本发明专利技术提供了一种成像装置，包含多个光电转换元件形成在基底上位于主动区内，微透镜结构设置在光电转换元件之上，具有多个突起物元件的虚设图案设置在基底之上，位于围绕主动区的周边区内，护膜顺应性地形成在微透镜结构和虚设图案上，其中在虚设图案的突起物元件顶端上的护膜的表面面积小于在微透镜结构以外的周边区的表面面积。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于成像装置，特别有关于具有虚设图案来避免护膜剥离的成像装置。
技术介绍
近年来，影像传感器已经广泛地在各种影像拍摄设备，例如数字摄影机、数字相机等类似的设备中使用，固态成像装置例如电荷稱合元件(charge coupled device ;CCD)影像传感器，或者互补式金属氧化半导体(complementary metal oxide semiconductor ；CMOS)影像传感器通常具有光电转换元件，例如光电二极管，经由光电转换元件可将光线转换成电子电荷，光电二极管通常形成在半导体基底例如娃芯片上，并且相应于光电二极管中所产生的光电子的信号电荷可以经由CCD型或CMOS型的读取电路得到。在固态成像装置中，光电二极管通常排列成像素阵列，此外，固态成像装置还具有微透镜阵列设置在光电二极管之上，微透镜阵列的每一个微透镜元件的位置对准每一个像素中相应的光电二极管，在微透镜阵列上可形成护膜，藉由护膜在后续的制程步骤中保护微透镜阵列，例如在成像装置的封装制程中，当从晶圆切割分离出个别的芯片时，经由护膜保护微透镜阵列。
技术实现思路
在一些成像装置中，于微透镜结构上通常会形成护膜(passivat1n film)作为保护微透镜结构之用，当成像装置的基底需经由研磨制程而薄化时，通常会在护膜上贴附胶带来保护成像装置，在基底薄化之后，会将胶带从成像装置上移除。然而，撕除胶带的动作会造成护膜剥离，而护膜的剥离会导致成像装置的封装良率降低。依据本专利技术的实施例，在成像装置中的各种虚设图案的结构设计可以降低胶带与沉积在虚设图案上的护膜之间的接触面积，因此，当胶带被移除时，可藉由本专利技术的虚设图案的结构设计来克服护膜被剥离的问题。在一些实施例中，提供成像装置，此成像装置包含:多个光电转换元件形成在基底上且位于主动区内；微透镜结构设置在这些光电转换元件之上；虚设图案设置在基底之上，且位于围绕主动区的周边区内；以及护膜顺应性地形成在微透镜结构和虚设图案上，其中形成在虚设图案顶端上的护膜的表面面积小于在微透镜结构以外的周边区的表面面积。在一些实施例中，虚设图案包含多个突起物元件，每一个突起物元件的形状包含凸面状、圆柱状、角柱状、圆锥状或角锥状。在一些实施例中，虚设图案由多个凸面状的突起物元件组成，此凸面状突起物元件的形状与微透镜结构的每一个微透镜元件的形状相同。此外，这些凸面状突起物元件的顶端与微透镜结构的顶端齐平。在一些实施例中，虚设图案的顶端低于或高于微透镜结构的顶端。在一些实施例中，在虚设图案顶端上的护膜与覆盖在微透镜结构和虚设图案上的胶带接触。在一些实施例中，在虚设图案顶端上的护膜的表面面积是在微透镜结构以外的周边区的表面面积的50% -80%。 在一些实施例中，成像装置更包括彩色滤光片层设置在微透镜结构与这些光电转换元件之间，此彩色滤光片层包含延伸部分设置在周边区内，虚设图案设置在彩色滤光片层的延伸部分上方。在一些实施例中，微透镜结构具有一部分从主动区延伸至周边区，并且微透镜结构的此部分与虚设图案连接。在一些实施例中，微透镜结构被虚设图案围绕。在一些实施例中，虚设图案规则地排列在周边区内，周边区完全被虚设图案占据。在一些其他实施例中，虚设图案不规则地排列在周边区内，并且周边区的一部分没有被虚设图案占据。在一些实施例中，虚设图案的材料与微透镜结构的材料相同。在一些实施例中，护膜的材料包含藉由化学气相沉积形成的氧化硅。