低通滤波结构、天线罩及天线系统技术方案

本实用新型专利技术提供了一种低通滤波结构、天线罩及天线系统。该低通滤波结构包括至少三层导电几何结构层，相邻两层导电几何结构层之间设置有介质层，至少三层导电几何结构层包括沿叠置方向依次设置的第一外层导电几何结构层、中间层导电几何结构层以及第二外层导电几何结构层，第一外层导电几何结构层包括第一十字型导电结构和一字型导电结构，第二外层导电几何结构层包括多个互不相连的第二十字型导电结构与设置在相邻的四个第二十字型导电结构围成的区域内的第一网状导电结构，中间层导电几何结构层包括多个互不相连的第二网状导电结构。本实用新型专利技术的技术方案可以解决现有技术中对天线工作频段外的电磁波抑制效果不好的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及滤波领域，具体而言，涉及一种低通滤波结构、天线罩及天线系统。
技术介绍
—般情况下，天线系统都会设置有天线罩。天线罩的目的是保护天线系统免受风雨、冰雪、沙尘和太阳辐射等的影响，使天线系统工作性能比较稳定、可靠。同时减轻天线系统的磨损、腐蚀和老化，延长使用寿命。但是天线罩是天线前面的障碍物，对天线辐射波会产生吸收和反射，改变天线的自由空间能量分布，并在一定程度上影响天线的电气性能。使用纯材料天线罩在一定的范围内会影响天线的性能。其中，用于制作天线罩的纯材料为普通的物理材料，在制作纯材料天线罩时，利用半波长或四分之一波长理论，并根据不同的天线频率，改变纯材料的厚度，用以减小对电磁波的透波响应。在设计制作纯材料天线罩的时候，当天线的辐射波波长过长时，利用半波长或四分之一波长理论，纯材料天线罩会显得比较厚，进而使得整个天线罩的重量过大。另一方面，纯材料的透波性能比较均一，工作频段内透波，其相邻频段透波效果亦优，工作频段外的透波容易干扰天线的正常工作。针对现有技术中对天线工作频段外的电磁波抑制效果不好的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种低通滤波结构、天线罩及天线系统，以解决现有技术中对天线工作频段外的电磁波抑制效果不好的问题。为了实现上述目的，根据本技术的一个方面，提供了一种低通滤波结构，包括至少三层导电几何结构层，相邻两层导电几何结构层之间设置有介质层，至少三层导电几何结构层包括沿叠置方向依次设置的第一外层导电几何结构层、中间层导电几何结构层以及第二外层导电几何结构层，第一外层导电几何结构层包括多个互不相连的第一十字型导电结构，各第一十字型导电结构的四个端部上连接有一字型导电结构，第二外层导电几何结构层包括多个互不相连的第二十字型导电结构与设置在相邻的四个第二十字型导电结构围成的区域内的第一网状导电结构，中间层导电几何结构层包括多个互不相连的第二网状导电结构。进一步地，第一网状导电结构与第一十字型导电结构在叠置方向上的投影至少部分重合。进一步地，相邻的两个一字型导电结构的相邻端部之间互不相连。进一步地，多个第二十字型导电结构呈矩形阵列分布。进一步地，第一网状导电结构为纵横交错的第一方形网状结构。进一步地，第一网状导电结构为田字形网格结构，田字形网格结构位于相邻的四个第二十字型导电结构围成的区域的中间位置，且各第一十字型导电结构的四个端部上连接的一字型导电结构的延长线所形成的区域的投影位于相邻的四个第二十字型导电结构围成的区域的投影内。进一步地，第二网状导电结构与第一十字型导电结构在叠置方向上的投影至少部分重合，且第二网状导电结构与第一网状导电结构在叠置方向上的投影至少部分重合。进一步地，多个第二网状导电结构呈矩形阵列分布。进一步地，第二网状导电结构为纵横交错的第二方形网状结构。进一步地，第二网状导电结构为九宫格方形网状结构。进一步地，各第一^h字型导电结构的几何中心与相应的一个九宫格方形网状结构的几何中心以及相应的一个第一网状导电结构的几何中心正对设置。进一步地，低通滤波结构包括两层介质层，两层介质层为依次设置的第一蜂窝基板和第二蜂窝基板，第一蜂窝基板设置在中间层导电几何结构层与第一外层导电几何结构层之间，第二蜂窝基板设置在中间层导电几何结构层与第二外层导电几何结构层之间。进一步地，低通滤波结构还包括浸料基板，各层导电几何结构层设置在相邻两层浸料基板之间以与介质层隔离开。进一步地，导电几何结构层与浸料基板之间为粘接，第一蜂窝基板与相邻的浸料基板之间为粘接，第二蜂窝基板与相邻的浸料基板之间为粘接。