【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于材料制备及可见光光催化
,具体涉及一种MoS2纳米片/CdS纳米线核壳结构复合光催化剂及其制备方法。
技术介绍
当今能源与环境问题日益严重,引起了全球范围内的广泛重视。光催化技术则是解决能源与环境这两个问题的一种潜在的理想途径。而目前制约光催化剂在实际生产中应用的主要原因是太阳能利用率低、光催化剂稳定性不够,从而无法循环使用等。因此,为了能够更好地利用太阳能,制备出高效、稳定的可见光光催化剂对解决目前的能源和环境问题具有深远意义。硫属化合物是指含有ⅥA族S2-、Se2-、Te2-元素的一类化合物。其中作为代表的金属硫化物可以被看作是晶格中的氧原子被硫原子所取代的一种化合物。由于S3p比O2p轨道的能级要高,所以过渡金属硫化物的价带电势要比相应的氧化物的价带电势高,禁带宽度相对比较窄,多数为可见光催化剂。众所周知,CdS是金属硫化物中一种重要的半导体光催化材料,其禁带宽度为2.4eV,具有较好的可见光吸收性能。同时,CdS在可见光激发后产生的光生电子可转移到材料表面,具有较强的还原能力,能够顺利还原氢离子而产生氢 ...
【技术保护点】
一种MoS2纳米片/CdS纳米线核壳结构复合光催化剂,其特征在于:该复合光催化剂是以一维CdS纳米线为核、二维MoS2纳米片为壳,通过静电自组装方式复合而成。
【技术特征摘要】
1.一种MoS2纳米片/CdS纳米线核壳结构复合光催化剂,其特征在于:该复合光催化剂是以一维CdS纳米线为核、二维MoS2纳米片为壳,通过静电自组装方式复合而成。
2.根据权利要求1所述MoS2纳米片/CdS纳米线核壳结构复合光催化剂,其特征在于:MoS2纳米片与CdS纳米线的重量比为0.2:1~0.5:1;
所述CdS纳米线的长为1-2μm,宽为30-80nm。
3.一种如权利要求1所述MoS2纳米片/CdS纳米线核壳结构复合光催化剂的制备方法,其特征在于:先利用溶剂热反应制备CdS纳米线,然后将其经酸处理后,与二水合钼酸钠、硫代乙酰胺进行水热反应,制得所述MoS2纳米片/CdS纳米线核壳结构复合光催化剂。
4.根据权利要求3所述MoS2纳米片/CdS纳米线核壳结构复合光催化剂的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)制备CdS前驱体
室温下将铜试剂溶于去离子水中,然后按铜试剂与氯化铬的摩尔比为1.5:1~2:1加入氯化铬,磁力搅拌1-2小时,即得到CdS前驱体Cd(S2CNEt2)2,所得产物分别用去离子水、乙醇洗涤多次,离心收集沉淀,真空烘...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘平,杨宇,付贤智,陈旬,戴文新,方志斌,郑祖阳,
申请(专利权)人:福州大学,
类型:发明
国别省市:福建;35
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