本实用新型专利技术提供一种硬盘录像设备的电源低功率电路，包括若干个为硬盘供电的硬盘供电电路，硬盘供电电路包括第一供电电路和第二供电电路，第一供电电路包括三极管Q1和PMOS管Q2，第二供电电路包括三极管Q3和PMOS管Q4，当硬盘录像设备启动时，通过系统对硬盘的5V0、12V0的控制使每一个硬盘可以独立的启动，避开硬盘同时启动对电源功率的要求，这时将两个PMOS打开后第一个硬盘上电完毕，在通过系统内部延时50ms后在给下一个硬盘上电启动，以此方式依次给下面的其它硬盘上电，这样的控制方式可以大大的降低同时启动所需要的大电流，降低了对产品电源功率的要求，为安防监控行业的多硬盘存储设备给予了强大的保障。
【技术实现步骤摘要】
本技术属于视频监控领域，尤其是涉及一种硬盘录像设备的电源低功率电路。
技术介绍
监控领域中，视频录像设备通常是监控系统中不可或缺的一环，而随着视频的高清化，大量数据的存储，单一硬盘设备已经无法满足现代的要求，而对硬盘的存储已经是现在主流设备，同时带来的就是多硬盘对设备电源功率的要求。随着安防市场的发展和各厂商的激烈竞争，成本已经是各大厂商关注的重点，硬盘在数字录像机里面在启动瞬间所占的功率可以说是相当巨大的一部分，让硬盘的启动电流避开其他峰值电流，那么电源的功率就可以大大的降低，使产品的成本降低。现有的电源低功率方案有以下几种：采用较昂贵的低功耗芯片、独立的电源芯片供电、定制提高过流保护的电源、降低产品的性能设计等。低功耗的芯片无形中使产品的成本提高，像提高过流保护的电源这样的定制使得成本增加，生产管理不便，独立电源芯片同样使产品成本提高。因此，研发一种硬盘录像设备的电源低功率电路是一个亟待解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本技术旨在提出一种可批量生产、系统稳定、成本低廉的硬盘录像设备的电源低功率电路，以实现灵活控制硬盘录像设备、降低电源功率的目的。为达到上述目的，本技术的技术方案是这样实现的：一种硬盘录像设备的电源低功率电路，包括若干个为硬盘供电的硬盘供电电路，所述硬盘供电电路包括第一供电电路和第二供电电路；所述第一供电电路包括三极管Q1和PMOS管Q2，CPU的GPIO管脚通过电阻R2与三极管Q1的基极相连，所述三极管Q1的集电极通过电阻R3后分两路，一路通过电阻R1后接12VO电源，另一路通过电阻R4后又分两路，一路与PMOS管Q2的第四管脚相连，另一路通过电容C1后与PMOS管Q2的第三管脚相连，所述PMOS管Q2的第三管脚接12VO电源，所述PMOS管Q2的第一管脚和第二管脚分别与第三管脚相连，所述12VO电源与12V电源的阳极相连，所述12V电源的阴极接地，所述PMOS管Q2的第六管脚通过电容C2后接地，在所述电容C2的两端依次并联有电容C3、电容C4和电容C5，所述PMOS管Q2的第八管脚、第七管脚和第五管脚分别与第六管脚相连；所述第二供电电路包括三极管Q3和PMOS管Q4，CPU的GPIO管脚通过电阻R2与三极管Q3的基极相连，所述三极管Q3的集电极通过电阻R3后分两路，一路通过电阻R1后接5VO电源，另一路通过电阻R4后又分两路，一路与PMOS管Q4的第四管脚相连，另一路通过电容C1后与PMOS管Q4的第三管脚相连，所述PMOS管Q4的第三管脚接5VO电源，所述PMOS管Q4的第一管脚和第二管脚分别与第三管脚相连，所述5VO电源与5V电源的阳极相连，所述5V电源的阴极接地，所述PMOS管Q4的第六管脚通过电容C2后接地，在所述电容C2的两端依次并联有电容C3、电容C4和电容C5，所述PMOS管Q4的第八管脚、第七管脚和第五管脚分别与第六管脚相连。进一步的，所述CPU型号为HI3536。进一步的，所述PMOS管Q2和PMOS管Q4的型号为Si4435DDY。进一步的，硬盘录像设备内单硬盘在上电启动时的5V0和12V0的峰值电流持续时间在50ms以内。进一步的，所述硬盘供电电路可以为2个、4个、8个、16个。进一步的，每个硬盘供电电路的启动时间间隔为50ms。相对于现有技术，本技术所述的硬盘录像设备的电源低功率电路具有以下优势：通过系统内部对硬盘的5V0、12V0的控制使每一个硬盘可以独立的启动，避开硬盘同时启动对电源功率的要求，实现了多个硬盘设备从高电源降低到低电源，同时满足稳定运行、正常工作的要求，实现过程简单、系统稳定、成本低廉，便于批量生产，为安防监控等带硬盘的设备电源低功率设备提供了保证。附图说明构成本技术的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：图1是本技术中第一供电电路的电路图；图2是本技术中第二供电电路的电路图；图3是本技术的流程框图。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。如图1至3所示，一种硬盘录像设备的电源低功率电路，包括若干个为硬盘供电的硬盘供电电路，所述硬盘供电电路包括第一供电电路和第二供电电路。