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本发明提供一种在高频噪声叠加时，能够抑制电压控制型半导体元件的栅极电位降低的半导体装置。该半导体装置具备电压控制型半导体元件21，其连接在向内燃机的点火装置提供电压的点火线圈13的初级侧；第一电阻R1以及第二电阻R2，其串联地插设在对电压控...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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