靶材加工设备以及加工方法技术

本发明专利技术提供一种靶材加工设备以及加工方法，其中加工设备包括：铣切设备，用于铣切靶材表面以形成所述密封槽，所述铣切设备包括具有回转中心轴的铣刀，所述铣刀能够绕所述回转中心轴自转，并沿预设轨迹移动；所述铣刀包括体部以及设于所述体部一端用于铣切靶材的铣切部。所述加工方法包括：提供待加工靶材；提供铣切设备，以在所述待加工靶材表面形成密封槽。本发明专利技术的有益效果在于：可以形成任何形状的密封槽，具有较强的灵活性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种。
技术介绍
目前，在半导体结构表面形成电极膜通常采用溅射沉积的方法。溅射沉积(Sputtering Deposit1n, SD)是物理气相沉积(Physical Vapor Deposit1n, PVD)中的一种。在溅射沉积过程中要用到靶材，所述靶材在溅射过程中被高能量粒子轰击，靶材的原子或分子离开固体进入气体，并沉淀积累在待沉积的基底表面上形成薄膜。为了最大限度地减少溅射过程中的杂质干扰，保证沉积薄膜的质量，一般在溅射时将所述靶材所在的溅射沉积室进行抽真空，并在溅射过程中不断地向沉积室内通入惰性气体(如氩气)；利用惰性气体离子轰击靶材并产生辉光放电现象。为了实现真空，一般需要在靶材表面的非溅射区域形成密封槽，并在密封槽内设置密封圈，靶材安置在溅射设备中时，密封槽以及密封圈与溅射设备配合以形成一个密闭的用于抽真空的腔室。但是，现有的在靶材表面形成密封槽的工艺仍不够理想。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种，以较灵活地在任意形状的靶材表面形成密封槽。为解决上述问题，本专利技术提供一种靶材加工设备，用于在靶材表面形成密封槽，包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种靶材加工设备，用于在靶材表面形成密封槽，其特征在于，包括：铣切设备，用于铣切靶材表面以形成所述密封槽；所述铣切设备包括具有回转中心轴的铣刀，所述铣刀能够绕所述回转中心轴自转，并沿预设轨迹移动；所述铣刀包括体部以及设于所述体部一端用于铣切靶材的铣切部。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，相原俊夫，大岩一彦，王学泽，周建军，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33