一种天线及其制造方法、含天线装置制造方法及图纸

技术编号:12833938 阅读:89 留言:0更新日期:2016-02-07 19:24
本发明专利技术公开了一种天线,所述天线包括与信号馈点和地馈点连接的公共区域、第一分支区域、第二分支区域及第三分支区域;其中,所述第一分支区域为从所述公共区域的左下方部分区域处向左延伸所形成的区域;所述第二分支区域为从所述公共区域的左上方部分区域处水平向左延伸所形成的区域;所述第三分支区域为从所述第二分支区域的末端向右下方延伸形成的区域;所述第三分支区域与所述第二分支区域之间形成有第一缝隙;所述第三分支区域的部分区域与所述第一分支区域的部分区域相对应。本发明专利技术还公开了一种天线的制造方法及含天线装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及天线技术,尤其涉及一种天线及其制造方法、含天线装置
技术介绍
天线是通讯系统中不可缺少的组件,天线的性能直接关系到接收和发射信号的质 量,因此,对天线性能的研究十分重要。衡量一个移动终端射频辐射性能的好坏,即移动终 端中天线的射频辐射性能的好坏,不能单单依靠在理想的微波暗室的环境中测试得出的空 中下载(OTA,Over-the-Air)数值,更多的要考虑实际应用场景。所以,近年来越来越 多的通讯运营商,在测试天线性能时,增加了移动终端在人体的头和手的模型下测试天线 性能的方式,其中,模仿人体的所述头和手的模型满足CTIA规范的要求。 但是,当天线靠近人体这类高介电常数的导体时,天线的谐振频率会发生偏移,且 有一部分能量会被人体吸收,如此,导致天线性能急剧下降。因此,如何提升移动终端在靠 近高介电常数的导体时自身中天线的性能,成为亟需解决的一个问题。
技术实现思路
为解决现有存在的技术问题,本专利技术实施例提供一种天线及其制造方法、含天线 装置,能提升天线在靠近高介电常数的导体时的射频辐射性能。 本专利技术的技术方案是这样实现的: 本专利技术实施例提供了一种天线,所述天线包括与信号馈点和地馈点连接的公共区 域、第一分支区域、第二分支区域及第三分支区域;其中, 所述第一分支区域为从所述公共区域的左下方部分区域处向左延伸所形成的区 域; 所述第二分支区域为从所述公共区域的左上方部分区域处水平向左延伸所形成 的区域; 所述第三分支区域为从所述第二分支区域的末端向右下方延伸形成的区域;所述 第三分支区域与所述第二分支区域之间形成有第一缝隙; 所述第三分支区域的部分区域与所述第一分支区域的部分区域相对应。 上述方案中,所述天线还包括与所述公共区域连接的走线区域;其中, 所述走线区域为从所述公共区域的右上方部分区域处向所述信号馈点和地馈点 处延伸所形成的区域;所述走线区域与所述公共区域之间形成有第二缝隙。 上述方案中,所述天线还包括寄生区域;其中, 所述寄生区域为与所述走线区域形成有缝隙宽度为〇. 5-1. 2_的区域。 上述方案中,所述第一缝隙的宽度为0. 3mm-2mm。 上述方案中,所述第二缝隙的宽度为0. 5mm-2mm。 上述方案中,所述第三分支区域的部分区域与所述第一分支区域的部分区域相对 应处的间距为〇· 1臟_3謹。 上述方案中,所述第三分支区域的部分区域与所述第一分支区域的部分区域相对 应,包括: 所述第三分支区域的末端与所述第一分支区域的末端相对应,且形成的间距为 0·lmm-3mm〇 本专利技术实施例还提供了一种含天线装置,所述装置包括以上所述的任一天线。 本专利技术实施例还提供了一种天线的制造方法,所述天线包括公共区域、第一分支 区域、第二分支区域及第三分支区域;所述方法包括: 形成与信号馈点和地馈点连接的公共区域; 在从所述公共区域的左下方部分区域处向左延伸所形成的区域中形成所述第一 分支区域; 在从所述公共区域的左上方部分区域处水平向左延伸所形成的区域中形成所述 第二分支区域; 在从所述第二分支区域的末端向右下方延伸形成的区域中形成所述第三分支区 域,使所述第三分支区域与所述第二分支区域之间形成第一缝隙,并使所述第三分支区域 的部分区域与所述第一分支区域的部分区域相对应。 