【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种低杂质扩散、低位错密度的G6高纯高效坩祸的制备方法，属于多晶硅铸锭领域。
技术介绍
目前，多晶硅锭的制备方法主要是利用定向凝固炉，通过控制合适的温度和侧边保温罩的开度，来使得硅液内部形成由下往上的过冷度，最终结晶形成多晶硅块；但一般来说，由于铸锭用的一个重要辅材石英坩祸底部呈各向同性、且自身纯度较低的问题，造成在形核初期结晶晶核得不到有效控制，存在晶粒尺寸分布不均匀(从几十微米到十几厘米)、位错密度高的问题；与此同时在高温下大量的金属杂质通过热扩散进入到硅锭内部，在侧边晶砖边部区域形成较宽的杂质富集区，通常称为“黑边”，使得常规多晶硅片的光电转换效率难以得到提升，越来越难以满足客户对于高质量多晶硅片的技术需求。针对普通坩祸铸锭用坩祸底部为各向同性、铸锭初期为随机自发形核，硅锭位错密度高，光电转换效率低等问题，有研究机构和坩祸厂家提出了如在坩祸底部制备出具有一定尺寸的凹槽或均匀凸点等方法，来使坩祸底部形成各向异性的结构特征，从而使得在铸锭初期形核时可择优形核，以便达到提升光电转换效率的目的；此方法虽原理上符合形核需求，但一般使用的形核剂为...
【技术保护点】
一种低杂质扩散、低位错密度的G6高纯高效坩埚的制备方法，其特征为，其制备方法如下：（1）在石英坩埚坯料底部刷涂或喷涂一层粘结浆料，所述粘结浆料由高纯石英砂料浆和去离子水的混合而成，所述高纯石英砂料浆和去离子水的质量比为1：3~1：6，所述高纯石英砂料浆的固含量为80~85%，高纯石英砂料浆中高纯石英砂的粒度为300~400目；（2）在经步骤（1）涂好粘结浆料的石英坩埚坯料底部再铺设一层高纯球状原生硅料，作为形核源层，所述高纯球状原生硅料采用流化床法生产，纯度在6N~9N之间，粒径在50~100目之间，高纯球状原生硅料的用量在150~300g/锅之间；（3）将经步骤（2）铺好...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘明权，陈董良，王禄宝，
申请(专利权)人：镇江环太硅科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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