本实用新型专利技术公开了一种PWM驱动控制电路，包括芯片U1、电阻R1、电容C1、发光二极管LED、电感L1、二极管D1和MOS管Q1，电容C1一端分别连接电源Vin、电阻R1、二极管D1负极和发光二极管LED正极，发光二极管LED负极连接电感L1，电感L1另一端分别连接二极管D1正极、MOS管Q1的D极和电阻R7。本实用新型专利技术PWM驱动控制电路简单易用，控制方法简单，效率高，成本低；并对UC3843的外围电路进行优化设计，实现了PWM调光控制。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种控制电路，具体是一种PWM驱动控制电路。
技术介绍
20世纪90年代以来，随着氮化镓基第三代半导体的兴起，蓝色和白色发光二极管的研制成功，具有高效、节能、环保、寿命长等优点的固体光源LED发光二极管，真正点燃了绿色照明的光辉，被认为是21世纪最有价值的新光源。但是，大功率LED的电学离散性大，容易受温度的影响，发光二极管导通后，加在LED两端的电压稍有提高，就会引起流过LED的电流急剧上升，严重时会使LED长期超过额定电流工作，容易使LED的半导体芯片烧坏。要控制大功率LED的亮度，驱动器必须提供恒定的电流。大功率LED恒流驱动常用的有电阻限流、开管变换器、专用芯片等。电阻限流方式控制方法简单，但是这种方法不能解决由于供电电压波动引起的光通量输出变化问题，而且能量损耗大，效率低，不能实现节能的目的。不少半导体厂家推出了大功率LED专用驱动芯片，取得了不错的效果，但是这种芯片价格普遍比较贵。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种PWM驱动控制电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案:一种PWM驱动控制电路，包括芯片U1、电阻R1、电容C1、发光二极管LED、电感L1、二极管D1和M0S管Q1，所述电容C1 一端分别连接电源Vin、电阻R1、二极管D1负极和发光二极管LED正极，发光二极管LED负极连接电感L1，电感L1另一端分别连接二极管D1正极、M0S管Q1的D极和电阻R7，所述电阻R1另一端分别连接电阻R4、单向可控硅VS的K极、单向可控硅VS的G极和电位器RP2 —端，电位器RP2另一端分别连接电位器RP2滑片和电阻R3，电阻R3另一端分别连接电容C1另一端、单向可控硅VS的A极和芯片U1引脚5，芯片U1引脚1分别连接电容C3和电阻R5，电阻R5另一单分别连接芯片U1引脚2、电容C3另一端和电阻R4另一端，芯片U1引脚7连接接地电容C4，芯片U1引脚6连接电阻R6，电阻R6另一端分别连接电阻R11和M0S管Q1的G极，M0S管Q1的S极分别连接电阻R12、电阻R10和电容C6，电容C6另一端连接电阻R7另一端，电阻R10另一端分别连接电阻R8、电容C8、三极管Q3发射极和芯片U1引脚3，三极管Q3集电极连接电阻R16，电阻R16另一端分别连接电阻R15和三极管Q4集电极，电阻R15另一端分别连接三极管Q3基极、电阻R17和三极管Q2集电极，三极管Q2基极连接电阻R14，电阻R14另一端连接PWMD调制波，所述三极管Q2发射极分别连接电阻R17另一端、电容C9、电容C7、电阻R11另一端、电阻R12另一端、电容C8另一端和电阻R9，电阻R9另一端分别连接电容C5和三极管Q4发射极，电容C5另一端连接电阻R8另一端，电容C9另一端分别连接电阻R13、芯片U1引脚4和三极管Q4基极，芯片U1引脚8分别连接电阻R13另一端和电容C7另一端，所述芯片U1采用UC3848。作为本技术再进一步的方案:所述电源Vin电压为12V。与现有技术相比，本技术的有益效果是:本技术PWM驱动控制电路简单易用，控制方法简单，效率高，成本低；并对UC3843的外围电路进行优化设计，实现了 PWM调光控制。【附图说明】图1为PWM驱动控制电路的电路图。