曝光机台的遮光装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种曝光机台的遮光装置，包括主遮光机构及辅助遮光机构。主遮光机构，设置于光行进路径上。辅助遮光机构设置于光行进路线上且位于主遮光机构的一侧。其中，由主遮光机构与辅助遮光机构所形成的曝光开口的形状对应于晶片上的曝光区域的形状。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种遮光装置，且特别是涉及一种曝光机台的遮光装置。
技术介绍
在集成电路制造过程中，光刻制作工艺是通过曝光机台对晶片上的曝光区域(shot)进行照射，而将光掩模图案转移至晶片上的感光性膜。现有的曝光机台对矩形的曝光区域可进行一次曝光制作工艺而完成曝光。然而，现有的曝光机台在对晶片边缘的非完整矩形曝光区域进行曝光时，对同一个非完整矩形曝光区域至少需要进行两次以上曝光制作工艺才能完成曝光，因此会产生曝光时间增加以及管芯(die)良率降低的问题。以现有的步进曝光机台为例，由于是采用进行两次以上曝光制作工艺的叠合曝光法对同一个非完整矩形曝光区域进行曝光，所以曝光路径增长，而使得每片晶片的曝光时间增加。此外，叠合曝光法容易在叠合处产生重复曝光或未曝光的情况，而降低管芯良率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种曝光机台的遮光装置，其可有效地减少曝光时间且提升管芯良率。为达上述目的，本专利技术提出一种曝光机台的遮光装置，包括主遮光机构及辅助遮光机构。主遮光机构，设置于光行进路径上。辅助遮光机构设置于光行进路线上且位于主遮光机构的一侧。其中，由主遮光机构与辅助遮光机构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种曝光机台的遮光装置，包括：主遮光机构，设置于一光行进路径上；以及辅助遮光机构，设置于该光行进路线上且位于该主遮光机构的一侧，其中由该主遮光机构与该辅助遮光机构所形成的一曝光开口的形状对应于一晶片上的一曝光区域的形状。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：王宏祺，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71