一种延长掉电保持时间的开关电源电路及方法技术

技术编号:13290410 阅读:114 留言:0更新日期:2016-07-09 09:04
本申请公开了一种延长掉电保持时间的开关电源电路及方法,用于电源掉电时,提高母线电压的变化值,延长了开关电源电路的掉电保持时间的同时不需要提高母线的工作电压。本发明专利技术实施例开关电源电路包括:嵌位保护单元、谐振单元、母线、电源及开关Q5;谐振单元包括电感Lr和电容Cr,嵌位保护单元包括嵌位二极管D1及嵌位二极管D2,母线包括母线电容Cbus;开关Q5的一端连接于电感Lr和电容Cr之间,另一端连接于嵌位二极管D1的正极和嵌位二极管D2的负极之间;当电源未掉电时,控制开关Q5导通,使得电容Cr的极间电压Vc小于或等于母线电容Cbus的极间电压Vbus;当电源掉电时,控制开关Q5断开,使得Vc大于Vbus,以延长开关电源电路的掉电保持时间。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电路领域,尤其涉及一种延长掉电保持时间的开关电源电路及方法
技术介绍
一般情况下,设备在检测到开关电源掉电后,需要对必要的数据进行保存和传输等,开关电源在掉电保持时间内还可以为设备提供能量,以保证设备可靠关闭,延长开关电源的掉电保持时间是非常必要的。现有的开关电源电路如图1所示,嵌位保护单元10与谐振单元11通过节点N1和节点N2嵌位连接,嵌位保护单元10起到电压嵌位的作用,用于保护电路中的元器件,电源DC未断电时,谐振单元11通过变压电感Lm将电能转化至整流单元12,并且电感Lr和电容Cr进行充放电,当电源DC断电时,母线的母线电容中存储的电能对谐振单元11中的电感Lr和电容Cr进行充电,电感Lr和电容Cr充电电能达到一定条件时,电感Lr和电容Cr存储的能量通过正极金属氧化半导体(PMOS,positivechannelMetalOxideSemiconductor)管Q1反馈至母线。计算掉电保持时间的公式如下所示:Thold=0.5*C*△本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种延长掉电保持时间的开关电源电路,其特征在于,包括:嵌位保护单元、谐振单元、母线、电源及开关Q5;所述谐振单元包括电感Lr和电容Cr,所述嵌位保护单元包括嵌位二极管D1及嵌位二极管D2,所述母线包括母线电容Cbus;所述开关Q5的一端连接于所述电感Lr和所述电容Cr之间,另一端连接于所述嵌位二极管D1的正极和所述嵌位二极管D2的负极之间,所述母线电容Cbus与所述电源连接;当电源未掉电时,控制所述开关Q5导通,使得所述电容Cr的极间电压Vc小于或等于所述母线电容Cbus的极间电压Vbus;当所述电源掉电时,控制所述开关Q5断开,使得所述电容Cr的极间电压Vc大于所述母线电容Cbus的极间电压...

【技术特征摘要】
1.一种延长掉电保持时间的开关电源电路,其特征在于,包括:
嵌位保护单元、谐振单元、母线、电源及开关Q5;
所述谐振单元包括电感Lr和电容Cr,所述嵌位保护单元包括嵌位二极管
D1及嵌位二极管D2,所述母线包括母线电容Cbus;
所述开关Q5的一端连接于所述电感Lr和所述电容Cr之间,另一端连接
于所述嵌位二极管D1的正极和所述嵌位二极管D2的负极之间,所述母线电
容Cbus与所述电源连接;
当电源未掉电时,控制所述开关Q5导通,使得所述电容Cr的极间电压
Vc小于或等于所述母线电容Cbus的极间电压Vbus;
当所述电源掉电时,控制所述开关Q5断开,使得所述电容Cr的极间电
压Vc大于所述母线电容Cbus的极间电压Vbus,以延长所述开关电源电路的
掉电保持时间。
2.根据权利要求1所述的开关电源电路,其特征在于,所述开关电源电
路还包括:开关控制单元;
所述开关控制单元与所述电源和所述开关Q5连接;
当所述开关控制单元检测到所述电源未掉电时,所述开关控制单元控制
所述开关Q5导通;
当所述开关控制单元检测到所述电源掉电时,所述开关控制单元控制所
述开关Q5断开。
3.根据权利要求2所述的开关电源电路,其特征在于,所述谐振单元还
包括:
金属氧化半导体MOS管Q1、MOS管Q2及变压结构,所述变压结构包
含变压电感Lm;
所述MOS管Q2的漏极、所述MOS管Q1的源极及所述电感Lr的一端
连接,所述电感Lr的另一端与所述变压电感Lm串联,所述变压电感Lm与
所述电容Cr串联;
所述MOS管Q1的漏极与所述电源的正极连接,所述开关Q5的一端连
接于所述变压电感Lm和所述电容Cr之间,所述MOS管Q2的源极与所述电
源的负极连接。
4.根据权利要求3所述的开关电源电路,其特征在于,所述开关电源电
路还包括:整流单元;
所述变压结构还包括:变压器正边电感L1和变压器副边电感L2;
所述变压正边电感L1和所述变压电感Lm并联,所述变压器副边电感L2
具有调节器;
所述整流单元包括:MOS管Q3、MOS管Q4、电容C1及输出电阻Rload;
所述MOS管Q3的漏极及所述MOS管Q4的漏极分别与所述变压器副边
电感L2的两端连接,所述电容C1及所述输出电阻Rload的一端与所述MOS
管Q3的源...

【专利技术属性】
技术研发人员:向军宋石磊陈威
申请(专利权)人:华为技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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