基板处理装置制造方法及图纸

根据本发明专利技术的一实施例，基板处理装置包括：腔本体，该腔本体的上部和下部开放，并通过形成于一侧的通道运送基板；内部反应管，该内部反应管具有下部开放的形状，并设置在上述腔本体的上部而提供对上述基板实施工序的工序空间；基板支架，配置在上述腔的开放的下部，可以将通过上述通道运送的上述基板转换到沿着上下方向装载的装载位置、及朝向上述工序空间上升而对被装载的上述基板实施工序的工序位置；遮断板，连接在上述基板支架的下部而与上述基板支架一起升降，在上述工序位置封闭上述内部反应管的开放的下部；连接气缸，竖立设置在上述遮断板的下部而与上述遮断板一起升降；及遮断部件，被连接在上述腔本体的开放的下部表面和上述连接气缸之间，将开放的上述腔本体的下部与外部隔离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及基板处理装置，更详细地涉及批量式基板处理装置，在对基板实施工序时，利用可伸缩的遮断部件控制装载空间的体积来最小化对基板的污染，从而可以提升质量及生产率。
技术介绍
用于半导体、平板显示器及太阳能电池的制造的基板处理装置是包括用于对蒸镀在如硅晶片或玻璃那样的基板上的预定的薄膜实施结晶化、相变等工序所必须的热处理步骤的装置。作为代表性的，在制造液晶显示器或薄膜型结晶硅太阳能电池的情况下，具有将蒸镀在玻璃基板上的非晶硅结晶化为聚合硅的硅结晶装置。为了实施这种结晶工序，必须能够对形成有预定的薄膜的基板进行加热，例如，用于非晶硅的结晶化的工序温度最小需要550度至600度的温度。这种基板处理装置，包括可以对一个基板执行对基板的工序的单片式(singlewafertype)和可对多个基板执行基板处理的批量式(batchtype)。单片式具有装置结构简单的优点，但是由于生产率下降的缺点，作为最近的大量生产用途，批量式受到关注。
技术实现思路
技术课题本专利技术的目的在于，在遮断工序空间和装载空间的状态下对基板实施工序。本专利技术的其它目的在于，在基板支架的工序位置最小化装载空间的体积。本专利技术的其它目的将从下面的详细说明和附图会更加清楚。课题解决方案根据本专利技术的一实施例，基板处理装置包括：腔本体，该腔本体的上部和下部开放，并通过形成于一侧的通道运送基板；内部反应管，该内部反应管具有下部开放的形状，并设置在上述腔本体的上部而提供对上述基板实施工序的工序空间；基板支架，配置在上述腔的开放的下部，可以将通过上述通道运送的上述基板转换到沿着上下方向装载的装载位置、及朝向上述工序空间上升而对被装载的上述基板实施工序的工序位置；遮断板，连接在上述基板支架的下部而与上述基板支架一起升降，在上述工序位置封闭上述内部反应管的开放的下部；连接气缸，竖立设置在上述遮断板的下部而与上述遮断板一起升降；及遮断部件，被连接在上述腔本体的开放的下部表面和上述连接气缸之间，将开放的上述腔本体的下部与外部隔离。上述遮断部件在上述基板支架的装载位置提供与上述工序空间连通的装载空间；在上述基板支架的工序位置可以减少上述装载空间。上述遮断部件可以随着上述遮断板的升降而伸缩。上述连接气缸的下部具有朝向外侧突出的突出部，上述遮断部件可以连接在上述腔本体的被开放的下部表面和上述突出部之间。上述连接气缸可以在上述基板支架的装载位置位于上述腔本体的下部，在上述基板支架的工序位置位于上述腔本体的内部。上述基板处理装置还包括设置于上述腔本体的上部的歧管；上述内部反应管可以被上述歧管支承。上述遮断板可以在上述工序位置与上述歧管抵接配置而形成上述工序空间。上述歧管形成有：第1供给口，用于向上述工序空间供给工序气体；排气口，形成在上述工序气体供给口的相反侧而排放被供给到上述工序空间的上述工序气体；及第2供给口，形成在上述第1供给口的下部而向上述腔本体的内部供给驰放气，其中，上述第2供给口可以在上述基板支架的工序位置与上述遮断板相互并排配置。上述基板处理装置还可以包括插入到沿着上述遮断板的上表面形成的设置槽的密封部件。上述基板处理装置还可以包括形成于上述遮断板的内部并流过从外部供给的冷媒的冷却流路。上述基板处理装置还可以包括插入到沿着上述遮断板的上表面形成的设置槽的密封部件，并且上述冷却流路可以沿着上述密封部件邻接配置。上述基板处理装置还可以具备：升降轴，竖立设置在上述遮断部件的外侧；升降电机，连接在上述升降轴而绕着上述升降轴旋转；支承环，连接在上述连接气缸的下部；及托架，分别连接在上述支承环和上述升降轴，随着上述升降轴的旋转与上述支承环一起升降。专利技术效果根据本专利技术的一实施例，批量式基板处理装置中，可以在容易遮断装载空间和工序空间的状态下对基板实施工序。另外，可以在最小化装载空间的体积的状态下对基板实施工序，从而最小化对基板的污染并提升质量及生产率。附图说明图1是简要地表示根据本专利技术的一实施例的基板处理装置的图。图2及图3是表示图1所示的基板处理装置的工作过程的图。图4是放大图3的A的图。图5是表示图3所示的基板处理装置的驰放气流动状态的图。具体实施方式下面，参照图1至图5更详细地说明本专利技术的优选实施例。本专利技术的实施例可以变形成各种方式，本专利技术的范围不可解释为由下面说明的实施例限定。本实施例是为了对本专利技术所属
