半导体装置制造方法及图纸

技术编号:12840141 阅读:74 留言:0更新日期:2016-02-11 09:39
本发明专利技术提供一种在高频噪声叠加时,能够抑制电压控制型半导体元件的栅极电位降低的半导体装置。该半导体装置具备电压控制型半导体元件21,其连接在向内燃机的点火装置提供电压的点火线圈13的初级侧;第一电阻R1以及第二电阻R2,其串联地插设在对电压控制型半导体元件21的栅极进行控制的输入信号的供给路径;电流控制电路,其控制流通至电压控制型半导体元件21的电流;第一旁路形成元件D1,在电压控制型半导体元件21导通时旁路该第二电阻R2;和第二旁路形成元件D2,在电压控制型半导体元件21关断时旁路第一电阻R1以及第二电阻R2,电流控制电路具备连接在第一电阻R1以及第二电阻R2之间并下拉栅极电压的有源元件23。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置,该半导体装置具备用于在车辆搭载的内燃机的点火控制装置等的电压控制型半导体元件。
技术介绍
在该种半导体装置中,具备由绝缘栅型双极晶体管和/或功率M0SFET等构成的电压控制型半导体元件,例如,如专利文献丨所记载的那样针对搭载于车辆的内燃机的点火控制装置而使用时,点火线圈的初级侧的一端与电池连接,另一端通过电压控制型半导体元件接地。并且,在要导通电压控制型半导体元件的情况下,由外部的电子控制单元(ECU,Electronic Control Unit)将指定电压的输入信号通过栅极电阻提供给电压控制型半导体元件的输入端子,由此使栅极电压上升,从而使电压控制型半导体元件导通。另一方面,在要关断电压控制型半导体元件的情况下,虽然积蓄在电压控制型半导体元件的栅极电容的电荷向外部的电子控制单元侧放电,但为了使放电时的栅极电流的dl/dt加快而与栅极电阻并联地设置旁路该栅极电阻的加速(speed-up)用二极管和电阻的串联电路。在此,栅极电阻的电阻值设定为lkQ?10kQ,加速用二极管和串联的电阻的电阻值设定为50 Ω?lkQ。现有技术文献专利文献专利文献1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置,其特征在于,具备:电压控制型半导体元件,其连接在向内燃机的点火装置提供电压的点火线圈的初级侧;第一电阻以及第二电阻,其串联地插设在对所述电压控制型半导体元件的栅极进行控制的输入信号的供给路径;电流控制电路,其控制流通至所述电压控制型半导体元件的电流;第一旁路形成元件,其与所述第二电阻并联连接,在所述电压控制型半导体元件导通时旁路该第二电阻;和第二旁路形成元件,其与所述第一电阻以及所述第二电阻并联连接,在所述电压控制型半导体元件关断时旁路所述第一电阻以及所述第二电阻,其中,所述电流控制电路具备连接在所述第一电阻与所述第二电阻之间并下拉所述电压控制型半导体元件的栅极电压的有源元件。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:中村浩宫沢繁美三浦英生
申请(专利权)人:富士电机株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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