本发明专利技术公开了一种通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片，包括以单晶锗为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、ZnS为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本发明专利技术所得到的通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片，其在温度测量过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光片具有以下特性：T＝50％3650±50nm、4950±50nm；3750～4850nm，Tavg≥92％；3950～4700nm，T≥90％；1500～3450nm、5200～7000nm，T≤1％。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及红外滤光片领域，尤其是一种通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片。
技术介绍
红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)是通过非接触探测红外能量(热量)，并将其转换为电信号，进而在显示器上生成热图像和温度值，并可以对温度值进行计算的一种检测设备。红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)能够将探测到的热量精确量化或测量，使您不仅能够观察热图像，还能够对发热的故障区域进行准确识别和严格分析。红外热成像仪的探测器是实现红外能量(热能)转换电信号的关键，由于各种生物所发出来的红外能量(热能)是不同的，所以在日常使用中为了观察某种特定生物的热图像，人们往往会在探测器中添加红外滤光片，通过红外滤光片可以使探测器只接受特定波段的红外能量(热能)，保证红外热成像仪的成像结果。但是，目前的红外滤光片，其信噪比低，精度差，不能满足市场发展的需要。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种测试精度高、能极大提高信噪比的通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片。为了达到上述目的，本专利技术所设计的一种通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片，包括以单晶锗为原材料的基板，以Ge、S1为第一镀膜层和以Ge、ZnS为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间，其特征是所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有380nm厚度的Ge层、250nm厚度的S1层、123nm厚度的Ge层、644nm厚度的S1层、129nm厚度的Ge层、185nm厚度的S1层、245nm厚度的Ge层、575nm厚度的S1层、140nm厚度的Ge层、157nm厚度的S1层、242nm厚度的Ge层、562nm厚度的S1层、512nm厚度的Ge层、583nm厚度的S1层、434nm厚度的Ge层、922nm厚度的S1层、346nm厚度的Ge层、1019nm厚度的S1层、345nm厚度的Ge层、1027nm厚度的S1层、383nm厚度的Ge层、495nm厚度的3;10层;所述的第二镀膜层由内向外依次排列包含有260nm厚度的Ge层、179nm厚度的ZnS层、118nm厚度的Ge层、196nm厚度的ZnS层、114nm厚度的Ge层、213nm厚度的ZnS层、91nm厚度的Ge层、302nm厚度的ZnS层、113nm厚度的Ge层、203nm厚度的ZnS层、176nm厚度的Ge层、242nm厚度的ZnS层、85nm厚度的Ge层、427nm厚度的ZnS层、115nm厚度的Ge层、226nm厚度的ZnS层、232nm厚度的Ge层、139nm厚度的ZnS层、199nm厚度的Ge层、978nm厚度的ZnS层、410nm厚度的Ge层、950nm厚度的ZnS层、590nm厚度的Ge层、975nm厚度的ZnS层、350nm厚度的Ge层、429nm厚度的ZnS层。上述各材料对应的厚度，其允许在公差范围内变化，其变化的范围属于本专利保护的范围，为等同关系。通常厚度的公差在10nm左右。本专利技术所得到的一种通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片，其在温度测量过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光片具有以下特性:丁 = 50%3650±5011111、4950±5011111;3750?485011111，丁&￥82 92%;3950?470011111，丁> 90% ;1500?3450nm、5200?7000nm，T< 1%。【附图说明】图1是实施例整体结构示意图。图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。图中:第一镀膜层1、基板2、第二镀膜层3。【具体实施方式】下面通过实施例结合附图对本专利技术作进一步的描述。实施例1。