上述方案中,所述方法还包括: 在从所述公共区域的右上方部分区域处向所述信号馈点和地馈点处延伸形成所 述走线区域,使所述走线区域与所述公共区域之间形成第二缝隙。 上述方案中,所述方法还包括: 在与所述走线区域具有缝隙宽度为0. 5-1. 2mm的区域处形成寄生区域。 上述方案中,所述第一缝隙的宽度为0. 3mm-2mm。 上述方案中,所述第二缝隙的宽度为0. 5mm-2mm。 上述方案中,所述第三分支区域的部分区域与所述第一分支区域的部分区域相对 应处的间距为〇· 1臟_3謹。 上述方案中,所述使所述第三分支区域的部分区域与所述第一分支区域的部分区 域相对应,包括: 使所述第三分支区域的末端与所述第一分支区域的末端相对应,且形成的间距为 0·lmm-3mm〇 本专利技术实施例所提供的天线及其制造方法、含天线装置,能够尽量避仿真手模型 触碰到包含有所述天线的移动终端中天线所处的壳体处,因为,本专利技术实施例将低频的走 线靠近天线的底部区域的中间位置,如图1中所述第三分支区域A区域的末端、及第三分支 区域A和第二分支区域E之间的第一缝隙处于天线的底部区域的中间位置;而且,所述第三 分支区域A区域的末端处于包含有所述天线的移动终端的底部,即仿真手模型接触不到的 位置,如此,在仿真手模型测试所述天线性能时,能够使包含有所述天线的移动终端中所述 天线所处的底部的中间区域距离仿真手模型较远,从而降低仿真手模型对天线的影响。【附图说明】 图1为本专利技术实施例天线的组成结构示意图; 图2为本专利技术实施例天线的测试性能示意图; 图3为本专利技术实施例天线的回波损耗图; 图4为本专利技术实施例天线所处移动终端在左手模型下、和天线所处移动终端在自 由空间下的回波损耗对比图; 图5为本专利技术实施例天线所处移动终端在右手模型下、和天线所处移动终端在自 由空间下的回波损耗对比图; 图6为本专利技术实施例含天线装置的组成结构示意图; 图7为本专利技术实施例天线的制造方法的流程示意图。【具体实施方式】 为了能够更加详尽地了解本专利技术的特点与
技术实现思路
,下面结合附图对本专利技术的实 现进行详细阐述,所附附图仅供参考说明之用,并非用来限定本专利技术。 传统提升天线在靠近高介电常数的导体时性能的方法通常是提升所述天线在自 由空间状态下的性能,因为,天线在自由空间状态下的性能较强时,即使被高介电常数的导 体吸收一定的能量,天线在靠近高介电常数的导体时剩余的辐射也会较强。但是,所述天 线在自由空间的辐射受限于天线的空间、环境及板端的限值,所以并不能无限制的提高;因 此,为提高天线在靠近高介电常数的导体时的射频辐射性能,本专利技术实施例提供了下述方 案,能够通过调整天线走线的方向,避让仿真手模型触碰包含有所述天线的移动终端中的 天线敏感位置,且能够兼顾所述天线的频偏,从而保证天线在自由空间、靠近高介电常数的 导体,例如靠近仿真头和手模型的状态下均具有良好性能。下述通过具体实施例对本专利技术 做进一步详细说明。 实施例一 图1为本专利技术实施例天线的组成结构示意图;如图1所示,所述天线包括与信号馈 点和地馈点连接的公共区域C、第一分支区域B、第二分支区域E及第三分支区域A;其中, 所述第一分支区域B为从当前第1页1 2 3 本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种天线,其特征在于,所述天线包括与信号馈点和地馈点连接的公共区域、第一分支区域、第二分支区域及第三分支区域;其中,所述第一分支区域为从所述公共区域的左下方部分区域处向左延伸所形成的区域;所述第二分支区域为从所述公共区域的左上方部分区域处水平向左延伸所形成的区域;所述第三分支区域为从所述第二分支区域的末端向右下方延伸形成的区域;所述第三分支区域与所述第二分支区域之间形成有第一缝隙;所述第三分支区域的部分区域与所述第一分支区域的部分区域相对应。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李群
申请(专利权)人:中兴通讯股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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