多传感器组件制造技术

本发明专利技术的一个实施例包括多传感器组件（２０）。该组件（２０）具有：由一个晶片层（５１）定义的机电运动传感器构件（５７）；由两个或更多个其他晶片层（３１、４１）中第一晶片层承载的第一传感器（３２）；以及由所述其他晶片层（３１、４１）中第二晶片层承载的第二传感器（４２）。所述一个晶片层（５１）位于其他晶片层（３１、４１）之间，从而相应地把所述传感器构件（５７）封入所述组件（２０）的空腔（５６）中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种方法，包括：制造由第一晶片构件（３０）承载的第一传感器（３２），以及由第二晶片构件（４０）承载的第二传感器（４２）；从第三晶片构件（５０）形成机电传感器（５２），第三晶片构件（５０）的第一面（５４ａ）与第二面（５４ｂ）相对，而且机电传感器（５２）包括延伸至空腔（５６）中的传感器构件（５７）；以及通过把第一晶片构件（３０）与第三晶片构件（５０）的第一面（５４ａ）结合并把第二晶片构件（４０）与第三晶片构件（５０）的第二面（５４ｂ）结合而封入所述传感器构件（５７），以提供多传感器组件（２０）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：帕德罗格欧马奥尼，弗兰克卡里斯，特奥克希斯，克里斯蒂安帕克特，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]