【技术实现步骤摘要】
【专利说明】CD-SEM装置的校正方法、应用CD-SEM装置的方法及CD-SEM装置
本申请涉及半导体集成电路检测领域，具体而言，涉及一种CD-SEM装置的校正方法、应用⑶-SEM装置的方法及⑶-SEM装置。
技术介绍
特征尺寸(CD)通常指集成电路中半导体器件的最小尺寸，如M0S管的栅长等。特征尺寸是衡量集成电路设计和制作水平的重要尺寸，其精确程度直接影响半导体器件的电学等性能。在半导体器件的制作过程中，需要采用特征尺寸测量仪器进行测量，并进行严格控制，以确保后续工艺的顺利进行。目前，常用的特征尺寸测量仪器包括特征尺寸扫描电子显微镜(CD-SEM)、椭偏仪和原子力显微镜等。其中，CD-SEM具有测量精确高、测试速率快等优点，成为65nm及以下制程中最常用的特征尺寸测量仪器。CD-SEM是在扫描电镜(SEM)的基础上发展起来的。其中，SEM主要借助电子束在半导体器件表面上扫描，在半导体器件表面激发出次级电子，次级电子与半导体器件的表面结构有关，次级电子由探测体收集，并在那里被闪烁器转变为光信号，再经光电倍增管转变为电信号来控制荧光屏上电子束的强度，从而显示出与...
【技术保护点】
一种CD‑SEM装置的校正方法，其特征在于，所述校正方法包括：步骤S1、获取SEM图形并采用设置在所述CD‑SEM装置内部的图形特征尺寸检测单元对所述SEM图形进行在线检测，以获取所述SEM图形的第一特征尺寸T1；步骤S2、将所述SEM图形输出，采用设置在所述CD‑SEM装置外部的图形特征尺寸检测装置对所述SEM图形进行脱线检测，以获取所述SEM图形的第二特征尺寸T2；步骤S3、计算所述第一特征尺寸T1和所述第二特征尺寸T2之间的差值，获取偏差值；步骤S4、对比所述偏差值与所述SEM图形的特征尺寸的允许误差范围，如果所述偏差值超出所述SEM图形的特征尺寸的允许误差范围，则调...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：卢子轩，王跃刚，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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