挠性电路板制造技术

本实用新型专利技术提供了一种挠性电路板。该挠性电路板包括有一聚酰亚胺层，其具有一第一表面及一二表面；一基底层，其可剥离地附着在该聚酰亚胺层的第一表面，且包括构成该基底层主结构的聚酰亚胺；及一金属层，其形成于该聚酰亚胺板体的第二表面，最后，将该基底层可自该聚酰亚胺层剥离。

【技术实现步骤摘要】

本技术是关于一种挠性电路板，尤其是超薄挠性电路板。
技术介绍
在印刷电路板中，为了保护金属线路，通常会于其上设置聚酰亚胺保护层(coverlay)。随着技术发展及产品需求，印刷电路板的尺寸趋向轻、薄、及多功能化，降低印刷电路板的整体厚度也为业界重要发展目标，其中，聚酰亚胺保护层的薄化已成为印刷电路板整体设计的重要指标之一。再者，一般印刷电路板的制作于聚酰亚胺薄膜上形成电路，而若聚酰亚胺薄膜的厚度过于轻薄时(厚度低于6微米以下)，在现有技术的工艺能力上并无法达成，以至于印刷电路板的轻薄度受到限制。然而，受限于现有聚酰亚胺膜的工艺能力，超薄聚酰亚胺膜确实有开发上的难度。已知目前市售最薄聚酰亚胺膜的厚度可低于10微米；然而，欲以现有的双轴延伸技术制备低于5微米以下的聚酰亚胺膜，几乎是不可能达到的目标。并且，也必须考虑下游应用时的布胶操作性的问题，而此种超薄聚酰亚胺膜出微米以下)作为电路板使用时，超薄的聚酰亚胺膜出微米以下)在现有工艺能力下并无法制作电路，以至于超薄的聚酰亚胺膜无法作为电路板的使用，使电路板无法达到更为轻薄短小的诉求。据此，本技术是针对超薄的聚酰亚胺膜进行研发，及可使其应用于印刷电路板时，电路可形成于其上，而成为超薄印刷电路板。
技术实现思路
本技术提供一种挠性电路板，包括:一聚酰亚胺层，其具有一第一表面及一第二表面；一基底层，其可剥离地附着于该聚酰亚胺层的第一表面，且包括构成该基底层主结构的聚酰亚胺；及一金属层，其形成该聚酰亚胺层的第二表面；将该基底层自该聚酰亚胺板体剥离，而成为超薄印刷电路板。优选地，本技术挠性电路板中，该基底层或该聚酰亚胺层具有一小于35dyne/cc的低表面能。优选地，本技术挠性电路板中，该基底层与该聚酰亚胺层具有小于0.15kgf/cm的剥离强度。优选地，本技术挠性电路板中，该基底层或该聚酰亚胺层具有一表面能小于35dyne/cc的含氟高分子，该含氟高分子具有20微米以下的平均粒径。优选地，本技术挠性电路板中，该含氟的高分子选自由聚氟乙烯(PVF)、全氟亚乙烯基(PVDF)聚合物、聚四氟乙烯(PTFE)、聚全氟乙丙烯(FEP)、全氟聚醚(PEPE)、全氟磺酸(PFSA)聚合物、全氟烷氧基(PFA)聚合物、三氟氯乙烯(CTFE)聚合物、及乙烯-三氟氯乙烯(ECTFE)聚合物所成群组的一种或多种。优选地，本技术挠性电路板中，以该基底层的总重量为基础，该含氟的高分子为 45wt % 至 60wt %。优选地，本技术挠性电路板中，该基底层或聚酰亚胺层包含有C-F键或硅氧烷。本技术还提供一种挠性电路板，包括:一聚酰亚胺层，其具有一第一表面及依第二表面；一基底层，其可剥离地附着于该聚酰亚胺层的第一表面，且包括构成该基底层主结构的聚酰亚胺；一金属层，其形成该聚酰亚胺层的第二表面；一保护层，其包括一聚酰亚胺层及一基底层可剥离地附着于该聚酰亚胺层，该聚酰亚胺层覆盖于该具有金属层的聚酰亚胺层上；将基底层可自该聚酰亚胺层上剥离，而成为超薄印刷电路板。优选地，本技术挠性电路板中，该基底层或该聚酰亚胺层具有一小于35dyne/cc的低表面能。优选地，本技术挠性电路板中，该基底层与该聚酰亚胺层具有小于0.15kgf/cm的剥离强度。优选地，本技术挠性电路板中，该基底层或聚酰亚胺层包括有一表面能小于35dyne/cc的含氟高分子，该含氟高分子具有20微米以下的平均粒径。优选地，本技术挠性电路板中，该基底层或聚酰亚胺层包含有C-F键或硅氧烷。【附图说明】图1为本技术的挠性电路板的制造第一示意图。图2为图1的挠性电路板的示意图。图3为本技术的挠性电路板的制造第二示意图。图4为图3的挠性电路板的示意图。