数据储存装置及其操作方法制造方法及图纸

一种数据储存装置的操作方法包括：执行第一静态读取失败解决操作，其中通过施加第一组中包括的读取失败解决电压至所述存储器单元来读取存储器单元；以及在所述第一静态读取失败解决操作失败之后，执行第二静态读取失败解决操作，其中通过施加第二组中包括的读取失败解决电压至所述存储器单元来读取所述存储器单元，其中，所述第一组中包括的相应读取失败解决电压的读取成功数目大于所述第二组中包括的相应读取失败解决电压的读取成功数目。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】相关申请的交叉引用本申请要求2014年7月23日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2014-0093273的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
各种实施例涉及一种数据储存装置，更具体而言涉及一种数据储存装置以及其操作方法。
技术介绍
近来，计算机环境范例已经变成普适计算，让人们可以在任何时间、任何地点使用计算机。此种现象迅速增加了可携式电子装置例如手机、数码相机、笔记本电脑的使用。基本上，这些可携式电子装置采用具有存储器件的数据储存装置。数据储存装置用作可携式电子装置的主存储装置或辅助存储装置。使用存储器件的数据储存装置因为不具有移动部件，故其具有相当好的稳定性及耐久性、快速的信息访问以及低功耗的优点。具有上述优点的数据储存装置包括通用串行总线(USB)存储装置、具有不同接口的存储卡、通用快闪存储(UFS)装置以及固态驱动器(SSD)。储存在存储器件的存储器单元中的数据可能由于存储器单元之间的干扰和反复擦除/编程操作引起的存储器单元的磨损而损坏。当储存在存储器单元内的数据被损坏时，储存在存储器单元内的数据具有错误，这会导致数据储存装置的读取操作失败。数据储存装置使用了各种方法来解决读取操作的失败。
技术实现思路
各种实施例针对一种，其可减少从存储器件读取的数据的错误发生率，从而降低读取操作失败的数目。在一个实施例中，一种数据储存装置的操作方法可包括:执行第一静态读取失败解决操作，其中通过施加第一组中包括的读取失败解决电压至所述存储器单元来读取存储器单元；以及在所述第一静态读取失败解决操作失败之后，执行第二静态读取失败解决操作，其中通过施加第二组中包括的读取失败解决电压至所述存储器单元来读取所述存储器单元，其中，所述第一组中包括的相应读取失败解决电压的读取成功数目大于所述第二组中包括的相应读取失败解决电压的读取成功数目。在一个实施例中，一种数据储存装置的操作方法可包括:使用第一组中包括的读取失败解决电压执行第一静态读取失败解决操作；使用在解决电压范围内动态地选择的读取失败解决电压来执行动态读取失败解决操作；以及在所述第一静态读取失败解决操作失败之后，使用第二组中包括的读取失败解决电压来执行第二读取失败解决操作，其中，所述第一组中包括的相应读取失败解决电压的读取成功数目大于所述第二组中包括的相应读取失败解决电压的读取成功数目。在一个实施例中，一种数据储存装置可包括:非易失性存储器件；以及控制器，适用于使用第一组中包括的读取失败解决电压来执行第一静态读取失败解决操作，以及在所述第一静态读取失败解决操作失败之后，使用第二组中包括的读取失败解决电压来执行第二静态读取失败解决操作，其中，所述第一组中包括的相应读取失败解决电压的读取成功数目大于所述第二组中包括的相应读取失败解决电压的读取成功数目。根据实施例，可减少数据储存装置读取操作的失败次数，并且因此可改善数据的可靠性。【附图说明】图1示出根据实施例的数据储存装置的框图。图2及图3是示出图1中所示的非易失性存储器件的存储器单元的阈值电压分布的图。图4是示出根据实施例的数据储存装置的操作方法的图。图5及图6是示出根据实施例的读取失败解决电压表的图。图7及图8是示出根据实施例的数据储存装置的操作方法的图。图9是示出根据实施例的数据储存装置的操作方法的流程图。图10及图11是示出根据实施例的数据储存装置的操作方法的流程图。图12是示出根据实施例的包括数据储存装置的数据处理系统的框图。图13是示出根据实施例的包括固态驱动器的数据处理系统的框图。图14是示出图13中所示的SSD控制器的框图。图15是示出根据实施例的安装有数据储存装置的计算机系统的框图。【具体实施方式】在本专利技术中，实现本专利技术的优点、特征和方法将在结合附图阅读以下的示例性实施例之后变得更清楚。然而，本专利技术可以用不同的形式实现，不应当被解释为局限于本文所列的实施例。确切地说，提供这些实施例是为了详细说明本专利技术，以达到专利技术所属
