一种大功率LED光源制造技术

本实用新型专利技术提供一种大功率LED光源，所述LED光源包括基板、若干个LED晶片；所述基板的表面自下而上覆有绝缘层、金属层；所述金属层上设有电路、正极、负极；所述基板上还包括LED晶片固晶块；所述电路处于固晶块内；所述若干个LED晶片固定在所述基板上并与所述电路进行电性连接；所述电路与所述正极、负极进行电性连接；所述LED晶片的底部设有合金层；所述合金层熔融于所述基板上；所述合金层为金-锡合金层。与现有技术相比，氮化铝陶瓷基板与金-锡合金层共晶焊接后产生的共晶层，该共晶层导热系数高，热稳定性好，在固晶的同时，满足了大功率LED芯片的散热需求。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及照明
，具体来说是一种大功率LED光源。
技术介绍
与传统光源一样，半导体发光二极体(LED)在工作期间也会产生热量，其多少取决于整体的发光效率。其电光转换效率大约只有20?30%左右，也就是说大约70%的电能都变成了热能。然而，LED芯片的特点是在极小的体积内产生极高的热量，而LED本身的热容量很小，所以，必须以最快的速度把这些热量传导出去，否则就会产生很高的结温，为了尽可能的把热量引出到芯片外，人们在LED的芯片结构上进行了很多改进。为了改善LED芯片本身的散热，其最主要的改进就是采用导热系数高的衬底材料。对于一些大功率的LED，一般采用共晶焊接技术固晶。所以，共晶层的导热系数直接影响芯片的散热情况。所以，各大LED生产商，都在不断研究如何提高合金层的导热系数。在兼顾成本与产品质量的情况下，一种经济有效的衬底是各大LED生产厂家迫切需要的。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中共晶层导热系数不高的缺陷，提供一种大功率LED光源来解决上述问题。本技术是通过以下技术方案来实现上述技术目的:—种大功率LED光源，所述LED光源包括基板、若干个LED晶片；所述基板上设有电路、正极、负极；所述基板上还包括LED晶片固晶块；所述电路处于固晶块内；所述若干个LED晶片固定在所述基板上并与所述电路进行电性连接；所述电路与所述正极、负极进行电性连接；所述LED晶片的底部设有合金层；所述合金层熔融于所述基板上。优选的，所述固晶块内对称设有两组串联电路，所述两组串联电路并联。优选的，所述若干个LED晶片分为两组，每组LED晶片通过一组串联电路串联在一起。优选的，所述每组串联电路上串联12个LED晶片。 优选的，所述金-锡合金层中的金与锡的质量比为7:3。优选的，所述基板为氮化铝基板；所述绝缘层为陶瓷绝缘层。优选的，通过共晶焊接技术将所述金-锡合金层、串联电路、氮化铝陶瓷基板溶合形成共晶层。优选的，所述共晶焊接的焊接温度为280°。优选的，所述LED晶片还包括发光层；所述发光层处于所述金-锡合金层的上部；所述发光层的上部覆有荧光层。优选的，所述固晶去周围还设有围堰；所述围堰为八卦图形；所述八卦图形的围堰将两组LED芯片分成两部分；所述围堰高度为0.5mm ;所述围堰是使用围堰胶制成的围堰。本技术与现有技术相比，具有以下优点:氮化铝陶瓷基板与金-锡合金层共晶焊接后产生的共晶层，尤其是金锡比为7:3时，生成的共晶层导热系数高，热稳定性好，在固晶的同时，满足了大功率LED芯片的散热需求。本技术提供的大功率LED光源采用了八卦图式电路分布，结构紧凑，在围堰3的配合下，光源的发光块域集中，光效好。【附图说明】图1为本技术一种大功率LED光源的俯视图；图2为图1的结构尺寸示意图。【具体实施方式】为使对本技术的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，用以较佳的实施例及附图配合详细的说明，说明如下:如图1所示，一种大功率LED光源，LED光源包括基板1、若干个LED晶片2 ;基板1的表面自下而上设有绝缘层11、金属层12。上设有电路121、正极122、负极123 ;若干个LED晶片2固定在基板1上并与电路11进行电性连接。电路121与正极122、正极123进行电性连接。LED晶片2的底部设有合金层；合金层熔融于基板1上。本技术提供的合金层为金-锡合金层。本技术提供的基板1为氮化铝陶瓷基板1。当金-锡合金层中的金与锡的质量比为7:3时，通过共晶焊接技术将金-锡合金层、串联电路121、氮化铝陶瓷基板1溶合形成共晶层，共晶焊接的焊接温度为280°。