【技术实现步骤摘要】
【专利说明】半导体装置(关联申请的引用)本申请以于2014年6月18日申请的在先的日本专利申请2014-125531号的权利的利益为基础，并且要求其利益，其全部内容通过引用被包含于此。
在此说明的实施方式全部涉及半导体装置。
技术介绍
氮化物半导体除了被用于发光器件以外，由于其临界电场强度高，也被用于功率器件，近年来，要求其更进一步的高耐压化。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供高耐压化的半导体装置。根据一种实施方式，半导体装置具有第一氮化物半导体层、本征氮化物半导体层、以及具有A1的第二氮化物半导体层。所述本征氮化物半导体层设置在所述第一氮化物半导体层的第一侧。所述第二氮化物半导体层设置在所述本征氮化物半导体层的与所述第一氮化物半导体层相对的一侧。所述第一氮化物半导体层在所述第一氮化物半导体层、所述本征氮化物半导体层以及所述第二氮化物半导体层层叠的方向上具有第一浓度和低于所述第一浓度的第二浓度重复出现的碳分布。根据上述构成的半导体装置，能够提供高耐压化的半导体装置。【附图说明】图1是表示实施方式1的半导体装置的截面示意图的一个例子。图2A是表示图1所示的...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一氮化物半导体层、设置在所述第一氮化物半导体层的第一侧的本征氮化物半导体层、以及设置在所述本征氮化物半导体层的与所述第一氮化物半导体层相对的一侧的、具有Al的第二氮化物半导体层，所述第一氮化物半导体层在所述第一氮化物半导体层、所述本征氮化物半导体层以及所述第二氮化物半导体层层叠的方向上具有第一浓度与低于所述第一浓度的第二浓度重复出现的碳分布。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：矶部康裕，杉山直治，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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