光学微机电结构制造技术

本发明专利技术涉及一种光学微机电结构（ＭＥＭＳ），其包括：（至少一个）光学透射层（ＵＴＬ）；（至少一个）中间层结构（ＩＬ）；（至少一个）器件层（ＤＬ），所述中间层结构（ＩＬ）限定了在所述实质光学透射层（ＵＴＬ）与所述器件层（ＤＬ）之间的一个或多个光路（ＯＰ），所述中间结构层（ＩＬ）限定了所述光学透射层（ＵＴＬ）与所述器件层（ＤＬ）之间的距离（ｄ）。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种光学微机电结构（ＭＥＭＳ），其包括：　　　　－至少一个光学透射层（ＵＴＬ）；　　　　－至少一个中间层结构（ＩＬ）；　　　　－至少一个器件层（ＤＬ）；　　　　所述中间层结构（ＩＬ）有助于在所述实质光学透射层（ＵＴＬ）与所述器件层（ＤＬ）之间的一个或多个光路（ＯＰ），　　　　　所述中间结构层（ＩＬ）限定了所述光学透射层（ＵＴＬ）与所述器件层（ＤＬ）之间的距离（ｄ）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：JT拉夫恩基尔德，H亨宁森，
申请(专利权)人：亨斯迈先进材料瑞士有限公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]