本发明专利技术涉及一种辐射板、制备工艺及红外标准辐射装置，所述辐射板包括紫铜板基板和基板上喷涂的以掺杂6～10％碳纳米管的SiO2溶胶为底层，以掺杂6～10％碳纳米管的SiO2-PbO溶胶为顶层的双层涂层；所述辐射板制备方法包括：1)将紫铜板表面加工成粗糙表面并喷砂；2)在紫铜板的粗糙表面上喷涂溶胶底层至完全覆盖紫铜板表面；3)在底层涂层的基础上喷涂顶层涂层，4)在常温下稳定24h；所述红外标准辐射装置使用所述辐射板。该装置具有较高的发射率、较好的温度均匀性和稳定性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及红外辐射测量与校准
，尤其涉及一种辐射板、制备工艺及红外标准辐射装置。
技术介绍
针对民用森林防火、军用红外成像导引头、红外热像仪、舰船、飞机、对地观测、深空探测、载人航天等搭载的红外相机、红外辐射计等红外成像载荷应用越来越多，相应的辐射量值定标设备的需求也越来越多，在辐射定标及性能测试过程中要减少周围环境的影响、保证辐射定标的精度和性能测试的可靠性及良好的均匀性校正。在红外定标设备中，辐射板是核心部件，辐射板的发射率、稳定性、均匀性等性能直接影响红外标定设备的准确性和探测水平。近年来，随着红外技术的发展，对标定设备的性能指标的要求也越来越高，对辐射板的要求也越来越高，因此有必要进行高发射率、高温度稳定性和均匀性，同时具备宽温度范围、大面积辐射的辐射板进行研究，进而研究更先进的红外标准辐射源装置，提升红外成像载荷的探测水平。本专利技术辐射板采用在基板上涂覆高发射率涂层来制备，高发射率涂层采用在SiO2溶胶和SiO2-PbO溶胶双层涂层(SiO2溶胶为底层、SiO2-PbO溶胶为顶层)中掺杂一定量的碳纳米管，充分利用碳纳米管的多孔结构大幅提高涂层的发射率。理论上碳纳米管含量越高，涂层发射率越高，但是过高的碳纳米管含量会影响涂层与本体材料的结合力，因此本专利技术通过大量实验研究提供一种掺杂适合含量碳纳米管的SiO2溶胶/SiO2-PbO溶胶的双层涂层的辐射板将会是巨大的技术进步。
技术实现思路
鉴于上述的分析，本专利技术旨在提供一种辐射板、制备工艺及红外标准辐射装置，该装置具有高发射率、温度稳定性和均匀性。本专利技术的目的主要是通过以下技术方案实现的：本专利技术一种辐射板，包括紫铜板基板和基板上喷涂的双层涂层，其中底层为SiO2溶胶，顶层为SiO2-PbO溶胶，所述SiO2溶胶和所述SiO2-PbO溶胶均掺杂有碳纳米管，所述SiO2溶胶掺杂6～10％重量百分比的所述碳纳米管，所述SiO2-PbO溶胶掺杂6～10％重量百分比的所述碳纳米管。对本专利技术掺杂碳纳米管的选择说明：选择碳纳米管原因有：一是碳纳米管具有高发射率，C-C键的发射率高达0.95；二是碳纳米管能够大幅提高涂层表面的粗糙度，对提高材料表面发射率非常有利；三是碳纳米管给涂层内部提供的大量的红外反射界面，涂层内部更多次的红外反射使得涂层的结构更加接近理想黑体模型。将其稳固牢靠的附着在辐射面表面，并能较长时间的稳定工作，对红外辐射源的表面发射率提高起到一定的作用。选择SiO2溶胶为底层、SiO2-PbO为顶层的双层涂层主要基于以下原因：SiO2涂层与基板的结合力较差，并且其表面会形成一些通孔，影响涂层的发射率，因此需要在表面涂覆顶层来进行封孔和提高涂层的结合力。由于SiO2-PbO的发射率很高，本身是玻璃粉末，与陶瓷层结合良好，因此SiO2溶胶底层上喷涂SiO2-PbO溶胶顶层能够解决SiO2涂层高温条件下膜基结合力不足的问题，同时底层热解放出的气体又能够在顶层形成多孔结构，多孔结构可以在不增加重量的前提下提高涂层内部的反射界面总量，使涂层获得更高的发射率。本专利技术一种辐射板的制备工艺，具体包括以下步骤：1)将紫铜板表面喷砂加工成粗糙表面；2)在SiO2溶胶里掺杂6～10％的碳纳米管，混合均匀后喷涂在所述紫铜板的粗糙表面上，至完全覆盖所述粗糙表面，厚度不低于10μm，常温下自然干燥，作为涂层底层；3)在SiO2-PbO溶胶中掺杂6～10％碳纳米管，混合均匀后喷涂在所述涂层底层上，喷涂次数为5～10次，每层喷涂厚度为3～10μm；4)在常温下稳定24h，完成所述辐射板制备。对本专利技术辐射板制备工艺的说明：本专利技术涂层厚度选择的说明：物质的发射率与其厚度形状没有任何关系，但是一个具体的物体的发射率则不然。一般来说，在涂层达到一定的厚度时，厚度对涂层的发射率没有影响，但是厚度很小时，涂层的透过率就会提高，从而明显降低了发射率，同时也会增加实现的难度，一般高发射率涂层的厚度超过3μm时就可近似把涂层看作是不透明的，所以本专利技术初步考虑将每层的厚度都控制在3μm以上。