宽通带介质滤波器及通讯设备制造技术

本技术涉及一种宽通带介质滤波器及通讯设备，包括长方体结构的介质块，所述介质块内设有多个谐振孔，所述多个谐振孔沿第一方向依次间隔分布，且所述谐振孔沿第二方向贯通所述介质块的两个表面，所述谐振孔一端所在的所述介质块表面设有构成滤波器滤波特性的正耦合金属层电路结构，所述谐振孔另一端所在的所述介质块表面设有沉槽，所述沉槽沿所述第二方向下沉，且所述沉槽沿第一方向连通各所述谐振孔。本技术所述的宽通带介质滤波器及通讯设备，可以做到小尺寸设计的同时做到8％～12％倍中心频的带宽，同时满足一定的通带外抑制性能。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及通讯器件，尤其是指一种宽通带介质滤波器，以及包含该宽通带介质滤波器的通讯设备。

技术介绍

1、滤波器作为通讯器件，多用于通讯基站、天线等设备上实现信号选择。随着整机体积的缩小，滤波器作为其中最重要的通讯器件之一，对尺寸提出了更高的要求。其中，介质滤波器是实现滤波器小型化的一种选择，介质滤波器采用固态介电材料制成本体，并在本体表面金属化形成谐振器，多个谐振器以及各个谐振器之间的耦合形成滤波器。但是，介质滤波器的带宽bw(band width)受限于其谐振器的数量，而谐振器的数量越多介质滤波器的尺寸就会越大，也就是说现有技术中小尺寸的介质滤波器很难做宽通带设计，比如，四个谐振器、中心频率在800mhz～1500mhz的介质滤波器，通带宽度很难做到100mhz。

技术实现思路

1、为此，本技术所要解决的技术问题在于克服现有技术中小尺寸的介质滤波器很难做宽通带设计，提供一种宽通带介质滤波器及通讯设备，该介质滤波器可以做到小尺寸设计的同时做到8％～12％倍中心频的带宽，同时满足一定的通带外抑制性能。

2、为解决上述技术问题，本技术提供了一种宽通带介质滤波器，包括长方体结构的介质块，所述介质块内设有多个谐振孔，所述多个谐振孔沿第一方向依次间隔分布，且所述谐振孔沿第二方向贯通所述介质块的两个表面，所述谐振孔一端所在的所述介质块表面设有构成滤波器滤波特性的正耦合金属层电路结构，所述谐振孔另一端所在的所述介质块表面设有沉槽，所述沉槽沿所述第二方向下沉，且所述沉槽沿第一方向连通各所述谐振孔。

3、在本技术的一个实施例中，对应各个所述谐振孔，所述沉槽下沉的深度一致，且所述沉槽下沉的深度与所述滤波器的带宽bw相关。

4、在本技术的一个实施例中，所述沉槽位于所述介质块表面的中心设置。

5、在本技术的一个实施例中，所述正耦合金属层电路结构包括局部电路金属层和局部端口金属层，其中，所述谐振孔一端所在的所述介质块表面上围绕每个所述谐振孔均设有所述局部电路金属层，且相邻所述谐振孔的所述局部电路金属层之间设有耦合金属层，所述耦合金属层与位于其两侧的所述局部电路金属层之间均设有绝缘间隙；所述介质块沿第三方向形成的其中一个表面上设有所述局部端口金属层，所述局部端口金属层与边缘的所述局部电路金属层连接。

6、在本技术的一个实施例中，沿所述第一方向，位于中部的所述谐振孔对应的所述局部电路金属层中，至少有一个所述局部电路金属层设有矩形齿。

7、在本技术的一个实施例中，所述局部端口金属层还向所述介质块的侧部表面延伸形成端口延伸金属层。

8、在本技术的一个实施例中，所述端口延伸金属层的延伸面积与所述滤波器的带宽关联。

9、在本技术的一个实施例中，所述局部电路金属层为银层、铜层、金层或者铝合金层；所述局部端口金属层为银层、铜层、金层或者铝合金层。

10、在本技术的一个实施例中，所述谐振孔为圆孔、方孔或者椭圆孔。

11、第二方面，为解决上述技术问题，本技术还提供了一种通讯设备，包括所述的宽通带介质滤波器。

12、本技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：

13、本技术所述的宽通带介质滤波器及通讯设备，包括长方体结构的介质块，所述介质块内设有多个谐振孔，所述多个谐振孔沿第一方向依次间隔分布，且所述谐振孔沿第二方向贯通所述介质块的两个表面，所述谐振孔的数量越多所述介质滤波器沿第一方向的尺寸越大，反之，所述谐振孔的数量越少尺寸越小；所述谐振孔一端所在的所述介质块表面设有构成滤波器滤波特性的正耦合金属层电路结构，所述多个谐振孔和所述正耦合金属层电路结构形成多个谐振器，由所述多个谐振器构成介质滤波器，所述谐振孔另一端所在的所述介质块表面设有沉槽，所述沉槽沿所述第二方向下沉，且所述沉槽沿第一方向连通各所述谐振孔。本技术所述的宽通带介质滤波器及通讯设备，所述沉槽的设计等效于增加相邻谐振器之间的正耦合的耦合量，使得该介质滤波器可以做到小尺寸设计的同时做到8％～12％倍中心频的带宽，同时满足一定的通带外抑制性能和通带内波动，比如可以做到包含四个谐振器、且中心频率在1200mhz的介质滤波器，通带宽度做到140mhz。

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【技术保护点】

1.一种宽通带介质滤波器，其特征在于：包括，

2.根据权利要求1所述的宽通带介质滤波器，其特征在于：对应各个所述谐振孔，所述沉槽下沉的深度一致，且所述沉槽下沉的深度与所述滤波器的带宽BW相关。

3.根据权利要求1或2所述的宽通带介质滤波器，其特征在于：所述沉槽位于所述介质块表面的中心设置。

4.根据权利要求1所述的宽通带介质滤波器，其特征在于：所述正耦合金属层电路结构包括局部电路金属层和局部端口金属层，其中，所述谐振孔一端所在的所述介质块表面上围绕每个所述谐振孔均设有所述局部电路金属层，且相邻所述谐振孔的所述局部电路金属层之间设有耦合金属层，所述耦合金属层与位于其两侧的所述局部电路金属层之间均设有绝缘间隙；所述介质块沿第三方向形成的其中一个表面上设有所述局部端口金属层，所述局部端口金属层与边缘的所述局部电路金属层连接。

5.根据权利要求4所述的宽通带介质滤波器，其特征在于：沿所述第一方向，位于中部的所述谐振孔对应的所述局部电路金属层中，至少有一个所述局部电路金属层设有矩形齿。

6.根据权利要求4所述的宽通带介质滤波器，其特征在于：所述局部端口金属层还向所述介质块的侧部表面延伸形成端口延伸金属层。

7.根据权利要求6所述的宽通带介质滤波器，其特征在于：所述端口延伸金属层的延伸面积与所述滤波器的带宽关联。

8.根据权利要求4所述的宽通带介质滤波器，其特征在于：所述局部电路金属层为银层、铜层、金层或者铝合金层；所述局部端口金属层为银层、铜层、金层或者铝合金层。

9.根据权利要求8所述的宽通带介质滤波器，其特征在于：所述谐振孔为圆孔、方孔或者椭圆孔。

10.一种通讯设备，其特征在于：包括如权利要求1-9任一项所述的宽通带介质滤波器。

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【技术特征摘要】

1.一种宽通带介质滤波器，其特征在于：包括，

2.根据权利要求1所述的宽通带介质滤波器，其特征在于：对应各个所述谐振孔，所述沉槽下沉的深度一致，且所述沉槽下沉的深度与所述滤波器的带宽bw相关。

3.根据权利要求1或2所述的宽通带介质滤波器，其特征在于：所述沉槽位于所述介质块表面的中心设置。

4.根据权利要求1所述的宽通带介质滤波器，其特征在于：所述正耦合金属层电路结构包括局部电路金属层和局部端口金属层，其中，所述谐振孔一端所在的所述介质块表面上围绕每个所述谐振孔均设有所述局部电路金属层，且相邻所述谐振孔的所述局部电路金属层之间设有耦合金属层，所述耦合金属层与位于其两侧的所述局部电路金属层之间均设有绝缘间隙；所述介质块沿第三方向形成的其中一个表面上设有所述局部端口金属层，所述局部端口金属层与边缘的所述局部电路金属层连接。

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【专利技术属性】
技术研发人员：凌立恒，
申请(专利权)人：深圳乾瀚科技有限公司，
类型：新型
国别省市：