像素驱动电路、驱动方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示技术领域，公开了一种像素驱动电路，包括：数据线、栅线、第一电源线、第二电源线、发光器件、驱动晶体管、存储电容、复位单元、数据写入单元、补偿单元及发光控制单元。本发明专利技术还公开了一种驱动方法、阵列基板及显示装置。本发明专利技术的像素驱动电路能够补偿和消除驱动晶体管阈值电压差所造成的显示不均。

【技术实现步骤摘要】
像素驱动电路、驱动方法、阵列基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种像素驱动电路、驱动方法、阵列基板及显示装置。
技术介绍
有机电致发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)作为一种电流型发光器件已越来越多地被应用于高性能有源矩阵发光有机电致显示管中。传统的无源矩阵有机电致发光显示器件(PassiveMatrixOLED)随着显示尺寸的增大，需要更短的单个像素的驱动时间，因而需要增大瞬态电流，增加功耗。同时大电流的应用会造成氧化铟锡金属氧化物线上压降过大，并使OLED工作电压过高，进而降低其效率。而有源矩阵有机电致发光显示管(ActiveMatrixOLED，AMOLED)通过开关晶体管逐行扫描输入OLED电流，可以很好地解决这些问题。在AMOLED的像素电路设计中，主要需要解决的问题是各AMOLED像素驱动单元所驱动的OLED器件亮度的非均匀性。首先，AMOLED采用薄膜晶体管(Thin-FilmTransistor，TFT)构建像素驱动单元为发光器件提供相应的驱动电流。现有技术中，大多采用低温多晶硅薄膜晶体管或氧化物薄膜晶体管。与一般的非晶硅薄膜晶体管相比，低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管具有更高的迁移率和更稳定的特性，更适合应用于AMOLED显示中。但是由于晶化工艺的局限性，在大面积玻璃基板上制作的低温多晶硅薄膜晶体管，常常在诸如阈值电压、迁移率等电学参数上具有非均匀性，这种非均匀性会转化为OLED器件的驱动电流差异和亮度差异，并被人眼所感知，即色不均现象。氧化物薄膜晶体管虽然工艺的均匀性较好，但是与非晶硅薄膜晶体管类似，在长时间加压和高温下，其阈值电压会出现漂移，由于显示画面不同，面板各部分薄膜晶体管的阈值漂移量不同，会造成显示亮度差异，由于这种差异与之前显示的图像有关，因此常呈现为残影现象。由于OLED的发光器件是电流驱动器件，因此，在驱动发光器件发光的像素驱动单元中，其驱动晶体管的阈值特性对驱动电流和最终显示的亮度影响很大。驱动晶体管受到电压应力和光照都会使其阈值发生漂移，这种阀值漂移会在显示效果上体现为亮度不均。另外，现有AMOLED的像素电路为了消除驱动晶体管阈值电压差所造成的影响，通常会将像素电路的结构设计的比较复杂，这会直接导致AMOLED的像素电路制作良品率的降低。因此，为解决上述问题，本专利技术急需提供一种像素驱动单元及其驱动方法、像素电路。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是：如何实现一种具有补偿和消除驱动晶体管阈值电压差所造成的显示不均的能力的AMOLED像素驱动电路。(二)技术方案为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种像素驱动电路，包括：数据线、栅线、第一电源线、第二电源线、发光器件、驱动晶体管、存储电容、复位单元、数据写入单元，补偿单元及发光控制单元；所述数据线用于提供数据电压；所述栅线用于提供扫描电压；所述第一电源线用于提供第一电源电压，所述第二电源线用于提供第二电源电压；所述复位单元用于复位所述存储电容两端的电压为预定电压；所述数据写入单元连接栅线、数据线及所述存储电容的第二端，用于向所述存储电容的第二端写入包括数据电压的信息，所述补偿单元连接栅线、存储电容的第一端和驱动晶体管，用于向存储电容的第一端写入包括驱动晶体管阈值电压的信息以及第一电源电压的信息；所述发光控制单元连接所述存储电容、驱动晶体管和所述发光器件，用于控制所述驱动晶体管驱动发光器件发光；所述存储电容的第一端连接驱动晶体管的栅极，用于将包括数据电压的信息转写至驱动晶体管的栅极；所述驱动晶体管连接第一电源线，所述发光器件连接第二电源线，所述驱动晶体管用于在发光控制单元的控制下根据包括所述数据电压、驱动晶体管阈值电压以及第一电源电压的信息控制流向发光器件的电流大小。