【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及同步整流控制
,尤其涉及。
技术介绍
转换效率是DC/DC开关电源中最重要的指标之一,同步整流是提高转换效率必须使用的技术之一。反激拓扑中,同步整流的控制策略成了很多DC/DC变换器效率达到92%以上的瓶颈,拓扑自然的控制方式,会造成初次级M0SFET共通,强迫续流,驱动损耗过大等问题,出现同步整流电路发热,甚至产生可靠性问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术不足,提供了,能够解决常规反激同步整流强迫续流问题,以及初次级M0SFET同时导通,造成的共通问题。本专利技术的技术解决方案:—种反激同步整流控制方法,用于反激同步整流控制电路,所述反激同步整流控制电路包括初级M0SFET和同步整流M0SFET,在一个同步整流周期内,延迟初级M0SFET开通驱动tl秒,延迟同步整流M0SFET开通t3秒,提前同步整流M0SFET关断t2秒,分别控制tl,t2,t3为不同时间长度,以使两个M0SFET无开通重叠,并且同步整流M0SFET提早关断,初级M0SFET有足够时间完成谐振,确保在一个同步整流周期内同时存在同步整流状态和二极管 ...
【技术保护点】
一种反激同步整流控制方法,其特征在于,用于反激同步整流控制电路,所述反激同步整流控制电路包括初级MOSFET和同步整流MOSFET,在一个同步整流周期内,延迟初级MOSFET开通驱动t1秒,延迟同步整流MOSFET开通t3秒,提前同步整流MOSFET关断t2秒,分别控制t1,t2,t3为不同时间长度,以使两个MOSFET无开通重叠,并且同步整流MOSFET提早关断,初级MOSFET有足够时间完成谐振,确保在一个同步整流周期内同时存在同步整流状态和二极管整流状态。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:陈京谊,刘晓刚,张福亮,李诚,李敬,
申请(专利权)人:航天科工惯性技术有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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