压,将对VCM的输入电流i减少到某一个小于初始电流I的电流值(0<i<初始电流(I)),使VCM产生一个向下的力来抵消VCM向上的震荡力,并在此基础上逐渐加大输入电流i,最终恢复初始电流I,实现VCM震荡抑制。作为本专利技术的进一步改进,还包括受MCU控制运行的EEPROM测试模块、Hall测试模块以及Gyro测试模块。本专利技术的有益效果是:本专利技术VCM一体化性能测试方法及系统在完成VCM震荡测试之后且打开MCU定时器的情况下,通过在第一个震荡周期内的某一时间点(0<t<震荡周期(T)),调节电压,将对VCM的输入电流(i)减少到某一个小于初始电流(I)的电流值(0<i<初始电流(I)),使VCM产生一个向下的力来抵消VCM向上的震荡力,并在此基础上逐渐加大输入电流,最终恢复初始输入的电流值,从而实现了VCM震荡抑制,即经过本专利技术VCM一体化性能测试系统测试合格的VCM,能够使手机摄像头快速对焦。附图说明图1为本专利技术VCM一体化性能测试方法的整体系统原理框图。图2为本专利技术VCM一体化性能测试方法中Hall测试系统原理框图。图3为本专利技术VCM一体化性能测试方法中Gyro测试系统原理框图。图4为本专利技术VCM一体化性能测试方法中EEPROM测试系统原理框图。图5为本专利技术VCM一体化性能测试方法中VCM震荡测试及震荡抑制系统原理框图。图6为本专利技术VCM一体化性能测试方法中VCM启动电流测试系统原理框图。图7为本专利技术VCM一体化性能测试方法中VCM行程测试系统原理框图。图8为本专利技术VCM一体化性能测试方法中VCM寿命测试系统原理框图。图9为本专利技术VCM一体化性能测试系统的结构框图。图10为本专利技术VCM一体化性能测试系统的VCM震荡测试效果图。图11为本专利技术VCM一体化性能测试系统的VCM震荡抑制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种VCM一体化性能测试方法,其特征是:包括如下步骤:S1:通过主控单元(MCU)的AD(模拟‑数字)信号采集,计算出VCM阻值,从而得出需要输入的电压V;S2:电源电路在VCM两端施加上述电压V,使得VCM中有对应的初始电流I通过,与VCM测试模块连接的镭射测距仪,其输出的距离数字通过VCM测试模块回传给MCU,MCU计算得出VCM震荡周期T,并将VCM震荡周期T上传服务器;S3:MCU询问是否测试震荡抑制,若是,进入如下步骤:S4:打开MCU的定时器,于第一个震荡周期T内的某一时间点t(0<t<震荡周期(T)),调节电压,将对VCM的输入电流i减少到某一个小于初始电流I的电流值(0<i<初始电流(I)),使VCM产生一个向下的力来抵消VCM向上的震荡力,并在此基础上逐渐加大输入电流i,最终恢复初始电流I,实现VCM震荡抑制。

【技术特征摘要】
1.一种VCM一体化性能测试方法,其特征是:包括如下
步骤:
S1:通过主控单元(MCU)的AD(模拟-数字)信号采集,
计算出VCM阻值,从而得出需要输入的电压V;
S2:电源电路在VCM两端施加上述电压V,使得VCM中有
对应的初始电流I通过,与VCM测试模块连接的镭射测距仪,
其输出的距离数字通过VCM测试模块回传给MCU,MCU计算得
出VCM震荡周期T,并将VCM震荡周期T上传服务器;
S3:MCU询问是否测试震荡抑制,若是,进入如下步骤:
S4:打开MCU的定时器,于第一个震荡周期T内的某一时
间点t(0<t<震荡周期(T)),调节电压,将对VCM的输入电流i
减少到某一个小于初始电流I的电流值(0<i<初始电流(I)),
使VCM产生一个向下的力来抵消VCM向上的震荡力,并在此基
础上逐渐加大输入电流i,最终恢复初始电流I,实现VCM震
荡抑制。
2.根据权利要求1所述的VCM一体化性能测试方法,其
特征是:所述步骤S4里减少输入电流的时间点t位于T/5与
T/4之间,该时间点t的输入电流i为3I/4。
3.根据权利要求1所述的VCM一体化性能测试方法,其
特征是:步骤S1之后还包括启动电流测试S11:持续增加电
压使通过VCM的电流逐渐增大,观察镭射测距仪是否有质变?
若是,将引起镭射测距仪质变的该电流值作为启动电流测试的
结果上传服务器。
4.根据权利要求1所述的VCM一体化性能测试方法,其
特征是:在步骤S1之后还包括VCM行程测试S12:调节电压
使通过VCM的电流从能够承受的最小值逐渐增大到最大值,观
察镭射测距仪上的数值变化量,将该数值变化量作为VCM行程
测试的结果上传服务器。
5.根据权利要求1所述的VCM一体化性能测试方法,其
特征是:在步骤S1之后还包括VCM寿命测试S13:调节电压
不间断地给VCM输入能够承受的最小、最大电流,观察镭射测
距仪有无大变化?若否,将测试的次数作为VCM寿命测试的结
果上传服务器。
6.根据权利要求1所述的VCM一体化性能测试方法,其
特征是:还包括步骤S0:MCU询问是EEPROM测试还是VCM测
试?若是VCM测试,进入步骤S1;若是EEPROM测试S03,包

【专利技术属性】
技术研发人员:丁杰许克亮张银凤
申请(专利权)人:昆山丘钛微电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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