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，本技术实施例中，一种PWM驱动控制电路，包括芯片U1、电阻R1、电容C1、发光二极管LED、电感L1、二极管D1和M0S管Q1，电容C1 一端分别连接电源Vin、电阻R1、二极管D1负极和发光二极管LED正极，发光二极管LED负极连接电感L1，电感L1另一端分别连接二极管D1正极、M0S管Q1的D极和电阻R7，所述电阻R1另一端分别连接电阻R4、单向可控硅VS的K极、单向可控硅VS的G极和电位器RP2 —端，电位器RP2另一端分别连接电位器RP2滑片和电阻R3，电阻R3另一端分别连接电容C1另一端、单向可控硅VS的A极和芯片U1引脚5，芯片U1引脚1分别连接电容C3和电阻R5，电阻R5另一单分别连接芯片U1引脚2、电容C3另一端和电阻R4另一端，芯片U1引脚7连接接地电容C4，芯片U1引脚6连接电阻R6，电阻R6另一端分别连接电阻R11和M0S管Q1的G极，M0S管Q1的S极分别连接电阻R12、电阻R10和电容C6，电容C6另一端连接电阻R7另一端，电阻R10另一端分别连接电阻R8、电容C8、三极管Q3发射极和芯片U1引脚3，三极管Q3集电极连接电阻R16，电阻R16另一端分别连接电阻R15和三极管Q4集电极，电阻R15另一端分别连接三极管Q3基极、电阻R17和三极管Q2集电极，三极管Q2基极连接电阻R14，电阻R14另一端连接PWMD调制波，所述三极管Q2发射极分别连接电阻R17另一端、电容C9、电容C7、电阻R11另一端、电阻R12另一端、电容C8另一端和电阻R9，电阻R9另一端分别连接电容C5和三极管Q4发射极，电容C5另一端连接电阻R8另一端，电容C9另一端分别连接电阻R13、芯片U1引脚4和三极管Q4基极，芯片U1引脚8分别连接电阻R13另一端和电容C7另一端，所述芯片U1采用UC3848。电源Vin电压为12V。本技术的工作原理是:请参阅图1，在UC3843内部，电流检测比较器的反向输入端被内置的齐纳二极管钳位在IV，只要芯片脚3上的电压达到IV，端6关闭，立即使M0S管Q1关断。因此可以通过控制脚3的输入电压值改变一个周期内流过LED的平均电流来对LED进行调光控制。为使人眼感觉不到灯光的闪烁，取PWMD信号的频率为100?200HZ，当PWMD信号为高电平时，Q3截止，UC3843的3脚的信号为电流检测信号和斜坡补偿信号之和，此时电路正常工作；当PWMD信号为低电平时，Q3导通，加在3脚处的电压超过1V，UC3843的输出端6立即使M0S管截止。当PWMD信号的占空比变化时，一个周期内流过LED的平均电流也发生变化，从而LED输出的光通量也发生变化，达到控制LED亮度的目的。实际应用中PWMD可以由具有PWM功能的简单的单片机产生。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种PWM驱动控制电路，包括芯片U1、电阻R1、电容C1、发光二极管LED、电感L1、二极管D1和MOS管Q1，其特征在于，所述电容C1一端分别连接电源Vin、电阻R1、二极管D1负极和发光二极管LED正极，发光二极管LED负极连接电感L1，电感L1另一端分别连接二极管D1正极、MOS管Q1的D极和电阻R7，所述电阻R1另一端分别连接电阻R4、单向可控硅VS的K极、单向可控硅VS的G极和电位器RP2一端，电位器RP2另一端分别连接电位器RP2滑片和电阻R3，电阻R3另一端分别连接电容C1另一端、单向可控硅VS的A极和芯片U1引脚5，芯片U1引脚1分别连接电容C3和电阻R5，电阻R5另一单分别连接芯片U1引脚2、电容C3另一端和电阻R4另一端，芯片U1引脚7连接接地电容C4，芯片U1引脚6连接电阻R6，电阻R6另一端分别连接电阻R11和MOS管Q1的G极，MOS管Q1的S极分别连接电阻R12、电阻R10和电容C6，电容C6另一端连接电阻R7另一端，电阻R10另一端分别连接电阻R8、电容C8、三极管Q3发射极和芯片U1引脚3，三极管Q3集电极连接电阻R16，电阻R16另一端分别连接电阻R15和三极管Q4集电极，电阻R15另一端分别连接三极管Q3基极、电阻R17和三极管Q2集电极，三极管Q2基极连接电阻R14，电阻R14另一端连接PWMD调制波，所述三极管Q2发射极分别连接电阻R17另一端、电容C9、电容C7、电阻R11另一端、电阻R12另一端、电容C8另一端和电阻R9，电阻R9另一端分别连接电容C5和三极管Q4发射极，电容C5另一端连接电阻R8另一端，电容C9另一端分别连接电阻R13、芯片U1引脚4和三极管Q4基极，芯片U1引脚8分别连接电阻R13另一端和电容C7另一端，所述芯片U1采用UC3848。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：和亮，
申请(专利权)人：西安外事学院，
类型：新型
国别省市：陕西;61
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