【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种集成电路(1),所述集成电路(1)包括基底(2)和在所述基底(2)上方的有源元件(13),其特征在于,所述集成电路(1)包括部分地围绕所述有源元件(13)的空腔(14),部分地围绕所述空腔(14)的低介电区(15)和围绕所述低介电区(15)布置的保护屏障(16)。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:克莱芒查尔布伊雷特,洛朗特戈塞特,
申请(专利权)人:ST微电子克偌林斯二SAS公司,皇家菲利浦电子有限公司,
类型:发明
国别省市:FR[法国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。