柔性TFT驱动底发射OLED/PLED并列结构与制备制造技术

本发明专利技术公开了柔性晶体管（TFT）驱动底发射柔性有机发光器件（OLED）和聚合物发光器件（PLED）显示器的驱动的并列设计结构以及制备，该像素驱动电路包括柔性透明电极，柔性驱动晶体管与柔性有机发光二极管。其中晶体管的栅极接控制线，漏极连接OLED/PLED电极，源极接地或其它元件；本发明专利技术中OLED/PLED和TFT并列放置，可以同时或者分开用溶液法进行制备，简化了生产工艺和成本。此外，此柔性OLED/PLED像素是底发射结构，相对顶发射器件工艺更加简单，高效，可有效降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
201610219194

【技术保护点】
一种由柔性TFT晶体管驱动底发射OLED/PLED结构，其特征在于，包括：柔性OLED/PLED器件，柔性驱动TFT晶体管器件，柔性透明电极衬底和金属电极。

【技术特征摘要】
1.一种由柔性TFT晶体管驱动底发射OLED/PLED结构，其特征在于，包括：柔性OLED/PLED器件，柔性驱动TFT晶体管器件，柔性透明电极衬底和金属电极。
2.根据权利要求1所述的柔性TFT晶体管驱动底发射OLED/PLED结构，其特征在于，所述驱动TFT晶体管的功能层是可以弯曲的有机/无机半导体薄膜。
3.根据权利要求2所述的柔性TFT晶体管驱动底发射OLED/PLED结构，其特征在于，所述有机/无机半导体薄膜可以通过旋涂，涂抹，喷涂，打印，卷对卷等溶液制膜方法制备。
4.根据权利要求1所述的柔性TFT驱动底发射OLED/PLED结构，其特征在于，所述OLED/PLED器件可以通过热蒸法，旋涂，涂抹，打印，卷对卷等方法制备。
5.根据权利要求1所述的柔性TFT晶体管驱动底发射OLED/PLED结构，其特征在于，所述柔性透明电极衬底，选自透明导电氧化物（TCO）材料，锌铝，氧化铟氧化锌，氧化锡，氧化镓铟锡（GITO），柔性电极基板（ZITO），氧化镓铟（GIO），使用ZnInO（ZIO），AZO，FTO以及适合用于在有机/无机薄膜的其他...

【专利技术属性】
技术研发人员：王希祖，陈志宽，
申请(专利权)人：方圆环球光电技术盐城有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32