一种像素驱动电路制造技术

一种像素驱动电路，包括：恒流源信号、第一扫描信号、第二扫描信号、电源线、地线、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第一电容、第二电容、及有机发光二极管。本发明专利技术的像素驱动电路结构简单，通过第一扫描信号对第五晶体管及电容的控制，消除驱动晶体管的阈值电压对有机发光二极管驱动电流的影响，使有机发光二极管发光稳定，进而改善了显示装置的品质，并且本发明专利技术的像素驱动电路结构简单，通过晶体管与电容的协同作用，提高了像素驱动电路的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种有机发光二极管的电流型像素驱动电路。
技术介绍
在显示面板中，为有效控制像素中的发光二极管，通常会配置一像素电路，然而，采用像素电路的显示面板会面临诸多问题，例如晶体管变异、电压降（IRdrop）、发光二极管老化等，上述问题将会导致显示面板亮度不均，使得显示面板的影像品质下降。有机发光二极管（OrganicLight-EmittingDiode，OLED）为电流驱动主动发光型器件，具有自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等独特特点。有机发光二极管器件按照其驱动方式不同，可以分为无源驱动和有源驱动；按照驱动模式不同，可以分为电压驱动和电流驱动。电压驱动是指像素电路的输入信号是电压信号，在电压型像素驱动电路中，一个很小的电压变化将引起输出电流很大的变化，因此对灰度的准确性调节比较困难。电流驱动是指像素电路以电流作为输入信号的驱动方式，输出和输入是线性关系，对电流的调节比较方便，容易实现亮度的均匀性和显示灰度的准确性调节。参阅图1，为传统的2T1C像素电路原理图，包括：数据线、扫描线、电源线Vdd、第一晶体管T10、第二晶体管T20、第一电容C10、有机发光二极管OLED10。所述第一晶体管T10包括第一栅极g10、第一源极s10、第一漏极d10；所述第二晶体管T20包括第二栅极g20、第二源极s20、第二漏极d20；所述第一栅极g10电性连接于扫描线，所述第一源极s10电性连接于数据线，所述第一漏极d10电性连接于第二栅极g20、及第一电容C10的上极板，所述第二源极s20电性连接于电源线Vdd，所述第二漏极d20电性连接于有机发光二极管OLED20的阳极，所述有机发光二极管OLED10的阴极接地GND，所述第一电容C10的下极板接地GND。但是，在传统的2T1C像素电路中，由于薄膜晶体管阈值电压的变化，导致流过有机发光二极管的电流存在差异，严重影响了显示质量。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提供一种像素驱动电路，结构简单，可有效解决流过有机发光二极管的电流不均匀的问题，从而提升显示装置的显示效果。为实现本专利技术的上述目的，本专利技术提供一种像素驱动电路，具体的是一种有机发光二极管的电流型像素驱动电路，包括：恒流源信号I1、第一扫描信号V1、第二扫描信号Vs、电源线Vdd、地线GND、第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第一电容C1、第二电容C2、有机发光二极管OLED；所述第一晶体管T1包括第一栅极g1、第一源极s1、第一漏极d1，所述第二晶体管T2包括第二栅极g2、第二源极s2、第二漏极d2，所述第三晶体管T3包括第三栅极g3、第三源极s3、第三漏极d3，所述第四晶体管T4包括第四栅极g4、第四源极s4、第四漏极d4，所述第五晶体管T5包括第五栅极g5、第五源极s5、第五漏极d5；所述第一源极s1电性连接于恒流源信号I1，所述第二栅极g2电性连接于第一栅极g1、及第二扫描信号Vs，所述第一漏极d1电性连接于第四栅极g1、第三栅极g3、及第一电容C1的一端，所述第二源极s2电性连接于恒流源信号I1，所述第二漏极d2电性连接于第四漏极d4、第三源极s3，所述第三漏极d3电性连接于有机发光二极管OLED的阳极、第二电容C2的一端，所述第四源极s4电性连接于第一电容C1的另一端、第五源极s5、及电源线Vdd，所述有机发光二极管OLED的阴极接地GND，所述第三栅极g3电性连接于第一扫描信号V1，所述第五漏极d5电性连接于第二电容C2的另一端。所述电源线Vdd用于输入供电电源。所述第三晶体管T3为驱动管；所述第一晶体管T1、第二晶体管T2、第四晶体管T4、及第五晶体管T5均为开关管。所述第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、及第五晶体管T5均为薄膜晶体管。与现有技术相比本专利技术的有益效果。本专利技术提供的一种像素驱动电路，通过第一扫描信号对第五晶体管及电容的控制，消除驱动晶体管的阈值电压对有机发光二极管驱动电流的影响，使有机发光二极管发光稳定，进而改善了显示装置的品质，延长了显示装置的使用寿命；并且本专利技术的像素驱动电路结构简单，通过晶体管与电容的协同作用，提高了像素驱动电路的可靠性。附图说明图1为传统的2T1C像素电路原理图。图2为本专利技术像素驱动电路的电路图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步的阐述。请参阅图2，为本专利技术像素驱动电路的电路图。