多电极蚀刻装置制造方法及图纸

技术编号:13309430 阅读:103 留言:0更新日期:2016-07-10 09:32
一种多电极蚀刻装置,其包含多个等离子体蚀刻电极、多个承载单元以及多个电力输出模块,该些等离子体蚀刻电极各包含一第一蚀刻侧以及一相对该第一蚀刻侧的第二蚀刻侧,该些承载单元平行设置于各该等离子体蚀刻电极的两侧并承载对应的印刷电路板,各该电力输出模块包含一电力提供单元以及一与该电力提供单元电性连接的调整单元,各该电力输出模块分别与对应的该等离子体蚀刻电极电性连接,并依据对应的该等离子体蚀刻电极以该调整单元调整该电力提供单元的一输出电力。藉由各该电力输出模块的设置而得以针对不同的等离子体蚀刻电极调整该输出电力,提升工艺的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种印刷电路板工艺,尤其涉及一种用以印刷电路板的多电极蚀刻装置
技术介绍
在电子装置中必须藉由许多的电子元件相互连接才能够作动,而过去在电子元件之间仅能以配线方式进行连接,不仅线路复杂、占用空间大,且制作成本相对较高;因此,现今的电子装置均利用印刷电路板(Printedcircuitboard,PCB)进行整合,不仅将电子元件间的配线整合至印刷电路板的基板上,电子元件甚至可直接设置在基板上,以达到节省空间的效果;而印刷电路板上的电路线路及图面,是利用印刷蚀刻阻剂的方式所做出,藉此做为电子装置内的各电子元件设置以及互相连接的支撑体。但随着各种电子装置逐渐缩小尺寸以达随身化的目的,印刷电路板的尺寸也必须相对缩小,导致传统利用印刷蚀刻阻剂的制作方法已无法满足小尺寸制作的条件,因此,现今的印刷电路板改以压膜或涂布的方式,搭配微影技术(Photolithograghy)与蚀刻工艺来进行印刷电路板的图样(Pattern)制作。等离子体蚀刻工艺不只广泛被应用在半导体产业,在印刷电路板产业中亦有所使用;和半导体产业不同的是,等离子体蚀刻工艺在印刷电路板产业中是用以清除基板上的脏污以及化学残留物,而非用以进行印刷电路板的图样制作,因此对于输出功率的稳定性或是所产生的等离子体的浓度以及稳定度均未加以要求。但以等离子体蚀刻工艺进行印刷电路板的图样制作,对于等离子体的浓度以及稳定度则必须更严格的限制,提供电极形成等离子体的电力也必须更加稳定一致;如若所提供电力的输出功率不稳定,会使电极所产生的等离子体浓度不足亦或是等离子体浓度不稳定,进而让该些印刷电路板之间产生差异,影响工艺良率。
技术实现思路
本专利技术的主要目的,在于提升印刷电路板进行蚀刻工艺时的稳定性。为达上述目的,本专利技术提供一种多电极蚀刻装置,其用以对多个印刷电路板进行蚀刻,该多电极蚀刻装置包含多个等离子体蚀刻电极、多个承载单元以及多个电力输出模块,该些等离子体蚀刻电极各包含一第一蚀刻侧以及一相对该第一蚀刻侧的第二蚀刻侧,以同时对两个印刷电路板进行蚀刻,该些承载单元用以固定承载对应的该印刷电路板,且各该承载单元平行设置于各该等离子体蚀刻电极的两侧并与各该等离子体蚀刻电极相距一蚀刻距离,各该电力输出模块包含一电力提供单元以及一与该电力提供单元电性连接的调整单元,各该电力输出模块分别与对应的该等离子体蚀刻电极电性连接,并依据对应的该等离子体蚀刻电极以该调整单元调整该电力提供单元的一输出电力。各该印刷电路板固定设置于各该承载单元邻近对应的该等离子体蚀刻电极一侧并与各该等离子体蚀刻电极相距该蚀刻距离,该些电力输出模块的电力提供单元分别提供该输出电力至该些等离子体蚀刻电极,使该些等离子体蚀刻电极的该第一蚀刻侧与该第二蚀刻侧产生等离子体,藉此对该些印刷电路板进行等离子体蚀刻。由上述说明可知,本专利技术具有下列特点:一、由于该些电力输出模块分别连接至对应的等离子体蚀刻电极,因此能够分别独立的提供该输出电力予各该等离子体蚀刻电极,藉此能提升所产生等离子体的功率,增加蚀刻等离子体的浓度,不仅改善了现有等离子体蚀刻工艺运用于印刷电路板上仅用以作为清洁用的限制,更能够增进印刷电路板进行蚀刻工艺时的蚀刻率。二、藉由各该电力输出模块分别独立对应各该等离子体蚀刻电极的设置,使得各该电力输出模块可因应各该等离子体蚀刻电极的状况而输出对应的该输出电力,使各该等离子体蚀刻电极所产生的蚀刻等离子体浓度稳定,进而提升蚀刻工艺时的稳定度。三、由于该多电极蚀刻装置包含多个等离子体蚀刻电极,且各该等离子体蚀刻电极更包含第一蚀刻侧以及第二蚀刻侧,使得该多电极蚀刻装置可同时对于多个印刷电路板进行等离子体蚀刻工艺,并藉此提升印刷电路板工艺时的产量。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述,但不作为对本专利技术的限定。附图说明图1,为本专利技术的单元配置示意图;图2,为本专利技术的俯视结构示意图;图3,为本专利技术的部分结构分解示意图;图4,为本专利技术的吸附单元的正视结构示意图;图5,为本专利技术的吸附部结构示意图。具体实施方式有关本专利技术的详细说明及
技术实现思路