为了降低底层加工难度，本专利技术涂层底层厚度控制为不低于10μm；此外为了保证顶层涂层的流动性，使表面形貌改变更加显著，顶层每层的厚度不超过10μm，因此顶层每层的厚度控制在3～10μm。本专利技术选择碳纳米管的含量为6～10％，原因主要有：碳纳米管的发射率要远远高于SiO2等本体材料，并且涂层的发射率跟每个组分的发射率十分相关，所以碳纳米管的含量越高，最终获得的碳纳米管掺杂的涂层的发射率就越高。但是SiO2与碳纳米管的结合都是弱结合，所以碳纳米管的掺杂会破坏SiO2涂层的结合力，造成涂层的开裂甚至脱落。因此碳纳米管的含量必须在有限的范围内掺杂，其极限就是刚好不破坏SiO2网络结构，因此为了尽量提高碳纳米管掺杂量并且可保证碳纳米管掺杂涂层可涂覆、制备，本专利技术选择碳纳米管的含量为6～10％，优选为8％。辐射板表面的微观形貌对物体的发射率有很大的影响，本专利技术所选择的辐射基板为紫铜板，虽未经过特殊抛光，但其自身表面粗糙度很低，金属的发射率又普遍很低，所以其发射率就会处于一个比较低的水平。从理论分析来看，紫铜辐射基板本身的发射率很低，这主要是由于其反射率太高造成的，因为基板的厚度是毫米级别，红外射线很难穿过。若基板的粗糙度很低，则反射率较高、发射率较低，到达涂层和基板界面的少量电磁波就会较多地被反射回高发射率涂层，然后在高发射率涂层中被消耗；若基板的粗糙度很高，则反射率较低、发射率较高，到达涂层和基板界面的少量电磁波就会较多地被吸收，在界面处就基本被消耗。所以，基板的粗糙度对发射率有一定的影响，因此辐射基板上喷砂，将其设计加工为粗糙表面。本专利技术一种包括上述辐射板的红外标准辐射装置，包括升温系统和控温系统，其中所述升温系统周围设置有外壳，所述升温系统包括：加热片、安装在所述加热片两侧的热沉板和辐射板，其中所述辐射板上安装有温度传感器，实时感应所述辐射板的温度，在所述辐射板对面位置的外壳上开设有与所述辐射板同中心线的孔，所述辐射板喷涂涂层的一侧朝向所述孔，所述辐射板通过所述孔向外辐射红外波段的能量；控温系统分别与所述温度传感器和所述加热片连接，形成控温回路，实现对所述辐射板温度的调控，并将所述辐射板的温度稳定在装置设定温度。进一步地，所述控温系统包括相互连接的控本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种辐射板，包括紫铜板基板和基板上喷涂的双层涂层，其中底层为SiO2溶胶，顶层为SiO2‑PbO溶胶，其特征在于，所述SiO2溶胶和所述SiO2‑PbO溶胶均掺杂碳纳米管，所述SiO2溶胶掺杂6～10％重量百分比的所述碳纳米管，所述SiO2‑PbO溶胶掺杂6～10％重量百分比的所述碳纳米管。
【技术特征摘要】
1.一种辐射板，包括紫铜板基板和基板上喷涂的双层涂层，其中底
层为SiO2溶胶，顶层为SiO2-PbO溶胶，其特征在于，所述SiO2溶胶和
所述SiO2-PbO溶胶均掺杂碳纳米管，
所述SiO2溶胶掺杂6～10％重量百分比的所述碳纳米管，
所述SiO2-PbO溶胶掺杂6～10％重量百分比的所述碳纳米管。
2.一种如权利要求1所述辐射板的制备工艺，其特征在于，具体包
括以下步骤：
1)将紫铜板表面喷砂加工成粗糙表面；
2)在SiO2溶胶里掺杂6～10％的碳纳米管，混合均匀后喷涂在所述
紫铜板的粗糙表面上，至完全覆盖所述粗糙表面，厚度不低于10μm，常
温下自然干燥，作为涂层底层；
3)在SiO2-PbO溶胶中掺杂6～10％碳纳米管，混合均匀后喷涂在所
述涂层底层上，喷涂次数为5～10次，每次喷涂厚度为3～10μm；
4)在常温下稳定24h，完成所述辐射板制备。
3.一种包括权利要求1所述的辐射板的红外标准辐射装置，其特征
在于，包括升温系统和控温系统，其中所述升温系统周围设置有外壳，
所述升温系统包括：加热片、安装在所述加热片两侧的热沉板和辐射板，
其中所述辐射板上安装有温度传感器，实时感应所述辐射板的温度，在
所述辐射板对面位置的外壳上开设有与所述辐射板同中心线的孔，所述
辐射板喷涂涂层的一侧朝向所述孔，所述辐射板通过所述孔向外辐射红
外波段的能量；
控温系统分别与所述温度传感器和所述加热片连接，形成控温回路，
实现对所述辐射板温度的调控，并将所述辐射板的温度稳定在装置设定
温度。
4.根据权利要求3所述的辐射装置，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋春晖，杨旺林，
申请(专利权)人：北京振兴计量测试研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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