进一步地，在夹住第一外层导电几何结构层的两块浸料基板中和/或在夹住第二外层导电几何结构层的两块浸料基板中，远离中间层导电几何结构层的浸料基板比靠近中间层导电几何结构层的浸料基板厚。根据本技术的另一方面，提供了一种天线罩，包括前述的低通滤波结构。根据本技术的另一方面，提供了一种天线系统，包括天线罩，天线罩为前述的天线罩。应用本技术的技术方案，该低通滤波结构的至少三层导电几何结构层包括沿叠置方向依次设置的第一外层导电几何结构层、中间层导电几何结构层以及第二外层导电几何结构层，第一外层导电几何结构层包括多个第一十字型导电结构，多个第一十字型导电结构互不相连，各第一十字型导电结构的四个端部上连接有一字型导电结构，第二外层导电几何结构层包括多个互不相连的第二十字型导电结构与设置在相邻的四个第二十字型导电结构围成的区域内的第一网状导电结构，中间层导电几何结构层包括多个互不相连的第二网状导电结构。上述低通滤波结构能够调节介电常数和磁导率，可以使得电磁波通过该低通透波结构时，工作频段的电磁波能高效率穿透，能够有效地截止高于工作频段的电磁波，从而解决了滤波结构对工作频段外的电磁波抑制效果不好的问题，进而达到了增强对工作频段外的电磁波的抑制效果。【附图说明】构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中:图1示出了根据本技术的低通滤波结构的实施例的剖视结构示意图；图2示出了图1的低通滤波结构的导电几何结构层的结构示意图；图3示出了图1的低通滤波结构的导电几何结构层的详细分布示意图；图4示出了图1的低通滤波结构的其中一层外层导电几何结构层的详细结构示意图；图5示出了图1的低通滤波结构的中间层导电几何结构层的详细结构示意图；图6示出了图1的低通滤波结构的另一层导电几何结构层的详细结构示意图；以及图7示出了根据本技术的低通滤波结构的实施例的CST仿真结果曲线图。其中，上述附图包括以下附图标记:21、第一外层导电几何结构层；22、中间层导电几何结构层；23、第二外层导电几何结构层；211、第一十字型导电结构；212、一字型导电结构；231、第二十字型导电结构；232、第一网状导电结构；221、第二网状导电结构；11、第一蜂窝基板；12、第二蜂窝基板；30、浸料基板。【具体实施方式】需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。解释说明:(I)图7中横坐标轴表示频率坐标，表示频率的取值，单位:GHz。(2)图2至图6中未示出介质层(第一蜂窝基板和第二蜂窝基板)及各个浸料基板。如图1至图3所示，本实施例的低通滤波结构包括至少三层导电几何结构层，每层导电几何结构层的厚度为0.0145mm-0.0215mm，优选为0.015mm，相邻两层导电几何结构层之间设置有介质层，至少三层导电几何结构层包括沿叠置方向依次设置的第一外层导电几何结构层21、中间层导电几何结构层22以及第二外层导电几何结构层23，第一外层导电几何结构层21包括多个互不相连的第一十字型导电结构211，各第一十字型导电结构211的四个端部上连接有一字型导电结构212，第二外层导电几何结构层23包括多个互不相连的第二十字型导电结构231与设置在相邻的四个第二十字型导电结构231围成的区域内的第一网状导电结构232，中间层导电几何结构层22包括多个互不相连的第二网状导电结构221。上述结构能够调节本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低通滤波结构，其特征在于，包括至少三层导电几何结构层，相邻两层所述导电几何结构层之间设置有介质层，所述至少三层导电几何结构层包括沿叠置方向依次设置的第一外层导电几何结构层(21)、中间层导电几何结构层(22)以及第二外层导电几何结构层(23)，所述第一外层导电几何结构层(21)包括多个互不相连的第一十字型导电结构(211)，各所述第一十字型导电结构(211)的四个端部上连接有一字型导电结构(212)，所述第二外层导电几何结构层(23)包括多个互不相连的第二十字型导电结构(231)与设置在相邻的四个所述第二十字型导电结构(231)围成的区域内的第一网状导电结构(232)，所述中间层导电几何结构层(22)包括多个互不相连的第二网状导电结构(221)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：深圳光启高等理工研究院，
类型：新型
国别省市：广东;44