所述第一供电电路包括三极管Q1和PMOS管Q2，CPU的GPIO管脚通过电阻R2与三极管Q1的基极相连，所述三极管Q1的集电极通过电阻R3后分两路，一路通过电阻R1后接12VO电源，另一路通过电阻R4后又分两路，一路与PMOS管Q2的第四管脚相连，另一路通过电容C1后与PMOS管Q2的第三管脚相连，所述PMOS管Q2的第三管脚接12VO电源，所述PMOS管Q2的第一管脚和第二管脚分别与第三管脚相连，所述12VO电源与12V电源的阳极相连，所述12V电源的阴极接地，所述PMOS管Q2的第六管脚通过电容C2后接地，在所述电容C2的两端依次并联有电容C3、电容C4和电容C5，所述PMOS管Q2的第八管脚、第七管脚和第五管脚分别与第六管脚相连。所述第二供电电路包括三极管Q3和PMOS管Q4，CPU的GPIO管脚通过电阻R2与三极管Q3的基极相连，所述三极管Q3的集电极通过电阻R3后分两路，一路通过电阻R1后接5VO电源，另一路通过电阻R4后又分两路，一路与PMOS管Q4的第四管脚相连，另一路通过电容C1后与PMOS管Q4的第三管脚相连，所述PMOS管Q4的第三管脚接5VO电源，所述PMOS管Q4的第一管脚和第二管脚分别与第三管脚相连，所述5VO电源与5V电源的阳极相连，所述5V电源的阴极接地，所述PMOS管Q4的第六管脚通过电容C2后接地，在所述电容C2的两端依次并联有电容C3、电容C4和电容C5，所述PMOS管Q4的第八管脚、第七管脚和第五管脚分别与第六管脚相连。优选的，所述CPU型号为HI3536，所述PMOS管Q2和PMOS管Q4的型号为Si4435DDY，所述硬盘供电电路可以为2个、4个、8个、16个。硬盘录像设备内单硬盘在上电启动时的5V0和12V0的峰值电流持续时间在50ms以内。每个硬盘供电电路的启动时间间隔为50ms。本实例的工作过程：Ⅰ、当硬盘录像设备启动时，CPU的GPIO管脚控制第一供电电路和第二本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种硬盘录像设备的电源低功率电路，其特征在于：包括若干个为硬盘供电的硬盘供电电路，所述硬盘供电电路包括第一供电电路和第二供电电路；所述第一供电电路包括三极管Q1和PMOS管Q2，CPU的GPIO管脚通过电阻R2与三极管Q1的基极相连，所述三极管Q1的集电极通过电阻R3后分两路，一路通过电阻R1后接12VO电源，另一路通过电阻R4后又分两路，一路与PMOS管Q2的第四管脚相连，另一路通过电容C1后与PMOS管Q2的第三管脚相连，所述PMOS管Q2的第三管脚接12VO电源，所述PMOS管Q2的第一管脚和第二管脚分别与第三管脚相连，所述12VO电源与12V电源的阳极相连，所述12V电源的阴极接地，所述PMOS管Q2的第六管脚通过电容C2后接地，在所述电容C2的两端依次并联有电容C3、电容C4和电容C5，所述PMOS管Q2的第八管脚、第七管脚和第五管脚分别与第六管脚相连；所述第二供电电路包括三极管Q3和PMOS管Q4，CPU的GPIO管脚通过电阻R2与三极管Q3的基极相连，所述三极管Q3的集电极通过电阻R3后分两路，一路通过电阻R1后接5VO电源，另一路通过电阻R4后又分两路，一路与PMOS管Q4的第四管脚相连，另一路通过电容C1后与PMOS管Q4的第三管脚相连，所述PMOS管Q4的第三管脚接5VO电源，所述PMOS管Q4的第一管脚和第二管脚分别与第三管脚相连，所述5VO电源与5V电源的阳极相连，所述5V电源的阴极接地，所述PMOS管Q4的第六管脚通过电容C2后接地，在所述电容C2的两端依次并联有电容C3、电容C4和电容C5，所述PMOS管Q4的第八管脚、第七管脚和第五管脚分别与第六管脚相连。...
【技术特征摘要】
1.一种硬盘录像设备的电源低功率电路，其特征在于：包括若干个为
硬盘供电的硬盘供电电路，所述硬盘供电电路包括第一供电电路和第二供电
电路；
所述第一供电电路包括三极管Q1和PMOS管Q2，CPU的GPIO管脚通过
电阻R2与三极管Q1的基极相连，所述三极管Q1的集电极通过电阻R3后分
两路，一路通过电阻R1后接12VO电源，另一路通过电阻R4后又分两路，
一路与PMOS管Q2的第四管脚相连，另一路通过电容C1后与PMOS管Q2的
第三管脚相连，所述PMOS管Q2的第三管脚接12VO电源，所述PMOS管Q2
的第一管脚和第二管脚分别与第三管脚相连，所述12VO电源与12V电源的
阳极相连，所述12V电源的阴极接地，所述PMOS管Q2的第六管脚通过电容
C2后接地，在所述电容C2的两端依次并联有电容C3、电容C4和电容C5，
所述PMOS管Q2的第八管脚、第七管脚和第五管脚分别与第六管脚相连；
所述第二供电电路包括三极管Q3和PMOS管Q4，CPU的GPIO管脚通过
电阻R2与三极管Q3的基极相连，所述三极管Q3的集电极通过电阻R3后分
两路，一路通过电阻R1后接5VO电源，另一路通过电阻R4后又分两路，一
路与PMOS管Q4的第四管脚相连，另一...
【专利技术属性】
技术研发人员：戴林，胡胜双，
申请(专利权)人：天津天地伟业数码科技有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12
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