的普通技术人员更详细地说明本专利技术而提供的。因此，为了强调更清楚的说明，附图中出现的各要素的形状可能被夸张。另外，对于本领域的普通技术人员而言当然可以应用于除实施例中说明的基板W以外的多样的被处理体。例如，本专利技术中可处理的基板的种类不特别受限制。因此，整个半导体工序中普遍使用的玻璃、塑料、聚合物、硅晶片、不锈钢、蓝宝石等多种材质的基板可以在本专利技术的基板处理装置中处理。另外，在本专利技术中处理基板可以理解为不仅是处理基板本身，还包括对形成于基板上的预定的膜或图案等进行处理的情况。不仅如此，本专利技术的基板处理装置的用途也不特别受限制。因此，利用本专利技术的基板处理装置可以进行整个半导体工序，例如蒸镀工序、蚀刻工序、表面改质工序等。而且，以下仅对专利技术的主要构成要素进行说明，根据所使用的目的，不同的多种构成要素可以追加包括在本专利技术的基板处理装置中是显而易见的。图1是简要地表示根据本专利技术的一实施例的基板处理装置的图。如图1所示，基板处理装置100包括：上部及下部开放的形状的腔本体30；对开放的腔本体的30的上部进行封闭的腔盖5；以及可以从外部隔离所开放的腔本体30的下部的遮断部件70。通过形成于腔本体30的一侧的通道32，基板W被运送到腔本体30的内部，闸式阀(未图示)设置在通道32的外侧，因此通道32可以由闸式阀开放或封闭。另外，排气口34形成在通道的相反侧，可以通过排气口34向外部排放后述的驰放气。歧管40设置在腔本体30的上部，内部反应管10可以被歧管30支承。内部反应管10封闭腔本体30的开放的上部而提供对基板W实施工序的工序空间(图3的2)，可以具有下部开放的形状。在歧管40的内面可以分别形成第1供给口13、第2供给口14及排气口19，第1供给口13形成在第2供给口14的上部。喷嘴15与第1供给口13连接，从外部供给的工序气体通过第1供给口13供给到喷嘴15并通过喷嘴15本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其特征在于，包括：腔本体，该腔本体的上部和下部开放，并通过形成于一侧的通道运送基板；内部反应管，该内部反应管具有下部开放的形状，并设置在上述腔本体的上部而提供对上述基板实施工序的工序空间；基板支架，配置在上述腔的开放的下部，可以将通过上述通道运送的上述基板转换到沿着上下方向装载的装载位置、及朝向上述工序空间上升而对被装载的上述基板实施工序的工序位置；遮断板，连接在上述基板支架的下部而与上述基板支架一起升降，在上述工序位置封闭上述内部反应管的开放的下部；连接气缸，竖立设置在上述遮断板的下部而与上述遮断板一起升降；及遮断部件，被连接在上述腔本体的开放的下部表面和上述连接气缸之间，将开放的上述腔本体的下部与外部隔离。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.10.17 KR 10-2013-01237611.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
腔本体，该腔本体的上部和下部开放，并通过形成于一侧的通道运送基
板；
内部反应管，该内部反应管具有下部开放的形状，并设置在上述腔本体
的上部而提供对上述基板实施工序的工序空间；
基板支架，配置在上述腔的开放的下部，可以将通过上述通道运送的上
述基板转换到沿着上下方向装载的装载位置、及朝向上述工序空间上升而对
被装载的上述基板实施工序的工序位置；
遮断板，连接在上述基板支架的下部而与上述基板支架一起升降，在上
述工序位置封闭上述内部反应管的开放的下部；
连接气缸，竖立设置在上述遮断板的下部而与上述遮断板一起升降；及
遮断部件，被连接在上述腔本体的开放的下部表面和上述连接气缸之间，
将开放的上述腔本体的下部与外部隔离。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述遮断部件在上述基板支架的装载位置提供与上述工序空间连通的装
载空间；
在上述基板支架的工序位置可以减少上述装载空间。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述遮断部件能够随着上述遮断板的升降而伸缩。
4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述连接气缸的下部具有朝向外侧突出的突出部，
上述遮断部件连接在上述腔本体的被开放的下部表面和上述突出部之
间。
5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述连接气缸在上述基板支架的装载位置位于上述腔本体的下部，在上
述基板支架的工序位置位于上述腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：玄俊镇，宋炳奎，金劲勋，金龙基，申良湜，金仓乭，
申请(专利权)人：株式会社EUGENE科技，
类型：发明
国别省市：韩国;KR