如此形成的共晶层，导热系数高，稳定性好。本技术提供的光源，其基板1为圆形，圆形基板1，圆形基板1上沿固晶块四周设有高度为0.5_的围堰3，围堰3为八卦图状；正、负极分别设置在八卦图的两端。基座1上设有两组串联电路121，两组串联电路121分别布置在八卦图围堰3的两部分内，且每组串联电路121都与正、负极进行电性连接。两组串联电路121并联，每组串联电路121上串联了 12个LED晶片，两组总共24个LED晶片，即本技术提供的电路为12串2并的八卦阵式的电路。如图2所示，本技术提供的氮化铝基板为边长24_的正方形，围堰3的内圈直径为20mm。本技术提供的这种大功率LED光源采用了八卦图式电路分布，结构紧凑，在围堰3的配合下，光源的发光块域集中，光效好。当然，金-锡合金层的上部少不了发光层，为了达到某种颜色的光效，可在发光层的上部覆有不同颜色的荧光层(图中未示出)。以上显示和描述了本技术的基本原理、主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术的范围内。本技术要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。【主权项】1.一种大功率LED光源，其特征在于:所述LED光源包括基板、若干个LED晶片；所述基板的表面自下而上覆有绝缘层、金属层；所述金属层上设有电路、正极、负极；所述基板上还包括LED晶片固晶块；所述电路处于固晶块内；所述若干个LED晶片固定在所述基板上并与所述电路进行电性连接；所述电路与所述正极、负极进行电性连接；所述LED晶片的底部设有合金层；所述合金层熔融于所述基板上；所述合金层为金-锡合金层。2.根据权利要求1所述的一种大功率LED光源，其特征在于:所述固晶块内对称设有两组串联电路，所述两组串联电路并联。3.根据权利要求2所述的一种大功率LED光源，其特征在于:所述若干个LED晶片分为两组，每组LED晶片通过一组串联电路串联在一起。4.根据权利要求3所述的一种大功率LED光源，其特征在于:所述每组串联电路上串联12个LED晶片。5.根据权利要求1所述的一种大功率LED光源，其特征在于:所述基板为氮化铝基板；所述绝缘层为陶瓷绝缘层。6.根据权利要求1所述的一种大功率LED光源，其特征在于:所述LED晶片还包括发光层；所述发光层处于所述金-锡合金层的上部。7.根据权利要求6所述的一种大功率LED光源，其特征在于:所述发光层的上部覆有焚光层。8.根据权利要求1所述的一种大功率LED光源，其特征在于:所述固晶去周围还设有围堰；所述围堰为八卦图形；所述八卦图形的围堰将两组LED芯片分成两部分。9.根据权利要求8所述的一种大功率LED光源，其特征在于:所述围堰高度为0.5mm。10.根据权利要求8所述的一种大功率LED光源，其特征在于:所述围堰是使用围堰胶制成的围堰。【专利摘要】本技术提供一种大功率LED光源，所述LED光源包括基板、若干个LED晶片；所述基板的表面自下而上覆有绝缘层、金属层；所述金属层上设有电路、正极、负极；所述基板上还包括LED晶片固晶块；所述电路处于固晶块内；所述若干个LED晶片固定在所述基板上并与所述电路进行电性连接；所述电路与所述正极、负极进行电性连接；所述LED晶片的底部设有合金层；所述合金层熔融于所述基板上；所述合金层为金-锡合金层。与现有技术相比，氮化铝陶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率LED光源，其特征在于：所述LED光源包括基板、若干个LED晶片；所述基板的表面自下而上覆有绝缘层、金属层；所述金属层上设有电路、正极、负极；所述基板上还包括LED晶片固晶块；所述电路处于固晶块内；所述若干个LED晶片固定在所述基板上并与所述电路进行电性连接；所述电路与所述正极、负极进行电性连接；所述LED晶片的底部设有合金层；所述合金层熔融于所述基板上；所述合金层为金‑锡合金层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：江向东，江浩澜，陈柏尧，吴小军，汪春涛，
申请(专利权)人：安徽湛蓝光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34