一种层状MoS2‑SnO2纳米复合材料的制备方法技术
本发明专利技术提供了一种层状MoS2‑SnO2纳米复合材料的制备方法，将二硫化钼粉末加入分层溶液中进行分层反应，形成混合液；在混合溶液中加入氧化剂进行氧化插层反应，然后搅拌下加入SnO2纳米粉末，继续搅拌均匀后得到插层MoS2‑SnO2混合粉末；将插层MoS2‑SnO2混合粉末与爆炸剂混合，进行爆炸反应，冷却至室温后取出爆炸反应产物，即得到层状MoS2‑SnO2纳米复合材料。本发明专利技术利用芳香族硫醚的亲硫特性，降低二硫化钼原料粉末的层间范德华力，结合爆炸冲击对其进行插层剥离。本发明专利技术制备的产物为具有高载流子迁移率的层状二硫化钼与SnO2纳米颗粒复合的纳米材料，且SnO2纳米颗粒均匀附着在单层二硫化钼片层上，提升了其催化加氢和润滑性能，大大扩展了二硫化钼的应用范围。
【技术实现步骤摘要】
201610144308
【技术保护点】
一种层状MoS2‑SnO2纳米复合材料的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：步骤一，将二硫化钼粉末加入分层溶液中进行分层反应，形成混合液；步骤二，在混合溶液中加入氧化剂进行氧化插层反应，然后搅拌下加入SnO2纳米粉末，继续搅拌均匀后得到插层MoS2‑SnO2混合粉末；步骤三，将插层MoS2‑SnO2混合粉末与爆炸剂混合，进行爆炸反应，冷却至室温后取出爆炸反应产物，即得到层状MoS2‑SnO2纳米复合材料。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡平，王快社，杨帆，胡卜亮，宋瑞，陈震宇，李秦伟，戴晓庆，
申请(专利权)人：西安建筑科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61
相关技术
网友询问留言
已有0条评论
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。