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一种真空雾化等离子改性制备硅微粉的方法技术

技术编号:13376631 阅读:71 留言:0更新日期:2016-07-21 01:17
本发明专利技术公开了一种真空雾化等离子改性制备硅微粉的方法,属于硅微粉制备技术领域。本发明专利技术将无水乙醇、石英砂混合球磨,过筛后经预热处理、保温熔融、雾化制得二氧化硅微粉,与吡咯单体混合进行等离子处理后,再与丙酮混合,经抽滤得滤饼,洗涤、干燥制得硅微粉。本发明专利技术的有益效果是:本发明专利技术制备步骤简单,利用真空雾化等离子改性制备硅微粉针对性强,制备过程能耗低,生产周期短;所得产品改性效果提高20~26%,改性剂在粉体表面吸附牢固,颗粒分散均匀。

【技术实现步骤摘要】


本专利技术涉及一种真空雾化等离子改性制备硅微粉的方法,属于硅微粉制备


技术介绍

硅微粉是由天然石英(SiO2)或熔融石英(天然石英经高温熔融、冷却后的非晶态SiO2)经破碎、球磨(或振动、气流磨)、浮选、酸洗提纯、高纯水处理等多道工艺加工而成的微粉。硅微粉是一种无毒、无味、无污染的无机非金属材料。由于它具备耐温性好、耐酸碱腐蚀、导热性差、高绝缘、低膨胀、化学性能稳定、硬度大等优良的性能,被广泛用于化工、电子、集成电路(IC)、电器、塑料、涂料、高级油漆、橡胶、国防等领域。当硅粉掺量少时,硅粉混凝土的抗冻性与普通混凝土基本相同,当硅粉掺量超过15%时,它的抗冻性较差。硅粉超过15%时,混凝土膨胀量增大,相对动弹性模数降低,抗压强度急剧下降,从混凝土内部方面特征,比表面积小,间距系数大。在混凝土掺入硅粉,减少Ca(OH)2含量,增加混凝土密实性,有效提高弱酸腐蚀能力,但在强酸或高深度的弱酸中不行,因混凝土中的CSH在酸中分解,耐酸性差。目前粉体的表面改性方法很多。根据改性的具体实施工艺可分为:湿法、干法;根据改性的原理可分为:物理改性、化学改性,物理改性有:表面涂覆、表面活性剂改性、高能表面改性、胶囊化处理,化学改性有:表面沉积法、化学包覆、机械力化学、单体吸附包裹后聚合等。传统改性方法及其缺陷主要体现在:物理改性法,改性效果差,改性剂在粉体表面吸附不牢固;颗粒分散性不好,易团聚;化学改性法,能耗高,不环保,劳动强度大,生产周期长,自动化程度低。