其中，所述复位单元包括：复位控制线、复位信号线、第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极连接所述复位控制线、源极连接所述复位信号线、漏极连接所述存储电容的第一端，所述第一晶体管用于将复位信号线电压写入所述存储电容的第一端；所述第二晶体管的栅极连接所述复位控制线、源极连接所述数据线、漏极连接所述存储电容的第二端，所述第二晶体管用于将数据电压写入所述存储电容的第二端。其中，所述第一晶体管和第二晶体管均为P型晶体管。其中，所述数据写入单元包括：第四晶体管；所述第四晶体管的栅极连接所述栅线、源极连接所述数据线、漏极连接所述存储电容的第二端，所述第四晶体管用于将数据电压写入存储电容的第二端。其中，所述第四晶体管为P型晶体管。其中，所述补偿单元包括：第三晶体管；所述第三晶体管的栅极连接所述栅线、源极连接所述存储电容的第一端、漏极连接所述驱动晶体管的漏极，所述第三晶体管用于将包括驱动晶体管的阈值电压信息以及第一电源电压的信息写入所述存储电容的第一端。其中，所述第三晶体管为P型晶体管。其中，还包括补偿信号线，所述发光控制单元包括：发光控制线、第五晶体管和第六晶体管；所述第五晶体管的栅极连接所述发光控制线、源极连接所述补偿信号线、漏极连接所述存储电容的第二端，所述第五晶体管用于将补偿信号线电压写入存储电容的第二端，并由存储电容转写至驱动晶体管栅极；所述第六晶体管的栅极连接所述发光控制线、源极连接所述发光器件的第一端、漏极连接所述驱动晶体管的漏极，所述第六晶体管用于控制发光器件发光，所述驱动晶体管用于在发光控制单元的控制下根据包括所述数据电压、驱动晶体管阈值电压、第一电源电压和补偿信号线电压的信息控制流向发光器件的电流大小。其中，所述发光控制单元包括：发光控制线、第五晶体管和第六晶体管；所述第五晶体管的栅极连接所述发光控制线、源极连接所述第一电源线、漏极连接所述存储电容的第二端，所述第五晶体管用于将所述第一电源电压写入存储电容的第二端，并由存储电容转写至驱动晶体管栅极；所述第六晶体管的栅极连接所述发光控制线、源极连接所述发光器件的第一端、漏极连接所述驱动晶体管的漏极，所述第六晶体管用于控制发光器件发光，所述驱动晶体管用于在发光控制单元的控制下根据包括所述数据电压、驱动晶体管阈值电压、第一电源电压的信息控制流向发光器件的电流大小。其中，所述第五晶体管和第六晶体管均为P型晶体管。其中，所述驱动晶体管均为P型晶体管。本专利技术还提供了一种上述任一项所述的像素驱动电路的驱动方法，包括如下过程：复位阶段，所述复位单元复位所述存储电容两端的电压为预定电压；数据电压写入阶段，所述数据写入单元向所述存储电容的第二端写入数据电压，所述补偿单元向存储电容的第一端写入包括驱动晶体管的阈值电压信息以及第一电源电压信息；发光阶段，所述存储电容将包括数据电压的信息转写至驱动晶体管的栅极，所述驱动晶体管在发光控制单元的控制下根据包括所述数据电压、驱动晶体管阈值电压以及第一电源电压的信息控制流向发光器件的电流大小，以驱动所述发光器件发光。其中，所述复位阶段中，所述复位单元复位所述存储电容两端的电压分别为复位信号线电压和数据电压。其中，所述发光阶段还包括：所述发光控制单元向所述存储电容的第二端写入补偿信号线电压，所述存储电容将包括所述补偿信号线电压以及包括数据电压的信息转写至驱动晶体管的栅极，所述驱动晶体管在发光控制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素驱动电路，其特征在于，包括：数据线、栅线、第一电源线、第二电源线、发光器件、驱动晶体管、存储电容、复位单元、数据写入单元，补偿单元及发光控制单元；所述数据线用于提供数据电压；所述栅线用于提供扫描电压；所述第一电源线用于提供第一电源电压，所述第二电源线用于提供第二电源电压；所述复位单元用于复位所述存储电容两端的电压为预定电压；所述数据写入单元连接栅线、数据线及所述存储电容的第二端，用于向所述存储电容的第二端写入包括数据电压的信息，所述补偿单元连接栅线、存储电容的第一端和驱动晶体管，用于向存储电容的第一端写入包括驱动晶体管阈值电压的信息以及第一电源电压的信息；所述发光控制单元连接所述存储电容、驱动晶体管和所述发光器件，用于控制所述驱动晶体管驱动发光器件发光；所述存储电容的第一端连接驱动晶体管的栅极，用于将包括数据电压的信息转写至驱动晶体管的栅极；所述驱动晶体管连接第一电源线，所述发光器件连接第二电源线，所述驱动晶体管用于在发光控制单元的控制下根据包括所述数据电压、驱动晶体管阈值电压以及第一电源电压的信息控制流向发光器件的电流大小。

【技术特征摘要】
1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括：数据线、栅线、第一电源线、第二电源线、发光器件、驱动晶体管、存储电容、复位单元、数据写入单元，补偿单元及发光控制单元；所述数据线用于提供数据电压；所述栅线用于提供扫描电压；所述第一电源线用于提供第一电源电压，所述第二电源线用于提供第二电源电压；所述复位单元用于复位所述存储电容两端的电压为预定电压；其中所述复位单元包括：复位控制线、复位信号线、第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极连接所述复位控制线、源极连接所述复位信号线、漏极连接所述存储电容的第一端，所述第一晶体管用于将复位信号线电压写入所述存储电容的第一端；所述第二晶体管的栅极连接所述复位控制线、源极连接所述数据线、漏极连接所述存储电容的第二端，所述第二晶体管用于将数据电压写入所述存储电容的第二端；所述数据写入单元连接栅线、数据线及所述存储电容的第二端，用于向所述存储电容的第二端写入包括数据电压的信息，所述补偿单元连接栅线、存储电容的第一端和驱动晶体管，用于向存储电容的第一端写入包括驱动晶体管阈值电压的信息以及第一电源电压的信息；所述发光控制单元连接所述存储电容、驱动晶体管和所述发光器件，用于控制所述驱动晶体管驱动发光器件发光；所述存储电容的第一端连接驱动晶体管的栅极，用于将包括数据电压的信息转写至驱动晶体管的栅极；所述驱动晶体管连接第一电源线，所述发光器件连接第二电源线，所述驱动晶体管用于在发光控制单元的控制下根据包括所述数据电压、驱动晶体管阈值电压以及第一电源电压的信息控制流向发光器件的电流大小；还包括补偿信号线，所述发光控制单元包括：发光控制线、第五晶体管和第六晶体管；所述第五晶体管的栅极连接所述发光控制线、源极连接所述补偿信号线、漏极连接所述存储电容的第二端，所述第五晶体管用于将补偿信号线电压写入存储电容的第二端，并由存储电容转写至驱动晶体管栅极；所述第六晶体管的栅极连接所述发光控制线、源极连接所述发光器件的第一端、漏极连接所述驱动晶体管的漏极，所述第六晶体管用于控制发光器件发光，所述驱动晶体管用于在发光控制单元的控制下根据包括所述数据电压、驱动晶体管阈值电压、第一电源电压和补偿信号线电压的信息控制流向发光器件的电流大小；或者，所述发光控制单元包括：发光控制线、第五晶体管和第六晶体管；所述第五晶体管的栅极连接所述发光控制线、源极连接所述第一电源线、漏极连接所述存储电容的第二端，所述第五晶体管用于将所述第一电源电压写入存储电容的第二端，并由存储电容转写至驱动晶体管栅极；所述第六晶体管的栅极连接所述发光控制线、源极连接所述发光器件的第一端、漏极连接所述驱动晶体管的漏极，所述第六晶体管用于控制发光器件发光，所述驱动晶体管用于在发光控制单元的控制下根据包括所述数据电压、驱动晶体管阈值电压、第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙亮，王颖，孙拓，马占洁，张林涛，皇甫鲁江，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11