一种改善带外抑制的滤波器制造技术

本实用新型专利技术提供一种改善带外抑制的滤波器，该滤波器至少具有三个谐振孔，其上表面上设有“U”字形结构的无涂层隔断条，所述无涂层隔断条跨越相邻的三个所述谐振孔，所述无涂层隔断条将上表面上的外导电层分隔成与后端面连接的第一外导电层、和与前端面连接的第二外导电层，所述无涂层隔断条与前端面上的无涂层区域连通。本实用新型专利技术的一种改善带外抑制的滤波器，位于上表面上的无涂层隔断条将上表面上的外导电层隔断成不连通的两部分，其中第二外导电层与第一谐振孔、第三谐振孔上的局部导电层之间形成电场中的等效电容，借助电容的滤波特性在滤波器的低频边带形成衰减极点，达到不改变产品体积而提高频带边带抑制比的目的，更利于产品的设计。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及无线移动通信基站、直放站等设备上使用的陶瓷介质滤波器，具体涉及一种能够改善带外抑制的滤波器。
技术介绍
随着无线移动通信技术的迅猛发展，对通信基站、直放站等设备的性能要求越来越高，其中，滤波器作为选频器件在频带内应该具有最好的通频特性，在频带边带应该具有最好的阻频特性，也就是在频带边带应该具有最大的抑制比，实现大的矩形系数。传统的陶瓷介质滤波器要实现频带边带很好的阻频特性需要在介质滤波器上增加陷波孔以及相应的附加空间内形成，当使用介质滤波器的系统设备空间有限时，就只能损失频带边带的阻频特性，无法两者兼顾。
技术实现思路
为了解决
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中的不足，本技术的目的在于克服
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的缺陷，提供一种改善带外抑制的滤波器，其目的是不改变滤波器体积的前提下提高频带边带的抑制比，更利于产品的设计。为达到上述目的，本技术采用的技术方案为:一种改善带外抑制的滤波器，包括由陶瓷材料成型的介质基体，所述介质基体具有作为开放面的前端面、设有外导电层的上表面、作为短路面的后端面，所述介质基体上贯通其前端面和后端面的设有一排轴线平行的谐振孔，各所述谐振孔的内表面上均设有内导电层，所述内导电层通过短路面与外导电层连接，所述前端面上围绕各所述谐振孔的周边均设有局部导电层，所述局部导电层与各自的所述谐振孔内的内导电层连接，每块所述局部导电层四周均为无涂层区域，其特征在于:所述谐振孔至少为三个，所述上表面上设有“U”字形结构的无涂层隔断条，所述无涂层隔断条跨越相邻的三个所述谐振孔，所述无涂层隔断条将上表面上的外导电层分隔成与后端面连接的第一外导电层、和与前端面连接的第二外导电层，所述无涂层隔断条与前端面上的无涂层区域连通。本技术一个较佳实施例中，进一步包括所述无涂层隔断条跨越的三个谐振孔分别为第一谐振孔、第二谐振孔、第三谐振孔，所述第一谐振孔、第二谐振孔、第三谐振孔的周边形成的所述局部导电层与所述第二外导电层之间均为无涂层区域。本技术的有益之处在于:本技术的一种改善带外抑制的滤波器，位于上表面上的无涂层隔断条将上表面上的外导电层隔断成不连通的两部分，其中第二外导电层与第一谐振孔、第三谐振孔上的局部导电层之间形成电场中的等效电容，借助电容的滤波特性在滤波器的低频边带形成衰减极点，达到不改变产品体积而提高频带边带抑制比的目的，更利于产品的设计。【附图说明】下面结合附图和【具体实施方式】对本技术作进一步详细的说明。图1是本技术优选实施例的立体图；图2时本技术优选实施例的俯视图；图3时本技术优选实施例的等效电路图。图中:2、介质基体，21、前端面，22、上表面，23、后端面，24、谐振孔；4、外导电层，5、内导电层，6、局部导电层，8、无涂层区域，10、无涂层隔断条，12、第一外导电层，14、第二外导电层，16、第一谐振孔，18、第二谐振孔，20、第三谐振孔。【具体实施方式】为了使本
的人员更好地理解本技术方案，并使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合实施例及实施例附图对本技术作进一步详细的说明。如图1、2所示，本技术提供一种改善带外抑制的滤波器，包括由陶瓷材料成型的介质基体2，介质基体2为具有六个平整表面的长方体结构，具有作为开放面的前端面21、设有外导电层4的上表面22、设有导电层的作为短路面的后端面23，所述介质基体2上贯通其前端面21和后端面23的设有一排轴线平行的谐振孔24，本技术的滤波器优选的谐振孔24为并排、平行设置的至少三个，各所述谐振孔24的内表面上均设有内导电层5，所述内导电层5通过短路面与外导电层4连接，所述前端面21上围绕各所述谐振孔24的周边均设有局部导电层6，所述局部导电层6与各自的所述谐振孔24内的内导电层5连接，每块所述局部导电层6四周均为无涂层区域8，所述上表面22上设有“U”字形结构的无涂层隔断条10，所述无涂层隔断条10跨越相邻的三个所述谐振孔24，所述无涂层隔断条10将上表面22上的外导电层4分隔成与后端面23连接的第一外导电层12、和与前端面21连接的第二外导电层14，所述无涂层隔断条10与前端面21上的无涂层区域8连通。分别以无涂层隔断条10的两端边缘为起点，向垂直于谐振孔24的方向做两条垂线，两垂线之间跨越有三个连续的谐振孔24，具体的，跨越的三个谐振孔分别为第一谐振孔16、第二谐振孔18、第三谐振孔20，所述第一谐振孔16、第二谐振孔18、第三谐振孔20的周边形成的所述局部导电层6与所述第二外导电层14之间均为无涂层区域10。如图3所示，基于上述结构，本技术的滤波器改善带外抑制的原理为:无涂层隔断条10将上表面22上的外导电层4隔断成不连通的两部分，其中第二外导电层14与第一谐振孔16、第三谐振孔20上的局部导电层6之间形成电场中的等效电容，等效电容在低频边带形成衰减极点，可以改变无涂层隔断条10在上表面22上向两端的边缘延伸长度来调节极点的位置，通过试验得出往外侧延伸时极点往中心频率的方向推移，反之，往内侧延伸时极点背向中心频率向低频方向推移。本技术借助无涂层隔断条10产生的等效电容形成衰减极点，达到不改变产品体积而提高频带边带抑制比的目的，更利于产品的设i+o需要指出的是，本技术的改善带外抑制的特性并不局限于滤波器，同样适用于双工器中使用，同样具有很好的带外抑制改善。上述实施例为本技术较佳的实施方式，但本技术的实施方式并不受所述实施例的限制，其它的任何未背离本技术的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化均应为等效的置换方式，都包含在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应该以权利要求所界定的保护范围为准。【主权项】1.一种改善带外抑制的滤波器，包括由陶瓷材料成型的介质基体，所述介质基体具有作为开放面的前端面、设有外导电层的上表面、作为短路面的后端面，所述介质基体上贯通其前端面和后端面的设有一排轴线平行的谐振孔，各所述谐振孔的内表面上均设有内导电层，所述内导电层通过短路面与外导电层连接，所述前端面上围绕各所述谐振孔的周边均设有局部导电层，所述局部导电层与各自的所述谐振孔内的内导电层连接，每块所述局部导电层四周均为无涂层区域，其特征在于:所述谐振孔至少为三个，所述上表面上设有“U”字形结构的无涂层隔断条，所述无涂层隔断条跨越相邻的三个所述谐振孔，所述无涂层隔断条将上表面上的外导电层分隔成与后端面连接的第一外导电层、和与前端面连接的第二外导电层，所述无涂层隔断条与前端面上的无涂层区域连通。2.根据权利要求1所述的一种改善带外抑制的滤波器，其特征在于:所述无涂层隔断条跨越的三个谐振孔分别为第一谐振孔、第二谐振孔、第三谐振孔，所述第一谐振孔、第二谐振孔、第三谐振孔的周边形成的所述局部导电层与所述第二外导电层之间均为无涂层区域。【专利摘要】本技术提供一种改善带外抑制的滤波器，该滤波器至少具有三个谐振孔，其上表面上设有“U”字形结构的无涂层隔断条，所述无涂层隔断条跨越相邻的三个所述谐振孔，所述无涂层隔断条将上表面上的外导电层分隔成与后端面连接的第一外导电层、和与前端面连接的第二外导电层，所述无涂层隔断条与前端面上的无涂层区域连通。本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善带外抑制的滤波器，包括由陶瓷材料成型的介质基体，所述介质基体具有作为开放面的前端面、设有外导电层的上表面、作为短路面的后端面，所述介质基体上贯通其前端面和后端面的设有一排轴线平行的谐振孔，各所述谐振孔的内表面上均设有内导电层，所述内导电层通过短路面与外导电层连接，所述前端面上围绕各所述谐振孔的周边均设有局部导电层，所述局部导电层与各自的所述谐振孔内的内导电层连接，每块所述局部导电层四周均为无涂层区域，其特征在于：所述谐振孔至少为三个，所述上表面上设有“U”字形结构的无涂层隔断条，所述无涂层隔断条跨越相邻的三个所述谐振孔，所述无涂层隔断条将上表面上的外导电层分隔成与后端面连接的第一外导电层、和与前端面连接的第二外导电层，所述无涂层隔断条与前端面上的无涂层区域连通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘亚玲，刘文征，
申请(专利权)人：深圳乾瀚科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44