包括：恒流源信号I1、第一扫描信号V1、第二扫描信号Vs、电源线Vdd、地线GND、第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第一电容C1、第二电容C2、有机发光二极管OLED；所述第一晶体管T1包括第一栅极g1、第一源极s1、第一漏极d1，所述第二晶体管T2包括第二栅极g2、第二源极s2、第二漏极d2，所述第三晶体管T3包括第三栅极g3、第三源极s3、第三漏极d3，所述第四晶体管T4包括第四栅极g4、第四源极s4、第四漏极d4，所述第五晶体管T5包括第五栅极g5、第五源极s5、第五漏极d5；所述第一源极s1电性连接于恒流源信号I1，所述第二栅极g2电性连接于第一栅极g1、及第二扫描信号Vs，所述第一漏极d1电性连接于第四栅极g1、第三栅极g3、及第一电容C1的一端，所述第二源极s2电性连接于恒流源信号I1，所述第二漏极d2电性连接于第四漏极d4、第三源极s3，所述第三漏极d3电性连接于有机发光二极管OLED的阳极、第二电容C2的一端，所述第四源极s4电性连接于第一电容C1的另一端、第五源极s5、及电源线Vdd，所述有机发光二极管OLED的阴极接地GND，所述第三栅极g3电性连接于第一扫描信号V1，所述第五漏极d5电性连接于第二电容C2的另一端。所述电源线Vdd用于输入供电电源。所述第三晶体管T3为驱动管，驱动有机发光二极管OLED的亮度显示；所述第一晶体管T1、第二晶体管T2、第四晶体管T4、及第五晶体管T5均为开关管。所述第一晶体管T1与第二晶体管T2控制电路是否选通，第四晶体管T4起到相当于一个二极管的作用，防止电流逆向流通。所述第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、及第五晶体管T5均为薄膜晶体管。本专利技术的像素驱动电路工作原理为：（1）、第一扫描信号V1为高电平、第二扫描信号Vs为高电平时，第一晶体管T1与第二晶体管T2均打开，第一电容C1进入充电状态，第五晶体管T5打开，第二电容C2进入充电状态，第三晶体管T3打开，数据电流流过有机发光二极管OLED，使有机发光二极管OLED发光。（2）、第一扫描信号V1为低电平、第二扫描信号Vs为低电平时，第一晶体管T1与第二晶体管T2均关闭，第一电容C1进入放电状态，第五晶体管T5关闭，第二电容C2进入放电状态，第四晶体管T4打开，电流从电源线Vdd流经第四晶体管T4和第三晶体管T3，流向有机发光二极管OLED，有机发光二极管OLED亮度保持不变，消除本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素驱动电路，其特征在于：包括：恒流源信号（I1）、第一扫描信号（V1）、第二扫描信号（Vs）、电源线（Vdd）、地线（GND）、第一晶体管（T1）、第二晶体管（T2）、第三晶体管（T3）、第四晶体管（T4）、第五晶体管（T5）、第一电容（C1）、第二电容（C2）、及有机发光二极管（OLED）；所述第一晶体管（T1）包括第一栅极（g1）、第一源极（s1）、第一漏极（d1），所述第二晶体管（T2）包括第二栅极（g2）、第二源极（s2）、第二漏极（d2），所述第三晶体管（T3）包括第三栅极（g3）、第三源极（s3）、第三漏极（d3），所述第四晶体管（T4）包括第四栅极（g4）、第四源极（s4）、第四漏极（d4），所述第五晶体管（T5）包括第五栅极（g5）、第五源极（s5）、第五漏极（d5）；所述第一源极（s1）电性连接于恒流源信号（I1），所述第二栅极（g2）电性连接于第一栅极（g1）、及第二扫描信号（Vs），所述第一漏极（d1）电性连接于第四栅极（g1）、第三栅极（g3）、及第一电容（C1）的一端，所述第二源极（s2）电性连接于恒流源信号（I1），所述第二漏极（d2）电性连接于第四漏极（d4）、第三源极（s3），所述第三漏极（d3）电性连接于有机发光二极管（OLED）的阳极、第二电容（C2）的一端，所述第四源极（s4）电性连接于第一电容（C1）的另一端、第五源极（s5）、及电源线（Vdd），所述有机发光二极管（OLED）的阴极接地（GND），所述第三栅极（g3）电性连接于第一扫描信号（V1），所述第五漏极（d5）电性连接于第二电容（C2）的另一端。...

【技术特征摘要】
1.一种像素驱动电路，其特征在于：包括：恒流源信号（I1）、第一扫描信号（V1）、第二扫描信号（Vs）、电源线（Vdd）、地线（GND）、第一晶体管（T1）、第二晶体管（T2）、第三晶体管（T3）、第四晶体管（T4）、第五晶体管（T5）、第一电容（C1）、第二电容（C2）、及有机发光二极管（OLED）；
所述第一晶体管（T1）包括第一栅极（g1）、第一源极（s1）、第一漏极（d1），所述第二晶体管（T2）包括第二栅极（g2）、第二源极（s2）、第二漏极（d2），所述第三晶体管（T3）包括第三栅极（g3）、第三源极（s3）、第三漏极（d3），所述第四晶体管（T4）包括第四栅极（g4）、第四源极（s4）、第四漏极（d4），所述第五晶体管（T5）包括第五栅极（g5）、第五源极（s5）、第五漏极（d5）；
所述第一源极（s1）电性连接于恒流源信号（I1），所述第二栅极（g2）电性连接于第一栅极（g1）、及第二扫描信号（Vs），所述第一漏极（d1）电性连接于第四栅极（g1）、第三栅极（g3）、及第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张学一，
申请(专利权)人：张学一，
类型：发明
国别省市：辽宁;21