单晶硅衬底上可动微机械结构单片集成的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种单晶硅衬底上可动微机械结构单片集成的制作方法，它涉及微电子机械工艺加工技术领域中的微电子机械系统结构器件的制造。它采用浓硼扩散、光刻、深反应离子刻蚀和选择性湿法腐蚀技术工艺，实现可动悬空与固定微结构都制作在同一单晶硅片上，达到可动微机械单片集成制作目的。本发明专利技术具有制造成本低廉，操作制造简易，能单片集成和大规模集成等优点，适合于光开关、谐振器、加速度计等多种具有可动微结构器件的制作。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种单晶硅衬底上可动微机械结构单片集成的制作方法，其特征在于它包括步骤：①单面抛光Ｎ型单晶硅片（１）；②在温度１１７５℃下，用固态硼源对Ｎ型单晶硅片（１）双面深结浓硼扩散，形成浓硼扩散Ｐ型层（２），构成电绝缘ＰＮ结；③浓硼扩散Ｐ 型层（２）上涂一层光刻胶（３）；④对抛光Ｐ型层（２）面上光刻胶（３）进行光刻，形成悬空可动微结构图形；⑤以光刻胶（３）为掩膜，深反应离子刻蚀Ｐ型硅区至Ｎ型硅区，可动微结构成型；⑥用硫酸煮８至１０分钟去除光刻胶（３），利用选择性湿 法腐蚀对浓硼扩散Ｐ型层的不腐蚀性挖空Ｎ型硅区，可动微结构悬空，器件成型。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐永青，杨拥军，李海军，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：13[中国|河北]