一种锁相式光电纠偏传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种锁相式光电纠偏传感器，其由主控芯片K，与该主控芯片K相连接的信号采集电路，与该主控芯片K相连接的纠偏电路组成；其特征在于：在主控芯片K与纠偏电路之间还设置有锁相电路；本实用新型专利技术整体结构非常简单，能在不增加电子温度计结构复杂程序和防水难度的情况下，实现温度计的低功耗性能。同时，本实用新型专利技术设置有锁相电路，其可以对所采集到的信号进行锁相处理，避免信号因相位波动而影响本实用新型专利技术的精确度。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种光电传感器，具体是指一种锁相式光电纠偏传感器。
技术介绍
光电纠偏传感器是指应用于各种纠偏设备中的一种光电传感器，其能够检测目标的边沿或标志线，输出反映边沿或标志线的标准模拟信号提供给收集控制器，通过纠偏驱动器的机械运动实现纠偏。目前光电纠偏传感器的各种开收卷设备中不可缺少的组成部分。然而，传统的光电纠偏传感器其输出的信号误差大，并不能满足目前生产的高精度需求。
技术实现思路
本技术的目的在于克服传统的光电纠偏传感器其输出的信号误差大的缺陷，提供一种不仅结构简单，而且精度高的锁相式光电纠偏传感器。本技术的目的通过下述技术方案实现:一种锁相式光电纠偏传感器，其由主控芯片K，与该主控芯片K相连接的信号采集电路，与该主控芯片K相连接的纠偏电路组成，为了达到本专利技术的目的，本专利技术在主控芯片K与纠偏电路之间还设置有锁相电路。进一步的，所述的锁相电路由场效应管M0S1，三极管Q2，三极管Q3，N极与该主控芯片K的OUT管脚相连接、P极则与场效应管MOSl的栅极相连接的二极管Dl，一端与二极管Dl的N极相连接、另一端则与三极管Q3的集电极相连接的电阻R9，一端与三极管Q3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锁相式光电纠偏传感器，其由主控芯片K，与该主控芯片K相连接的信号采集电路，与该主控芯片K相连接的纠偏电路组成；其特征在于：在主控芯片K与纠偏电路之间还设置有锁相电路；所述的锁相电路由场效应管MOS1，三极管Q2，三极管Q3，N极与该主控芯片K的OUT管脚相连接、P极则与场效应管MOS1的栅极相连接的二极管D1，一端与二极管D1的N极相连接、另一端则与三极管Q3的集电极相连接的电阻R9，一端与三极管Q3的基极相连接、另一端接地的电阻R11，一端与场效应管MOS1的漏极相连接、另一端则与三极管Q2的集电极相连接的电阻R10，负极与三极管Q2的集电极相连接、正极则接地的电容C7，以及负极与场效应...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘霖，张树民，方晶敏，
申请(专利权)人：宁波摩米创新工场电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33