【附图说明】为了让本专利技术的各种实施例的目的、特征、及优点能更明显易懂，以下配合所附附图作详细说明如下:图1A显示不具有虚设图案的成像装置，以及胶带贴附在成像装置上的局部剖面不意图；图1B显示胶带从图1A的成像装置上移除后的局部剖面示意图；图2显示依据本专利技术的一些实施例，具有虚设图案的成像装置，以及胶带贴附在成像装置上的局部剖面示意图；图3显示依据本专利技术的一些实施例，成像装置的平面示意图；图4显示依据本专利技术的一些其他实施例，具有虚设图案的成像装置，以及胶带贴附在成像装置上的局部剖面示意图；以及图5显示依据本专利技术的一些其他实施例，具有虚设图案的成像装置，以及胶带贴附在成像装置上的局部剖面示意图。其中，附图标记说明如下:10、20?成像装置；100 ?基底；102?光电转换元件；104?分隔物材料层；104P?分隔物；104E?分隔物材料层的一部分；106?平坦层；108?彩色滤光片层； 108R、108G、108B?彩色滤光片部件；108E?延伸部分；110?微透镜材料层；110M?微透镜元件；112 ?护膜；112P?护膜的一部分；114?突起物元件；120 ?胶带；ML?微透镜结构；DP?虚设图案；A?主动区；B?周边区。【具体实施方式】参阅图1A，其显示不具有虚设图案的成像装置10，以及胶带120贴附在成像装置10上的局部剖面示意图。成像装置10具有主动区A和周边区B，多个光电转换元件102例如光电二极管形成在基底100上且位于主动区A内。此外，由多个微透镜元件110M所组成的微透镜结构设置在光电转换元件102上方且位于主动区A内，微透镜结构由微透镜材料层110制成，并且微透镜材料层110还延伸至周边区B的部分区域内。此外，护膜112顺应性地形成在微透镜元件110M上，以及位于周边区B内的微透镜材料层110上。在此例子中，于周边区B内并未设置虚设图案，当胶带120在基底100的薄化制程中贴附在成像装置10上时，在胶带120与周边区B内的微透镜材料层110上的护膜112之间的接触面积几乎等于周边区B的表面面积。因此，当胶带120在基底100薄化之后从成像装置10上撕除时，如图1B所示，护膜112的一部分112P会随着胶带120的撕除而被剥离，此部分112P原本是沉积在周边区B内的微透镜材料层110上，护膜的剥离会导致成像装置10的封装良率降低。接着,参阅图2,其显示依据本专利技术的一些实施例,具有虚设图案(dummy pattern)DP的成像装置20的局部剖面示意图。在图2中，胶带120贴附于成像装置20上，成像装置20具有主动区A和周边区B。同时，参阅图3，其显示依据本专利技术的一些实施例，成像装置20的平面示意图，如图3所示，主动区A被周边区B围绕，图2为沿着图3的剖面线C-C’，成像装置20的局部剖面示意图。如图2所示，成像装置20包含多个光电转换元件102，例如光电二极管，形成在基底100例如半导体基底的正面上，基底100的厚度可藉由背面研磨制程而薄化，基底100可以是晶圆，或者是从晶圆分割而成的芯片。光电转换元件102设置在主动区A内，每一个光电转换元件102对应于成像装置20的每一个像素。此外，多个分隔物104P形成在基底100的正面上，分隔物104P将这些光电转换元件102互相隔开，每一个分隔物104P设置在两个相邻的光电转换元件102之间并位于主动区A内，成像装置20的每一个像素的区域可藉由分隔物104P而定义。分隔物104P是由分隔物材料层104例如金属层形成，可经由当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种成像装置，其特征在于，包括：多个光电转换元件，形成在一基底上，且位于一主动区内；一微透镜结构，设置在所述多个光电转换元件之上；一虚设图案，设置在该基底之上，且位于围绕该主动区的一周边区内；以及一护膜，顺应性地形成在该微透镜结构和该虚设图案上，其中在该虚设图案顶端上的该护膜的一表面面积小于在该微透镜结构以外的该周边区的一表面面积。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：林和泰，
申请(专利权)人：采钰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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