一种NAND Flash存储器和存储器中坏块的处理方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种NAND Flash存储器和存储器中坏块的处理方法，所述存储器包括：多个存储块和标记存储器；所述标记存储器包括第一存储区域，所述第一存储区域中比特个数与所述存储块的个数相等；所述第一存储区域中的每个比特与所述存储块一一对应；所述第一存储区域中的比特的值标识与所述比特对应的存储块的块状态。本发明专利技术实施例提供的技术方案，查询存储块是否为坏块的速度较快，提高了存储过程的工作效率，在标记存储器中设置有备用存储空间，避免影响存储块的使用，提高了存储器的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种NAND Flash存储器，其特征在于，包括：多个存储块和标记存储器；所述标记存储器包括第一存储区域，所述第一存储区域中比特个数与所述存储块的个数相等；所述第一存储区域中的每个比特与所述存储块一一对应；所述第一存储区域中的比特的值标识与所述比特对应的存储块的块状态。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡洪，刘会娟，钱建琴，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11