技术实现思路

本专利技术所要解决的技术问题:针对物理化学法改性制备硅微粉改性效果差,改性剂在粉体表面吸附不牢固,颗粒分散性不好,易团聚,且能耗高、生产周期长的弊端,提供了一种将无水乙醇、石英砂混合球磨,过筛后经预热处理、保温熔融、雾化制得二氧化硅微粉,与吡咯单体混合进行等离子处理后,再与丙酮混合,经抽滤得滤饼,洗涤、干燥制得硅微粉的方法。本专利技术制备步骤简单,所生产周期短,得产品改性效果好,吸附牢固,分散性好。
为解决上述技术问题,本专利技术采用如下所述的技术方案是:
(1)按质量比1:8,将无水乙醇与石英砂置于球磨罐中,在250~300r/min下球磨3~4h,待球磨完成后,过筛制备得120~140目石英砂粉末,随后将石英砂粉末置于石墨坩埚中,再将石墨坩埚置于真空感应炉中,抽真空至1~2Pa后,在120~350℃下预热处理15~20min;
(2)待预热完成后,对真空感应炉通氩气排除空气,随后按10℃/min速率程序升温至1650~1700℃,待升温完成后,继续保温熔融25~30min,随后在氩气压力1.5~1.8MPa下雾化制粉,控制导流管直径为8~10mm,雾化温度为1600~1800℃,待雾化完成后,静置冷却并收集二氧化硅微粉;
(3)按质量比1:5,将吡咯单体与二氧化硅微粉搅拌混合,制备得混合粉末,随后将混合粉末置于等离子表面处理仪中,对等离子表面处理仪通氩气排除空气,在氩气气氛下,抽真空至25~30Pa,再在10~15kV下放电处理10~15min;
(4)待放电处理完成后,关闭真空泵并通入大气至等离子表面处理仪中,收集等离子处理硅微粉,按质量比1:5,将等离子处理硅微粉与丙酮搅拌混合,待搅拌混合10~15min后,对其抽滤并收集滤饼,用无水乙醇和去离子水各洗涤3~5次后,再在65~80℃下干燥6~8h,随后碾磨即可制备得一种硅微粉。
本专利技术制得的硅微粉剥离强度98~100N/mm,弯曲强度为3~5MPa,热膨胀系数为229~235um/m·℃,在频率为1MHz下介电常数为13~15,莫氏硬度为5~6。
本专利技术与其他方法相比,有益技术效果是:
(1)本专利技术制备步骤简单,利用真空雾化等离子改性制备硅微粉针对性强,制备过程能耗低,生产周期短;
(2)所得产品改性效果提高20~26%,改性剂在粉体表面吸附牢固,颗粒分散均匀。
具体实施方式
首先按质量比1:8,将无水乙醇与石英砂置于球磨罐中,在250~300r/min下球磨3~4h,待球磨完成后,过筛制备得120~140目石英砂粉末,随后将石英砂粉末置于石墨坩埚中,再将石墨坩埚置于真空感应炉中,抽真空至1~2Pa后,在120~350℃下预热处理15~20min;然后待预热完成后,对真空感应炉通氩气排除空气,随后按10℃/min速率程序升温至1650~1700℃,待升温完成后,继续保温熔融25~30min,随后在氩气压力1.5~1.8MPa下雾化制粉,控制导流管直径为8~10mm,雾化温度为1600~1800℃,待雾化完成后,静置冷却并收集二氧化硅微粉;再按质量比1:5,将吡咯单体与二氧化硅微粉搅拌混合,制备得混合粉末,随后将混合粉末置于等离子表面处理仪中,对等离子表面处理仪通氩气排除空气,在氩气气氛下,抽真空至25~30Pa,再在10~15kV下放电处理10~15min;最后待放电处理完成后,关闭真空泵并通入大气至等离子表面处理仪中,收集等离子处理硅微粉,按质量比1:5,将等离子处理硅微粉与丙酮搅拌混合,待搅拌混合10~15min后,对其抽滤并收集滤饼,用无水乙醇和去离子水各洗涤3~5次后,再在65~80℃下干燥6~8h,随后碾磨即可制备得一种硅微粉。
实例1
首先按质量比1:8,将无水乙醇与石英砂置于球磨罐中,在250r/min下球磨3h,待球磨完成后,过筛制备得120目石英砂粉末,随后将石英砂粉末置于石墨坩埚中,再将石墨坩埚置于真空感应炉中,抽真空至1Pa后,在120℃下预热处理15min;然后待预热完成后,对真空感应炉通氩气排除空气,随后按10℃/min速率程序升温至1650℃,待升温完成后,继续保温熔融25min,随后在氩气压力1.5MPa下雾化制粉,控制导流管直径为8mm,雾化温度为1600℃,待雾化完成后,静置冷却并收集二氧化硅微粉;再按质量比1:5,将吡咯单体与二氧化硅微粉搅拌混合,制备得混合粉末,随后将混合粉末置于等离子表面处理仪中,对等离子表面处理仪通氩气排除空气,在氩气气氛下,抽真空至25Pa,再在10kV下放电处理10min;最后待放电处理完成后,关闭真空泵并通入大气至等离子表面处理仪中,收集等离子处理硅微粉,按质量比1:5,将等离子处理硅微粉与丙酮搅拌混合,待搅拌混合10min后,对其抽滤并收集滤饼,用无水乙醇和去离子水各洗涤3次后,再在65℃下干燥6h,随后碾磨即可制备得一种真空雾化等离子改性制备的硅微粉。本专利技术制备步骤简单,利用真空雾化等离子改性制备硅微粉针对性强,制备过程能耗低,生产周期短;所得产品改性效果提高20%,改性剂在粉体表面吸附牢固,颗粒分散均匀;制得的硅微粉剥离强度98N/mm,弯曲强度为3MPa,热膨胀系数为229um/m·℃,在频率为1MHz下介电常数为13,莫氏硬度为5。
实例2
首先按质量比1:8,将无水乙醇与石英砂置于球磨罐中,在275r/min下球磨4h,待球磨完成后,过筛制备得130目石英砂粉末,随后将石英砂粉末置于石墨坩埚中,再将石墨坩埚置于真空感应炉中,抽真空至2Pa后,在235℃下预热处理18min;然后待预热完成后,对真空感应炉通氩气排除空气,随后按10℃/min本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种真空雾化等离子改性制备硅微粉的方法,其特征在于具体制备步骤为:(1)按质量比1:8,将无水乙醇与石英砂置于球磨罐中,在250~300r/min下球磨3~4h,待球磨完成后,过筛制备得120~140目石英砂粉末,随后将石英砂粉末置于石墨坩埚中,再将石墨坩埚置于真空感应炉中,抽真空至1~2Pa后,在120~350℃下预热处理15~20min;(2)待预热完成后,对真空感应炉通氩气排除空气,随后按10℃/min速率程序升温至1650~1700℃,待升温完成后,继续保温熔融25~30min,随后在氩气压力1.5~1.8MPa下雾化制粉,控制导流管直径为8~10mm,雾化温度为1600~1800℃,待雾化完成后,静置冷却并收集二氧化硅微粉;(3)按质量比1:5,将吡咯单体与二氧化硅微粉搅拌混合,制备得混合粉末,随后将混合粉末置于等离子表面处理仪中,对等离子表面处理仪通氩气排除空气,在氩气气氛下,抽真空至25~30Pa,再在10~15kV下放电处理10~15min;(4)待放电处理完成后,关闭真空泵并通入大气至等离子表面处理仪中,收集等离子处理硅微粉,按质量比1:5,将等离子处理硅微粉与丙酮搅拌混合,待搅拌混合10~15min后,对其抽滤并收集滤饼,用无水乙醇和去离子水各洗涤3~5次后,再在65~80℃下干燥6~8h,随后碾磨即可制备得一种硅微粉。...

【技术特征摘要】
1.一种真空雾化等离子改性制备硅微粉的方法,其特征在于具体制备步骤为:
(1)按质量比1:8,将无水乙醇与石英砂置于球磨罐中,在250~300r/min下球磨3~4h,待球磨完成后,过筛制备得120~140目石英砂粉末,随后将石英砂粉末置于石墨坩埚中,再将石墨坩埚置于真空感应炉中,抽真空至1~2Pa后,在120~350℃下预热处理15~20min;
(2)待预热完成后,对真空感应炉通氩气排除空气,随后按10℃/min速率程序升温至1650~1700℃,待升温完成后,继续保温熔融25~30min,随后在氩气压力1.5~1.8MPa下雾化制粉,控制导流管直径为8~10mm,雾化温度为16...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭迎庆盛海丰高玉刚
申请(专利权)人:郭迎庆
类型:发明
国别省市:江苏;32

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