人员能够容易地实现本专利技术技术构思的程度。要理解的是，本专利技术的实施例不局限于附图中所示的细节，并且附图也不一定按比例，在某些情况下可能对比例进行放大以更清楚地绘制专利技术的某些特征。虽然使用了特定术语，但要理解的是，所使用的术语仅用于描述特定实施例，并不意在限制本专利技术的范围。术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和全部组合。将要理解的是，当一个元件被称为在另一个元件“上”、“连接至”另一元件、或“耦合至”另一元件时，其可以是直接在所述另一个元件上、直接连接至所述另一元件、或直接耦合至所述另一元件，或者可以存在中间元件。此外，单数形式也意在包括复数形式，除非上下文明确另有所指。还要理解的是，术语“包括”在本说明书中使用时，表明存在至少一个所列特征、步骤、操作、和/或元件，但不排除存在或增加一个或更多个其他的特征、步骤、操作和/或元件。在下文中，将参照附图经由实施例的各种例子来说明。图1是示出根据实施例的数据储存装置的框图。数据储存装置100可储存要通过主机装置(未示出)诸如移动电话、MP3播放器、桌面计算机、笔记本电脑、游戏机、电视、车载信息娱乐系统等来访问的数据。数据储存装置100也可被称为存储系统。数据储存装置100可根据与主机装置电耦合的接口的协议而被制造为各种储存装置中的任何一种。例如，数据储存装置100可被配置为各种储存装置诸如固态驱动器、MMC、eMMC、RS-MMC以及micro_MMC形式的多媒体卡、SD、min1-SD以及micro_SD形式的安全数字卡、通用串行总线(USB)储存装置、通用快闪存储(UFS)装置、个人计算机存储卡国际协会(PCMCIA)卡类型储存装置、外围组件互连(PCI)卡类型储存装置、PCI快速(PC1-E)卡类型储存装置、紧凑型快闪(CF)卡、智能媒体(SM)卡、记忆棒等中的任何一种。数据储存装置100可被制造为各种封装类型中的任何一种。例如，数据储存装置100可被制造为各种封装类型诸如层叠封装(Ρ0Ρ)、系统封装(SIP)、芯片上系统封装(S0C)、多芯片封装(MCP)、板上芯片封装(C0B)、晶片级制造封装(WFP)以及晶片级层叠封装(WSP)中的任何一种。数据储存装置100可包括非易失性存储器件110。非易失性存储器件110可操作为数据储存装置100的储存媒介。非易失性存储器件110可通过各种类型的非易失性存储器件诸如NAND快闪存储器件、N0R快闪存储器件、使用铁电电容的铁电随机存取存储器(FRAM)、使用隧道磁阻(TMR)层的磁性随机存取存储器(MRAM)、使用硫族化物合金的相变随机存取存储器(PRAM)、以及使用过渡金属氧化物的电阻式随机存取存储器(RERAM)中的任何一种来配置。非易失性存储器件110可通过NAND快闪存储器件和上述各种类型的非易失性存储器件中的一个或更多个的组合来配置。数据储存装置100可包括控制器120。控制器120可包括控制单元121、工作存储器123以及错误校正码(ECC)单元125。控制单元121可控制控制器120的一般操作。控制单元121可分析和处理从主机装置输入的信号。为此，控制单元121可将加载于工作存储器123上的固件或软件译码并驱动。控制单元本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种数据储存装置的操作方法，包括：执行第一静态读取失败解决操作，其中通过施加第一组中包括的读取失败解决电压至所述存储器单元来读取存储器单元；以及在所述第一静态读取失败解决操作失败之后，执行第二静态读取失败解决操作，其中通过施加第二组中包括的读取失败解决电压至所述存储器单元来读取所述存储器单元，其中，所述第一组中包括的相应读取失败解决电压的读取成功数目大于所述第二组中包括的相应读取失败解决电压的读取成功数目。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：朴锺元，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR