一种金属屏蔽线保护电路、等效电路及检测方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片设计
，特别涉及。
技术介绍
传统的安全芯片的内部包含有用于存储个人信息的敏感区域，为了提高芯片的安全性，防止芯片攻击者对芯片内部的个人信息进行攻击和入侵，通常会在芯片顶层设置金属屏蔽线，以消除干扰信号，进而提高芯片的安全性，防止攻击者入侵芯片后，恶意篡改或破坏芯片内部的数据。为提高芯片的安全性，通常在整个芯片上布置比较小的距离和宽度的金属屏蔽线，以提高金属屏蔽线的覆盖率。在对芯片布置金属屏蔽线的过程中，在进入深亚微米工艺阶段，随着金属屏蔽线之间的距离缩小，金属线之间的耦合电容将会变得很大，当一条金属屏蔽线被断开时，由于耦合电容变大，可能会导致相邻的金属屏蔽线的信号串扰到被断开的金属屏蔽线上，进而无法判断金属屏蔽线是否被断开。如图2所示，为传统的安全芯片上的金属屏蔽线的结构示意图。IN1-0UT1代表第一条金属屏蔽线，IN2-0UT2代表第二条金属屏蔽线，IN3-0UT3代表第三条金属屏蔽线，BLOCK:B代表屏蔽线电路，其中在该屏蔽线电路中，Ca代表本征电容，Cc代表同层金属线之间的耦合电容。传统的检测屏蔽线是否被切断的方法是，...
【技术保护点】
一种金属屏蔽线保护电路，其特征在于，所述电路包括第一MOS管、第二MOS管和电流源，其中，所述电流源输出端与所述第一MOS管的漏极相连接，所述第一MOS管的栅极与所述第二MOS管的栅极相连接，所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的源极相连接并且共同接地，所述第二MOS管的漏极与所述保护电路的输出端相连接，以及，所述电流源的输出端还与所述第一MOS管的栅极或者所述第二MOS管的栅极相连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李楠，徐丽娜，马文波，
申请(专利权)人：北京华大信安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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