磊晶生成结构及其生成方法技术

本发明专利技术提供一种磊晶生成结构及其生成方法。该生成结构包含：基板；多个晶种，以阵列式排列并设置于基板的表面；多个纳米柱，分别纵向设置于所述晶种上；以及薄膜，水平覆盖于多个纳米柱的上表面以形成平面。本发明专利技术的磊晶生成结构及其生成方法可以降低磊晶缺陷密度。

【技术实现步骤摘要】
201410740951

【技术保护点】
一种磊晶生成结构，适用于氮化镓的磊晶生成结构，该磊晶生成结构包含：基板；多个晶种，以阵列式排列并设置于所述基板的表面；多个纳米柱，分别纵向设置于所述晶种上；以及薄膜，水平覆盖于所述多个纳米柱的上表面以形成平面。

【技术特征摘要】
1.一种磊晶生成结构，适用于氮化镓的磊晶生成结构，该磊晶生成结构包含：
基板；
多个晶种，以阵列式排列并设置于所述基板的表面；
多个纳米柱，分别纵向设置于所述晶种上；以及
薄膜，水平覆盖于所述多个纳米柱的上表面以形成平面。
2.根据权利要求1所述的磊晶生成结构，其中，所述晶种为氮化铝。
3.根据权利要求2所述的磊晶生成结构，其中，所述纳米柱与所述薄膜为氮化
镓。
4.根据权利要求3所述的磊晶生成结构，其中，所述纳米柱的长度为
50nm-150nm；宽度为100-300nm。
5.根据权利要求4所述的磊晶生成结构，其中，所述以阵列式排列的晶种之间
的间距为100-300nm。
6.根据权利要求5所述的磊晶生成结构，其中，所述薄膜厚度为3-4μm或3-5μm。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑克勇，王佑立，吴浚宏，李品颐，邱绍谚，
申请(专利权)人：郑克勇，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71