【符号说明】10 基底层12 聚酰亚胺层14 低表面能的高分子16 第一表面18 第二表面20 聚酰亚胺22 金属层24 保护层26 胶体【具体实施方式】在一实施例中，请参阅图1，本技术的挠性电路板，包括一基底层10及聚酰亚胺层12，基底层10可剥离地附着于聚酰亚胺层12上，本实施例中，一低表面能的高分子14可分布于基底层10或聚酰亚胺层12中，使基底层10可自聚酰亚胺层12剥离，聚酰亚胺板体12设有第一表面16及一第二表面18，基底层10的表面为直接接触并相附着第一表面16上。本实施例中基底层10包括:构成该层主结构的聚酰亚胺20及低表面能的含氟高分子，且低表面能的含氟高分子可呈颗粒状并分布于基底层10中，其表面能低于35dyne/Cm。另一实施例中，基底层10或聚酰亚胺层12也可为硅氧烷，即硅氧烷高分子与聚酰亚胺聚合反应，而使聚酰亚胺层12或基底层10含有硅氧烷，以降低聚酰亚胺层12或基底层10其中之一的其表面能至35dyne/cm以下，使基底层10与聚酰亚胺层12可剥离。聚酰亚胺层12具有6微米以下的厚度，优选为5微米以下，例如:0.1至5微米。在实施例中，聚酰亚胺层2的厚度可为0.1、1、2、2.5、3、4、4.5微米、或前述任两点间的数值。基底层10的厚度并未特别限制，可采用现有基底层的厚度。在部分实施例中，基底层10的厚度为5至10微米。在部分实施例中，基底层10的厚度可为10微米以上。在实施例中，分布于基底层10中的含氟的高分子可为，举例但非限定，氟经类(fluorocarbons)。具体而言，含氟的高分子例如包括氟化聚稀(fluorinated polyalkene)、具有氟取代基的聚烧、具有氟取代基的聚烧氧、氯氟经(chlorofluorocarbons)等。在部分实施例中，含氟的高分子为聚氟乙稀(polyvinylf luoride (PVF))、全氟亚乙稀基(polyfluorinated vinylidene (PVDF))的聚合物、聚四氟乙稀(polytetrafluoroethylene(PTFE))、聚全氣乙丙稀(polyfluorinatedethylene propylene (FEP))、全氣聚酿(perfluoropolyether (PEPE))、全氣横酸(PFSA)聚合物、全氟烧氧基(perfluoroalkoxy(PFA))的聚合物、三氟氯乙稀(chlorotrif luoroethylene (CTFE))的聚合物、及乙稀-三氟氯乙稀(ethylenechlorotrifuloroethylene (ECTFE))的聚合物等，可单独使用或组合使用。在实施例中，以基底层10的总重量为基础，含氟的高分子比例为45被％至60wt%,例如:46、48、50、55、58wt%，或前述任两点之间的值。在部分实施例中，含氟的高分子的比例可为45至55wt%。在另一部分实施例中，含氟的高分子的比例可为55至60wt %。在另一部分实施例中，含氟的高分子的比例可为47至57wt%。所采用的含氟的高分子可为粉状，含氟的高分子具有20微米(μπι)以下的平均粒径，例如，0.5 μm、1 μm、2.5 μm、5 μm、7.5 μm、10 μm、12.5 μm、15 μm、17.5 μm、19 μm、20 μπκ或前述任两点之间的值。在实施例中，含氟的高分子的平均粒径为约5至15 μπι。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种挠性电路板，其特征在于，包括：一聚酰亚胺层，其具有一第一表面及一第二表面；一基底层，其可剥离地附着在该聚酰亚胺层的第一表面，且包括构成该基底层主结构的聚酰亚胺；及一金属层，其形成于该聚酰亚胺层的第二表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴声昌，赖俊廷，黄彦博，黄盛裕，
申请(专利权)人：达迈科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71