如图1、图2所示，本实施例描述的通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片，包括以单晶锗为原材料的基板2，以Ge、S1为第一镀膜层1和以Ge、ZnS为第二镀膜层3，且所述基板2设于第一镀膜层1与第二镀膜层3之间，其特征是所述第一镀膜层1由内向外依次排列包含有380nm厚度的Ge层、250nm厚度的S1层、123nm厚度的Ge层、644nm厚度的S1层、129nm厚度的Ge层、185nm厚度的S1层、245nm厚度的Ge层、575nm厚度的S1层、140nm厚度的Ge层、157nm厚度的S1层、242nm厚度的Ge层、562nm厚度的S1层、512nm厚度的Ge层、583nm厚度的S1层、434nm厚度的Ge层、922nm厚度的S1层、346nm厚度的Ge层、1019nm厚度的S1层、345nm厚度的Ge层、1027nm厚度的S1层、383nm厚度的Ge层、495nm厚度的3;10层;所述的第二镀膜层3由内向外依次排列包含有260nm厚度的Ge层、179nm厚度的ZnS层、118nm厚度的Ge层、196nm厚度的ZnS层、114nm厚度的Ge层、213nm厚度的ZnS层、9 lnm厚度的Ge层、302nm厚度的ZnS层、113nm厚度的Ge层、203nm厚度的ZnS层、176nm厚度的Ge层、242nm厚度的ZnS层、85nm厚度的Ge层、427nm厚度的ZnS层、115nm厚度的Ge层、226nm厚度的ZnS层、232nm厚度的Ge层、139nm厚度的ZnS层、199nm厚度的Ge层、978nm厚度的ZnS层、410nm厚度的Ge层、950nm厚度的ZnS层、590nm厚度的Ge层、975nm厚度的ZnS层、350nm厚度的Ge层、429nm厚度的ZnS层。【主权项】1.一种通过带为3600-4950nm的红外成像滤光片，包括以单晶锗为原材料的基板(2)，以Ge、S1为第一镀膜层(1)和以Ge、ZnS为第二镀膜层(3)，且所述基板(2)设于第一镀膜层(1)与第二镀膜层(3)之间，其特征是所述第一镀膜层(1)由内向外依次排列包含有380nm厚度的Ge层、250nm厚度的S1层、123nm厚度的Ge层、644nm厚度的S1层、129nm厚度的Ge层、185nm厚度的S1层、245nm厚度的Ge层、575nm厚度的S1层、140nm厚度的Ge层、157nm厚度的S1层、242nm厚度的Ge层、562nm厚度的S1层、512nm厚度的Ge层、583nm厚度的S1层、434nm厚度的Ge层、922nm厚度的S1层、346nm厚度的Ge层、1019nm厚度的S1层、345nm厚度的Ge层、1027nm厚度的S1层、383nm厚度的Ge层、495nm厚度的S1层;所述的第二镀膜层⑶由内向外依次排列包含有260nm厚度的Ge层、179nm厚度的ZnS层、118nm厚度的Ge层、196nm厚度的ZnS层、114nm厚度的Ge层、213nm厚度的ZnS层、91nm厚度的Ge层、302nm厚度的ZnS层、113nm厚度的Ge层、203nm厚度的ZnS层、176nm厚度的Ge层、242nm厚度的ZnS层、85nm厚度的Ge层、427nm厚度的ZnS层、115nm厚度的Ge层、226nm厚度的ZnS层、232nm厚度的Ge层、139nm厚度的ZnS层、199nm厚度的Ge层、978nm厚度的ZnS层、410nm厚度的Ge层、950nm厚度的ZnS层、590nm厚度的G本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种通过带为3600‑4950nm的红外成像滤光片，包括以单晶锗为原材料的基板(2)，以Ge、SiO为第一镀膜层(1)和以Ge、ZnS为第二镀膜层(3)，且所述基板(2)设于第一镀膜层(1)与第二镀膜层(3)之间，其特征是所述第一镀膜层(1)由内向外依次排列包含有380nm厚度的Ge层、250nm厚度的SiO层、123nm厚度的Ge层、644nm厚度的SiO层、129nm厚度的Ge层、185nm厚度的SiO层、245nm厚度的Ge层、575nm厚度的SiO层、140nm厚度的Ge层、157nm厚度的SiO层、242nm厚度的Ge层、562nm厚度的SiO层、512nm厚度的Ge层、583nm厚度的SiO层、434nm厚度的Ge层、922nm厚度的SiO层、346nm厚度的Ge层、1019nm厚度的SiO层、345nm厚度的Ge层、1027nm厚度的SiO层、383nm厚度的Ge层、495nm厚度的SiO层；所述的第二镀膜层(3)由内向外依次排列包含有260nm厚度的Ge层、179nm厚度的ZnS层、118nm厚度的Ge层、196nm厚度的ZnS层、114nm厚度的Ge层、213nm厚度的ZnS层、91nm厚度的Ge层、302nm厚度的ZnS层、113nm厚度的Ge层、203nm厚度的ZnS层、176nm厚度的Ge层、242nm厚度的ZnS层、85nm厚度的Ge层、427nm厚度的ZnS层、115nm厚度的Ge层、226nm厚度的ZnS层、232nm厚度的Ge层、139nm厚度的ZnS层、199nm厚度的Ge层、978nm厚度的ZnS层、410nm厚度的Ge层、950nm厚度的ZnS层、590nm厚度的Ge层、975nm厚度的ZnS层、350nm厚度的Ge层、429nm厚度的ZnS层。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王继平，吕晶，胡伟琴，
申请(专利权)人：杭州麦乐克电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。