基于多比特阻态阻变器件的RRAM阵列读写方法及系统技术方案

本发明专利技术提供一种基于多比特阻态阻变器件的RRAM阵列读写方法及系统，属于多比特阻态阻变器件应用领域。本发明专利技术的方法包括如下步骤：构造RRAM存储阵列，所述RRAM存储阵列中设有多个具有多比特阻态的阻变单元；阻值写入模块通过使阻变器件在阻值变化区间线性变化实现阻值的写入；通过在读取模块的输入端分别加一个所要读取的阻变单元上位线上的电压VBL和相应参考电压Vref，实现读取模块对RRAM存储阵列中某一阻变单元不同阻态间阻值进行读取；解码模块将读取模块的读取值转换成设定的数字。本发明专利技术的有益效果为：通过改进的读取模块实现对阵列中某一阻变单元不同阻态间阻值的读取，从而完成了对新型阻变存储阵列中多值存储的实现。

【技术实现步骤摘要】
201610001562

【技术保护点】
基于多比特阻态阻变器件的RRAM阵列读写方法，其特征在于包括如下步骤：构造RRAM存储阵列，所述RRAM存储阵列中设有多个具有多比特阻态的阻变单元；阻值写入模块通过使阻变器件在阻值变化区间线性变化实现阻值的写入；通过在读取模块的输入端分别加一个所要读取的阻变单元上位线上的电压VBL和相应参考电压Vref，实现读取模块对RRAM存储阵列中某一阻变单元不同阻态间阻值进行读取；解码模块将读取模块的读取值转换成设定的数字。

【技术特征摘要】
1.基于多比特阻态阻变器件的RRAM阵列读写方法，其特征在于包括如下步骤：
构造RRAM存储阵列，所述RRAM存储阵列中设有多个具有多比特阻态的阻变单元；
阻值写入模块通过使阻变器件在阻值变化区间线性变化实现阻值的写入；
通过在读取模块的输入端分别加一个所要读取的阻变单元上位线上的电压VBL和相应参考电压Vref，实现读取模块对RRAM存储阵列中某一阻变单元不同阻态间阻值进行读取；
解码模块将读取模块的读取值转换成设定的数字。
2.根据权利要求1所述的RRAM阵列读写方法，其特征在于：所述阻值写入模块通过脉冲型V/2法进行阻值的写入，所述脉冲型V/2法通过控制脉冲高度避免串扰，通过控制脉冲数量实现阻变单元内不同组态间阻值的转换。
3.根据权利要求2所述的RRAM阵列读写方法，其特征在于：所述阻值写入模块通过在RRAM存储阵列的不同字线、位线上所加脉冲的幅度不同，控制施加脉冲的个数完成不同阻值状态间的精确转换。
4.根据权利要求1所述的RRAM阵列读写方法，其特征在于：所述阻值写入模块通过电压V/2法进行阻值的写入。
5.根据权利要求1所述的RRAM阵列读写方法，其特征在于：所述多比特阻态阻变器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘记朋，赵秋奇，黄继攀，宋博扬，郭纪家，王明江，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：广东;44