脱模用双轴取向层合聚酯膜制造技术

通过满足下述(1)～(3)的脱模用双轴取向聚酯膜，均衡性良好地改善了薄膜生坯成型时的陶瓷浆料的涂布性及生坯剥离特性。(1)一个面(将该面设为A面)的表面粗糙度SRa(A)为7.0nm以上且小于15.0nm。(2)与A面相反的面(将该面设为B面)的表面粗糙度SRa(B)大于30nm且小于50nm。(3)在A面存在的大凸起的个数为10个/5.0mm2以上且20个/5.0mm2以下，并且，在A面存在的大凸起的高度均为800nm以下的范围。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】脱模用双轴取向层合聚酯膜
本专利技术涉及以双轴拉伸聚酯膜为基础的、平滑性和均一剥离性之间的均衡性优异的脱模用基础膜(basefilm)。
技术介绍
随着近来的智能手机的普及，层合陶瓷电容器的小型高容量化逐渐发展。关于制造层合陶瓷电容器时使用的脱模膜，平滑性高、膜表面及内部没有缺陷的聚酯膜的需求正急速增加。关于平滑性高的脱模用途聚酯膜，公开了一种基础膜，所述基础膜通过具有下述特征，从而在生坯(greensheet)上产生的针孔少，所述特征为：在形成陶瓷浆料的表面实质上不含粒子，三维中心面粗糙度(SRa)为2～7nm(专利文献1)。另外，公开了下述技术：通过减少膜表面的凹坑缺陷，来抑制涂布陶瓷浆料后所形成的、生坯表面的缺陷，由此提高陶瓷浆料的涂布性(专利文献2)。另外，公开了下述方法：利用膜的卷绕工序来改善由平滑化(其伴随生坯薄膜化而产生)引起的带电，由此减少因静电而附着在膜上的杂质被卷入从而产生隆起状缺陷(专利文献3)。另外，为了使高平滑性、杂质削减、生产成本降低成为可能，还公开了在不同种类的三层结构的中间层中不配合微粒的方法(专利文献4)。另一方面，关于规定并控制表面凸起的方法，通常通过在作为基材的聚酯膜中添加粒子来实现，关于其评价方法，已知利用由三维微细表面形状测定仪得到的表面的轮廓(profile)来求得(专利文献5、专利文献6)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-62179号公报专利文献2：日本特开2007-210226号公报专利文献3：日本特开2004-196873号公报专利文献4：日本特开2004-196856号公报专利文献5：日本特开2009-215350号公报专利文献6：日本特开2008-239844号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题近年来，由于对陶瓷电容器要求较高的精度，因此对于用于陶瓷电容器的脱模膜也要求在将陶瓷生坯以薄膜的形式层合多层时具有较高的层合精度。但是，就按照上述现有已知技术得到的脱模膜而言，发现虽然可以一定程度地提高层合精度，却存在无法抑制剥离特性的不均的问题。按照现有已知技术得到的脱模膜是减少了在脱模层的表面存在的凸起(通常称为粗大凸起)的、平滑性高的膜。但是，就利用上述现有已知技术得到的脱模膜而言，认为由于脱模层的表面过于平滑，所以导致用作剥离的起点的点(剥离开始点)消失，结果剥离特性产生不均。因此，本申请的专利技术人经过潜心研究，结果发现通过在脱模膜的表面形成具有一定形状的凸起(大凸起)，能够抑制上述剥离特性的不均。本专利技术的目的在于，提供一种平滑性高的脱模用双轴取向聚酯膜，就所述脱模用双轴取向聚酯膜而言，在将平滑性高的生坯以薄膜的形式层合多层后的、膜的剥离特性(特别是剥离)的不均极小。用于解决课题的手段本申请的专利技术人鉴于上述实际情况进行了潜心研究，结果发现通过将表面性状特别是大凸起个数控制在适当范围内，能够得到剥离特性良好、特别是剥离的不均极小、适合于平滑性高的薄膜生坯成型的脱模聚酯膜，从而完成了本专利技术。