部分框架外露多芯片多搭混装平铺夹芯封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种部分框架外露多芯片多搭混装平铺夹芯封装结构，它包括第一引线框（21）、第二引线框（22）、第一芯片（23）和第二芯片（26），所述第一芯片（23）和第二芯片（26）分别夹设在第一引线框（21）与第二引线框（22）之间，所述第一芯片（24）正面和第二芯片（26）正面分别配置于所述第一引线框（21）上，所述第一引线框（21）和第二引线框（22）外包封有塑封料（25），所述第一引线框（21）下表面暴露于塑封料（25）之外。本实用新型专利技术的有益效果是：具有较低的封装电阻和封装电感，具有较好的散热性，整条产品一体成型，生产效率高。

【技术实现步骤摘要】


本技术涉及一种部分框架外露多芯片多搭混装平铺夹芯封装结构，属于半导体封装


技术介绍

近年来，随着电子产品对功率密度不断的追求，无论是Diode（二级管）还是Transistor（三极管）的封装，尤其是Transistor中的MOS产品正朝着更大功率、更小尺寸、更快速、散热更好的趋势在发展。封装的一次性制造方式也由单颗封装技术慢慢朝向小区域甚至更大区域的高密度高难度低成本一次性封装技术冲刺与挑战。
因此，也对MOS产品的封装在寄生的电阻、电容、电感等的各种电性能、封装的结构、封装的热消散性能力、封装的信赖性方面以及高难度一次性封装技术方面有了更多的要求。
传统的Diode（二级管）以及Transistor（三极管）或是MOS产品的封装一般依据产品特性、功率的不同以及成本的考虑因素，利用了金线、银合金线、铜线、铝线以及铝带的焊线方式作为芯片与内引脚的主要的互联技术，从而实现电气连接。然而焊线的技术方式对产品的性能存在了以下几个方面的限制与缺陷：
一、封装与制造方面的限制与缺陷：
1）、焊接能力（Bondabilit本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种部分框架外露多芯片多搭混装平铺夹芯封装结构，其特征在于：它包括第一引线框（21）、第二引线框（22）、第一芯片（23）和第二芯片（26），所述第二引线框（22）包括第一上水平段（221）、第一中间连接段（222）、第一下水平段（223）、第二上水平段（224）、第二中间连接段（225）和第二下水平段（226），所述第一芯片（23）和第二芯片（26）分别夹设在第一引线框（21）与第二引线框（22）的第一上水平段（221）和第二上水平段（224）之间，所述第一芯片（23）背面和第二芯片（26）正面分别配置于所述第一引线框（21）上，所述第一芯片（23）的正面和背面分别通过锡膏（24）与第二引线...

【技术特征摘要】
1.一种部分框架外露多芯片多搭混装平铺夹芯封装结构，其特征在于：它包括第一引线框（21）、第二引线框（22）、第一芯片（23）和第二芯片（26），所述第二引线框（22）包括第一上水平段（221）、第一中间连接段（222）、第一下水平段（223）、第二上水平段（224）、第二中间连接段（225）和第二下水平段（226），所述第一芯片（23）和第二芯片（26）分别夹设在第一引线框（21）与第二引线框（22）的第一上水平段（221）和第二上水平段（224）之间，所述第一芯片（23）背面和第二芯片（26）正面分别配置于所述第一引线框（21）上，所述第一芯片（23）的正面和背面分别通过锡膏（24）与第二引线框（22）的第一上水平段（221）和第一引线框（21）电性连接，第二芯片（26）的背面和正面分别通过锡膏（24）与第二引线框（22）的第二上水平段（224）和...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁志忠，刘恺，周正伟，王亚琴，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32