副边整流吸收电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种副边整流吸收电路，该电路包括接于第一变压器副边的第一副边整流吸收电路和接于第二变压器副边的第二副边整流吸收电路；其中：所述第一副边整流吸收电路的高电平直流母线连接到第二副边整流电路的低电平直流母线；所述第一副边整流吸收电路的输出端连接到第二副边整流吸收电路的一个输出端；所述第二副边整流吸收电路的两个输出端分别连接到负载两端；本实用新型专利技术的有益效果：在高压输出场合中，采用提出的二极管整流方案以及吸收电路，可以有效解决输出整流二极管电压应力过高以及吸收电路损耗太大问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电路领域，更具体地说，涉及一种副边整流吸收电路。
技术介绍
对于输出高压场合，其副边整流二极管电压应力较高。考虑到寄生参数引起的振荡，副边整流二极管电压应力将会更高，如图1所示。这类电路应用于高压输出场合，具有以下缺点:1.高压二极管的开关特性通常较差，限制开关频率进一步提升；2.采用这种RCD吸收电路，尖峰吸收的能量全部被电阻所消耗，吸收电阻Rl发热严重。针对以上缺点，目前常用的解决方法是降低开关频率，使得副边整流二极管的损耗在可接受范围之内。而这种做法通常会牺牲效率，同时增加开关电源体积。
技术实现思路
本技术解决的技术问题在于，针对传统电路应用于高压输出场合，存在变压器副边整流二极管难以选取以及吸收电路中电路损耗太大问题，提供一种副边整流吸收电路。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种副边整流吸收电路，该电路包括接于第一变压器副边的第一副边整流吸收电路和接于第二变压器副边的第二副边整流吸收电路；其中:所述第一副边整流吸收电路的高电平直流母线连接到第二副边整流电路的低电平直流母线；所述第一副边整流吸收电路用于实现高压输出环境下的尖峰抑制，且该第一副边整流吸收本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种副边整流吸收电路，其特征在于，该电路包括接于第一变压器副边的第一副边整流吸收电路和接于第二变压器副边的第二副边整流吸收电路；其中：所述第一副边整流吸收电路的高电平直流母线连接到第二副边整流电路的低电平直流母线；所述第一副边整流吸收电路用于实现高压输出环境下的尖峰抑制，且该第一副边整流吸收电路的输出端连接到第二副边整流吸收电路的一个输出端；所述第二副边整流吸收电路用于在高压输出环境下降低副边整流二极管的电压应力和低损耗抑制尖峰，且该第二副边整流吸收电路的两个输出端分别连接到负载两端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志军，
申请(专利权)人：苏州汇川技术有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32