即，为满足下述(1)～(3)的脱模用双轴取向聚酯膜。(1)一个面(将该面设为A面)的表面粗糙度SRa(A)为7.0nm以上且小于15.0nm。(2)与A面相反的面(将该面设为B面)的表面粗糙度SRa(B)大于30nm且小于50nm。(3)在A面存在的大凸起的个数为10个/5.0mm2以上且20个/5.0mm2以下，并且，在A面存在的大凸起的高度均为800nm以下的范围。专利技术效果根据本专利技术，能够改善平滑性高的薄膜生坯成型时的陶瓷浆料的涂布性、及生坯的剥离特性的不均。具体实施方式以下，更详细地说明本专利技术。本专利技术的脱模用双轴取向聚酯膜中的所谓脱模用，是指使用聚酯膜基材，将构件进行成型，从成型后的构件剥离的用途。此处所说的构件，为多层陶瓷电容器中的生坯、多层电路基板中的层间绝缘树脂(电绝缘树脂)、光学相关构件中的聚碳酸酯(此时用于溶液制膜)等。本专利技术的脱模用双轴取向聚酯膜的剥离特性良好，特别是剥离不均极小。因此，在制造层合陶瓷电容器的工序中，可以适合用于脱模用膜(其用于对生坯成型进行支撑)。就本专利技术的脱模用双轴取向聚酯膜而言，即使将平滑性高的生坯以薄膜的形式层合多层，成型时陶瓷浆料的涂布性也优异，并且，生坯冲裁性及生坯层合精度也良好。本专利技术的脱模用双轴取向聚酯膜中的所谓双轴取向，是在大角度X射线衍射中显示双轴取向图案。可以通过利用常用方法将未拉伸(未取向)膜在二维方向上拉伸而得到。拉伸可以采用逐次双轴拉伸。就逐次双轴拉伸而言，可以以纵横各一次的方式实施在长度方向(纵向)及宽度方向(横向)上进行拉伸的工序，即纵-横；也可以在各个方向上实施1次以上，即纵-横-纵-横等。本专利技术的脱模用双轴取向聚酯膜中的所谓聚酯，为以二元酸和二元醇作为构成成分的聚酯，作为芳香族二元酸，可使用对苯二甲酸、间苯二甲酸、邻苯二甲酸、萘二甲酸、二苯基砜二甲酸、二苯醚二甲酸、二苯酮二甲酸、苯基茚满二甲酸(phenylindanedicarboxylicacid)、间苯二甲酸磺酸钠、二溴对苯二甲酸等。作为脂环族二元酸，可使用草酸、琥珀酸、己二酸、壬二酸、癸二酸、二聚酸等。作为二元醇，作为脂肪族二元醇，可使用乙二醇、丙二醇、1，4-丁二醇、丙二醇、1，4-丁二醇、1，6-己二醇、新戊二醇、二乙二醇等；作为芳香族二元醇，可使用萘二酚、2，2-双(4-羟基二苯基)丙烷、2，2-双(4-羟基乙氧基苯基)丙烷、双(4-羟基苯基)砜、氢醌等；作为脂环族二元醇，可使用环己烷二甲醇、环己烷二元醇等。上述聚酯可以利用已知方法制造，其特性粘度优选下限为0.5dl/g以上、上限为0.8dl/g以下。更优选地，下限为0.55dl/g以上、上限为0.70dl/g以下。本专利技术的脱模用双轴取向聚酯膜是一个面(将该面设为A面)的表面粗糙度SRa(A)为7.0nm以上且小于15.0nm、与A面相反的面(将该面设为B面)的表面粗糙度SRa(B)大于30nm且小于50nm的聚酯膜。本专利技术的脱模用双轴取向聚酯膜优选为由构成A面的A层、和构成B面的B层这至少2层以上形成的、具有A层及B层的层合膜(脱模用双轴取向聚酯膜)。A层是在设置了脱模层后，陶瓷浆料的涂布性优异，适合于构成供陶瓷浆料涂布的面的层。陶瓷浆料的涂布性表示下述特性：将陶瓷电容器的电介质原料涂布在由本专利技术的脱模用双轴取向聚酯膜形成的脱模膜上后，使其干燥后所得到的成型体即陶瓷片材(所谓生坯)是否能不产生针孔、不产生涂布不匀地获得。所谓生坯剥离特性表示下述特性：将在上述工序中切断的生坯利用热压而压接在基板上后，在使脱模膜剥离的工序中，是否能不对生坯造成破损等损伤地进行剥离。对于上述评价方法的说明在后面陈述。B层是形成脱模层的A层的、相反面的表层，为在将脱模层、生坯进行层合并卷绕时，与脱模层或生坯接触的面。