一种挤压法制备MoSi2‑SiC‑B复合陶瓷的方法技术

本发明专利技术公开了一种挤压法制备MoSi2‑SiC‑B复合陶瓷的方法，它的步骤如下：（1）将400目以上的元素粉Mo、Si、C和B及SiC粉末球磨混料，得到泥料；（2）将泥料反复练泥、静置、挤出调整，然后挤出成型，并在烘箱中于80‑120℃烘干1‑10小时，得到坯料；（3）将坯料放入铺有Si粉的坩埚中置入真空炉，冷却后得道MoSi2‑SiC‑B复合陶瓷。本发明专利技术利用元素粉Mo、Si、C和B及其SiC粉末为原料，获得MoSi2‑SiC‑B复合陶瓷。MoSi2‑SiC‑B复合陶瓷的密度保持在4.59g/cm

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及结构陶瓷成分新调整及新工艺，扩大结构陶瓷成分体系及产业化制备技术的领域。
技术介绍
二硅化钼及其复合材料具有高熔点/良好的高温抗氧化性和抗热冲击性、硬度高、蠕变小、耐腐蚀、耐磨损、良好的导电和导热性、以及稳定的电阻等优良特性。在冶金工业、陶瓷工业等各领域中得到了广泛应用。已经成为一种在很多工业领域性能优异的其他材料不可替代的结构陶瓷。二硅化钼的挤压成型一直是材料界研究的热点。挤压成型是对放在模具模腔内的金属坯料施加强大的压力，迫使金属坯料产生定向塑性变形，从挤压模的模孔中挤出而获得所需断面形状、尺寸并具有一定力学性能的零件或半成品的塑性加工方法。近年来，挤出成型在陶瓷及复合材料的制备工艺中受到越来越多的重视，目前的研究与开发工作主要集中在各种挤压浆料的制备、挤压新工艺的应用开发，对挤压过程的理论分析研究以及理论对工艺、设备开发的指导等方面。随着陶瓷挤压工艺应用范围的进一步拓宽，挤压工艺的研究也变得越来越重要。近年来对于二硅化钼及其复合材料挤出成型的研究进展，主要集中在对挤压浆料的制备技术、挤压新工艺的开发，以及对挤压过程的理论分析而指导工艺和设备开发工作方面。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种挤压法制备MoSi2‑SiC‑B复合陶瓷的方法，其特征在于，它的步骤如下：（1）将400目以上的元素粉Mo、Si、C和B及SiC粉末球磨混料，所述Mo、Si、C和B及SiC粉末的重量比为50‑80：20‑35：1‑10：0.1‑5：5‑30，然后加入粘结剂，粘结剂的重量为Mo、Si、C和B及SiC粉末总重量的20‑50%，得到泥料；（2）将泥料反复练泥、静置、挤出调整，然后挤出成型，并在烘箱中于80‑120℃烘干1‑10小时，得到坯料；（3）将坯料放入铺有Si粉的坩埚中置入真空炉，Si粉的重量为Mo、Si、C和B及SiC粉末总重量的5‑20%，将以上坯料移入铺有金属Si粉的真空烧结炉中，保...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张小立，孙萌，张留学，赵国朋，刘英，何方，樊平，张振国，汤峰，
申请(专利权)人：中原工学院，
类型：发明
国别省市：河南;41