,现就配合附图说明如下:请参阅图1及图2所示,本专利技术为一种多电极蚀刻装置,其用以对多个印刷电路板100进行蚀刻,该多电极蚀刻装置包含一腔体10、多个等离子体蚀刻电极20、多个承载单元30、多个电力输出模块40、多个检测单元50以及一压力控制单元90,该些等离子体蚀刻电极20各包含一第一蚀刻侧21以及一相对该第一蚀刻侧21的第二蚀刻侧22,以同时对两个印刷电路板100进行蚀刻,该些承载单元30用以固定承载对应的该印刷电路板100,且各该承载单元30平行设置于各该等离子体蚀刻电极20的两侧并与各该等离子体蚀刻电极20相距一蚀刻距离d,各该电力输出模块40包含一电力提供单元41以及一与该电力提供单元41电性连接的调整单元42,该压力控制单元90与该腔体10相互连接,以藉由该压力控制单元90将该腔体10内的气体抽出,调整该腔体10内的气体压力,以符合等离子体蚀刻工艺时的状态。各该检测单元50分别与对应的该电力输出模块40以及该等离子体蚀刻电极20电性连接,并检测该等离子体蚀刻电极20的电阻值,使该调整单元42依据该等离子体蚀刻电极20的电阻值调整该电力提供单元41的一输出电力A,以使接收该输出电力A的各该等离子体蚀刻电极20能够以相同功率产生蚀刻等离子体,藉此提升蚀刻工艺时的稳定度,进而提升工艺良率,降低成本。各该印刷电路板100固定设置于各该承载单元30邻近该等离子体蚀刻电极20一侧并与该等离子体蚀刻电极20相距该蚀刻距离d,于本实施例中,该些等离子体蚀刻电极20与该些承载单元30分别作为电力的正负端,因此各该承载单元30属于接地端,当该些电力输出模块40的电力提供单元41分别提供该输出电力A至该些等离子体蚀刻电极20时,即因各该承载单元30与对应的该等离子体蚀刻电极20之间产生电位差,进而使该些等离子体蚀刻电极20的该第一蚀刻侧21与该第二蚀刻侧22产生蚀刻等离子体,藉此同时对两个印刷电路板100进行等离子体蚀刻工艺。续参阅图3,于本实施例中,该承载单元30更包含一背板31、一夹置部32以及多个设置于该背板31的通孔33,该印刷电路板100通过该夹置部32以夹设的方式固定于背板31。更进一步说明,请搭配参阅图2、图4及图5所示,该多本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种多电极蚀刻装置,其用以对多个印刷电路板进行蚀刻,其特征在于,该多电极蚀刻装置包含:多个等离子体蚀刻电极,该些等离子体蚀刻电极各包含一第一蚀刻侧以及一相对该第一蚀刻侧的第二蚀刻侧,以同时对两个印刷电路板进行蚀刻;多个承载对应的该印刷电路板的承载单元,各该承载单元平行设置于各该等离子体蚀刻电极的两侧,且分别与各该等离子体蚀刻电极相距一蚀刻距离;以及多个电力输出模块,各该电力输出模块包含一电力提供单元以及一与该电力提供单元电性连接的调整单元,各该电力输出模块分别与对应的该等离子体蚀刻电极电性连接,并依据对应的该等离子体蚀刻电极以该调整单元调整该电力提供单元的一输出电力;该些电力输出模块的电力提供单元分别提供该输出电力至该些等离子体蚀刻电极,使该些等离子体蚀刻电极的两侧产生蚀刻等离子体,藉此对该些印刷电路板进行等离子体蚀刻。

【技术特征摘要】
1.一种多电极蚀刻装置,其用以对多个印刷电路板进行蚀刻,其特征在
于,该多电极蚀刻装置包含:
多个等离子体蚀刻电极,该些等离子体蚀刻电极各包含一第一蚀刻侧以及
一相对该第一蚀刻侧的第二蚀刻侧,以同时对两个印刷电路板进行蚀刻;
多个承载对应的该印刷电路板的承载单元,各该承载单元平行设置于各该
等离子体蚀刻电极的两侧,且分别与各该等离子体蚀刻电极相距一蚀刻距离;
以及
多个电力输出模块,各该电力输出模块包含一电力提供单元以及一与该电
力提供单元电性连接的调整单元,各该电力输出模块分别与对应的该等离子体
蚀刻电极电性连接,并依据对应的该等离子体蚀刻电极以该调整单元调整该电
力提供单元的一输出电力;
该些电力输出模块的电力提供单元分别提供该输出电力至该些等离子体
蚀刻电极,使该些等离子体蚀刻电极的两侧产生蚀刻等离子体,藉此对该些印
刷电路板进行等离子体蚀刻。
2.根据权利要求1所述的多电极蚀刻装置,其特征在于,更包含一用以
容置该些等离子体蚀刻电极以及该些承载单元的腔体,以及一与该腔体连接的
压力控制单元。
3.根据权利要求1所述的多电极蚀刻装置,其特征在于,更包含多个用
以检测各该等离子体蚀刻电极的电阻的检测单元,各该检测单元分别与对应的
该等离子体蚀刻电极以及该电力输出模块电性连接。
4.根据权利要求1所述的多电极蚀刻装置,其特征在于,更包含多个设
置于各该承载单元远离该等离子体蚀刻电极一侧且对应吸附该些承载单元的
吸附单元。
5.根据权利要求4所述的多电极蚀刻装置,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘品均陈松醮蔡明展林子平杨峻杰
申请(专利权)人:友威科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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