一种LED光源制造技术

本实用新型专利技术提供一种LED光源，所述LED光源包括基板以及固定在所述基板上的LED晶片；所述基板为氮化铝陶瓷基板；所述LED晶片的底部覆有合金层，所述合金层为金-锡合金层；所述金-锡合金层分为正、负极两部分；所述氮化铝陶瓷基板上设有电路；所述金-锡合金层与所述电路进行电性连接。与现有技术相比，氮化铝陶瓷基板与金-锡合金层共晶焊接后产生的共晶层，该共晶层导热系数高，热稳定性好，在固晶的同时，满足了大功率LED芯片的散热需求。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及照明
，具体来说是一种LED光源。
技术介绍
与传统光源一样，半导体发光二极体(LED)在工作期间也会产生热量，其多少取决于整体的发光效率。其电光转换效率大约只有20?30%左右，也就是说大约70%的电能都变成了热能。然而，LED芯片的特点是在极小的体积内产生极高的热量，而LED本身的热容量很小，所以，必须以最快的速度把这些热量传导出去，否则就会产生很高的结温，为了尽可能的把热量引出到芯片外，人们在LED的芯片结构上进行了很多改进。为了改善LED芯片本身的散热，其最主要的改进就是采用导热系数高的衬底材料。对于一些大功率的LED，一般采用共晶焊接技术固晶。所以，共晶层的导热系数直接影响芯片的散热情况。所以，各大LED生产商，都在不断研究如何提高合金层的导热系数。在兼顾成本与产品质量的情况下，一种经济有效的衬底是各大LED生产厂家迫切需要的。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中共晶层导热系数不高的缺陷，提供一种LED光源来解决上述问题。本技术是通过以下技术方案来实现上述技术目的:—种LED光源，所述LED光源包括基板以及固定在所述基板上的LED晶片；所述基板为氮化铝陶瓷基板；所述LED晶片的底部覆有合金层，所述合金层为金-锡合金层；所述金-锡合金层中的金锡比重为7:3 ;所述金-锡合金层分为正、负极两部分；所述氮化铝陶瓷基板上设有电路；所述金-锡合金层与所述电路进行电性连接。优选的，所述LED晶片通过共晶焊接与所述氮化铝陶瓷基板溶合形成共晶层。优选的，所述共晶焊接的焊接温度为280°。优选的，所述LED晶片还包括发光层；所述发光层处于所述金-锡合金层的上部。优选的，所述发光层的上部覆有荧光层。本技术与现有技术相比，具有以下优点:氮化铝陶瓷基板与金-锡合金层共晶焊接后产生的共晶层，该共晶层导热系数高，热稳定性好，在固晶的同时，满足了大功率LED芯片的散热需求。【附图说明】图1为本技术一种LED光源的结构示意图。【具体实施方式】为使对本技术的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，用以较佳的实施例及附图配合详细的说明，说明如下:如图1所示，一种LED光源，LED光源包括基板1以及固定在基板1上的LED晶片2 ;基板1为氮化铝陶瓷基板；LED晶片2自下向上依次包括合金层21、发光层22和荧光层23。合金层21为金-锡合金层。本技术听过的金-锡合金层中的金锡比重为7:3。金-锡合金层分为正极211、负极212两部分，氮化铝陶瓷基板1上设有电路(图中未示出)。通过共晶焊接技术，焊接温度为280°，将金-锡合金层21、电路以及氮化铝陶瓷基板1进行电性连接并将LED晶片2固定在氮化铝陶瓷基板1上。共晶焊接后形成共晶层，该共晶层导热系数高，热稳定性好。当然，为了达到某种颜色的光效，可在发光层22的上部覆有不同颜色的荧光层23ο以上显示和描述了本技术的基本原理、主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术的范围内。本技术要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。【主权项】1.一种LED光源，其特征在于:所述LED光源包括基板以及固定在所述基板上的LED晶片；所述基板为氮化铝陶瓷基板；所述LED晶片的底部覆有合金层，所述合金层为金-锡合金层；所述金-锡合金层分为正、负极两部分；所述氮化铝陶瓷基板上设有电路；所述金-锡合金层与所述电路进行电性连接。2.根据权利要求1所述的一种LED光源，其特征在于:所述LED晶片还包括发光层；所述发光层处于所述金-锡合金层的上部。3.根据权利要求2所述的一种LED光源，其特征在于:所述发光层的上部覆有荧光层。【专利摘要】本技术提供一种LED光源，所述LED光源包括基板以及固定在所述基板上的LED晶片；所述基板为氮化铝陶瓷基板；所述LED晶片的底部覆有合金层，所述合金层为金-锡合金层；所述金-锡合金层分为正、负极两部分；所述氮化铝陶瓷基板上设有电路；所述金-锡合金层与所述电路进行电性连接。与现有技术相比，氮化铝陶瓷基板与金-锡合金层共晶焊接后产生的共晶层，该共晶层导热系数高，热稳定性好，在固晶的同时，满足了大功率LED芯片的散热需求。【IPC分类】H01L33/62, H01L33/46, H01L33/64【公开号】CN205092269【申请号】CN201520883604【专利技术人】江向东, 江浩澜, 陈柏尧, 吴小军, 汪春涛 【申请人】安徽湛蓝光电科技有限公司【公开日】2016年3月16日【申请日】2015年11月4日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED光源，其特征在于：所述LED光源包括基板以及固定在所述基板上的LED晶片；所述基板为氮化铝陶瓷基板；所述LED晶片的底部覆有合金层，所述合金层为金‑锡合金层；所述金‑锡合金层分为正、负极两部分；所述氮化铝陶瓷基板上设有电路；所述金‑锡合金层与所述电路进行电性连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：江向东，江浩澜，陈柏尧，吴小军，汪春涛，
申请(专利权)人：安徽湛蓝光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34