本专利技术的聚酯膜中除了上述A层、B层之外，还可以包含不具有A面、B面的中间层。若包含中间层，则易于控制大凸起的高度，故较优选。本专利技术的脱模用双轴取向聚酯膜的厚度的下限优选为20μm以上，较优选为25μm以上，更优选为31μm以上。上限优选为40μm以下，较优选为38μm。若厚度小于20μm，则用于保持陶瓷浆料的硬挺度消失，在陶瓷浆料的涂布中，变得不能支撑陶瓷浆料，有时在后续本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种脱模用双轴取向聚酯膜，其满足下述(1)～(3)：(1)一个面(将该面设为A面)的表面粗糙度SRa(A)为7.0nm以上且小于15.0nm；(2)与A面相反的面(将该面设为B面)的表面粗糙度SRa(B)大于30nm且小于50nm；(3)在A面存在的大凸起的个数为10个/5.0mm2以上且20个/5.0mm2以下，并且，在A面存在的大凸起的高度均为800nm以下的范围，需要说明的是，大凸起的个数、高度通过下述测定方法求出，大凸起的个数、高度的测定方法：使用三维结构解析测定仪即Zygo Corporation制New View7300，在(I)的测定条件下进行测定，得到微分干涉图像；在得到的图像中，将满足(II)的基准的凸起作为大凸起并对大凸起的个数进行计数，换算为每5.0mm2的值，将该值作为大凸起的个数；另外，将满足(II)的基准的凸起的高度作为大凸起的高度；将所述测定实施5次，将其平均值作为大凸起的个数，(I)测定条件倍率：50倍测定区域：宽度0.98mm、长度5.25mm针对宽度方向7个视野×长度方向50个视野＝350个视野实施测定，每1个视野的大小为140μm×105μm，Camera Mode：640×480 210HzScan Length：10μmMin Mod：15.00％Min Area Size：7Film Min Mod：4％(II)筛选基准Reference Band：600nmArea：0.25μm2以上。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.06.18 JP 2013-1272051.一种脱模用双轴取向聚酯膜，其满足下述(1)～(3)：(1)将一个面设为A面，其表面粗糙度SRa(A)为7.0nm以上且小于15.0nm；(2)作为与A面相反的面的B面的表面粗糙度SRa(B)大于30nm且小于50nm；(3)在A面存在的大凸起的个数为10个/5.0mm2以上且20个/5.0mm2以下，并且，在A面存在的大凸起的高度均为800nm以下的范围，需要说明的是，大凸起的个数、高度通过下述测定方法求出，大凸起的个数、高度的测定方法：使用三维结构解析测定仪即ZygoCorporation制NewView7300，在(I)的测定条件下进行测定，得到微分干涉图像；在得到的图像中，将满足(II)的基准的凸起作为大凸起并对大凸起的个数进行计数，换算为每5.0mm2的值，将该值作为大凸起的个数；另外，将满足(II)的基准的凸起的高度作为大凸起的高度；将所述测定实施5次，将其平均值作为大凸起的个数，(I)测定条件倍率：50倍测定区域：宽度0.98mm、长度5.25mm针对宽度方向7个视野×长度方向50个视野＝350个视野实施测定，每1个视野的大小为140μm×105μm，CameraMode：640×480210HzScanLength：10μmMinMod：15.00％MinAreaSi...

【专利技术属性】
技术研发人员：金子裕介，高木顺之，
申请(专利权)人：东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP