本实用新型专利技术公开了一种基于信号调理的锁相式光电纠偏传感器，其由信号采集电路，主控芯片K，与该主控芯片K相连接的纠偏电路和锁相电路组成；其特征在于，在信号采集电路与纠偏电路之间还串接有信号调理电路，所述的主控芯片K还与该信号调理电路相连接；本实用新型专利技术整体结构非常简单，能在不增加电子温度计结构复杂程序和防水难度的情况下，实现温度计的低功耗性能。本实用新型专利技术设置有信号调理电路，其可以对所采集到的信号进行滤波处理，避免信号受到电路自身的电压波动或来自外界的干扰因素影响，使本实用新型专利技术所输出的信号更加稳定。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种光电传感器，具体是指一种基于信号调理的锁相式光电纠偏传感器。
技术介绍
光电纠偏传感器是指应用于各种纠偏设备中的一种光电传感器，其能够检测目标的边沿或标志线，输出反映边沿或标志线的标准模拟信号提供给收集控制器，通过纠偏驱动器的机械运动实现纠偏。目前光电纠偏传感器的各种开收卷设备中不可缺少的组成部分。然而，传统的光电纠偏传感器其输出的信号误差大，并不能满足目前生产的高精度需求。
技术实现思路
本技术的目的在于克服传统的光电纠偏传感器其输出的信号误差大的缺陷，提供一种不仅结构简单，而且精度高的基于信号调理的锁相式光电纠偏传感器。本技术的目的通过下述技术方案实现:一种基于信号调理的锁相式光电纠偏传感器，其由信号采集电路，主控芯片K，与该主控芯片K相连接的纠偏电路和锁相电路组成，为了达到本专利技术的目的，本专利技术在信号采集电路与纠偏电路之间还串接有信号调理电路，所述的主控芯片K还与该信号调理电路相连接。进一步的，所述的信号调理电路由三极管Q1，三极管Q2，P极经电阻R5后与三极管Q2的发射极相连接、N极则经电容C3后与三极管Ql的发射极相连接的二极管D3，正极经二极管Dl后与三极管Q2的基极相连接、负极则经电阻R3后与二极管D3的N极相连接的电容C2，与二极管Dl相并联的二极管D2，以及一端与三极管Q2的基极相连接、另一端则与三极管Ql的发射极相连接的电阻R4组成；所述电容C2的负极还与信号采集电路相连接；所述三极管Ql的集电极与电容C2的正极相连接、其基极则与三极管Q2的基极相连接；所述三极管Q2的集电极和二极管D3的P极均与纠偏电路相连接。所述的锁相电路由场效应管MOSl，三极管Q4，三极管Q5，N极与该主控芯片K的OUT管脚相连接、P极则与场效应管MOSl的栅极相连接的二极管D4，一端与二极管D4的N极相连接、另一端则与三极管Q5的集电极相连接的电阻R12，一端与三极管Q5的基极相连接、另一端接地的电阻R14，一端与场效应管MOSl的漏极相连接、另一端则与三极管Q4的集电极相连接的电阻R13，负极与三极管Q4的集电极相连接、正极则接地的电容C9，以及负极与场效应管MOSl的源极相连接、正极则与三极管Q4的基极相连接的电容C8组成；所述的场效应管MOSl的栅极与纠偏电路相连接、其漏极则与三极管Q5的发射极相连接；所述三极管Q5的集电极接地，三极管Q4的发射极则与纠偏电路相连接。所述的信号采集电路包括电阻Rl，电阻R2以及电容Cl ;所述电容Cl的正极与电容C2的负极相连接、其负极接地；电阻Rl的一端与外部电源相连接、其另一端则经电阻R2后与电容Cl的负极相连接。所述的纠偏电路由纠偏芯片M，三极管Q3，一端与纠偏芯片M的RESET管脚相连接、另一端与三极管Q3的基极相连接的电阻R8，一端与三极管Q3的发射极相连接、另一端经电容C6后与纠偏芯片M的PFO管脚相连接的电阻R9，一端与电容C6和电阻R9的连接点相连接、另一端经电阻Rll后接地的电阻R10，与电阻Rll并联的电容C7，反相端分别与纠偏芯片M的WDI管脚以及三极管Q2的集电极相连接、同相端则与场效应管MOSl的栅极相连接的差分放大器U2，串接在差分放大器U2的同相端与输出端之间的电容C4，反相端与纠偏芯片M的WDO管脚相连接、同相端则分别与主控芯片K的IN管脚以及二极管D3的P极相连接的差分放大器U1，正极与差分放大器U2的输出端相连接、负极则与三极管Q4的发射极相连接的电容C5，以及一端与差分放大器Ul的输出端相连接、另一端则经电阻R7后与差分放大器U2的输出端相连接的电阻R6组成；所述三极管Q3的集电极接地。所述主控芯片K为具有低功耗特性的单片微型计算机。所述纠偏芯片M为SGM706集成电路。本技术较现有技术相比具有以下优点及有益效果:(I)本技术整体结构非常简单，能在不增加电子温度计结构复杂程序和防水难度的情况下，实现温度计的低功耗性能。(2)本技术设有纠偏电路，能及时的对信号采集电路所采集温度信号进行纠偏，彻底除去外部因素的干扰，从而使得测量温度值与实际温度值之间差距不± 1°C。(3)本技术设置有锁相电路，其可以对所采集到的信号进行锁相处理，避免信号因相位波动而影响本技术的精确度。(4)本技术设置有信号调理电路，其可以对所采集到的信号进行滤波处理，避免信号受到电路自身的电压波动或来自外界的干扰因素影响，使本技术所输出的信号更加稳定。【附图说明】图1为本技术的整体结构示意图。【具体实施方式】下面结合实施例对本技术作进一步地详细说明，但本技术的实施方式不限于此。实施例如图1所示，本技术由信号采集电路，主控芯片K，与该主控芯片K相连接的纠偏电路和锁相电路组成，为了达到本专利技术的目的，本专利技术在信号采集电路与纠偏电路之间还串接有信号调理电路，所述的主控芯片K还与该信号调理电路相连接。其中，该调理电路为本技术的重点，其由三极管Q1，三极管Q2，电阻R3，电阻R4，电阻R5，二极管Dl，二极管D2，二极管D3，电容C2以及电容C3组成。连接时，二极管D3的P极经电阻R5后与三极管Q2的发射极相连接、其N极则经电容C3后与三极管Ql的发射极相连接，电容C2的正极经二极管Dl后与三极管Q2的基极相连接、负极则经电阻R3后与二极管D3的N极相连接，二极管D2则与二极管Dl相并联，电阻R4的一端与三极管Q2的基极相连接、其另一端则与三极管Ql的发射极相连接。同时，所述电容C2的负极还与信号采集电路相连接。所述三极管Ql的集电极与电容C2的正极相连接、其基极则与三极管Q2的基极相连接。所述三极管Q2的集电极和二极管D3的P极均与纠偏电路相连接。该信号调理电路可以过滤掉干扰信号，使本技术所输出的信号更加稳定。所述的锁相电路由场效应管M0S1，三极管Q4，三极管Q5，电阻R12，电阻R13，电阻R14，电容C8，电容C9以及二极管D4组成。连接时，二极管D4的N极与该主控芯片K的OUT管脚相连接、其P极则与场效应管MOSl的栅极相连接，电阻R12的一端与二极管D4当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基于信号调理的锁相式光电纠偏传感器，其由信号采集电路，主控芯片K，与该主控芯片K相连接的纠偏电路和锁相电路组成；其特征在于，在信号采集电路与纠偏电路之间还串接有信号调理电路，所述的主控芯片K还与该信号调理电路相连接；所述的信号调理电路由三极管Q1，三极管Q2，P极经电阻R5后与三极管Q2的发射极相连接、N极则经电容C3后与三极管Q1的发射极相连接的二极管D3，正极经二极管D1后与三极管Q2的基极相连接、负极则经电阻R3后与二极管D3的N极相连接的电容C2，与二极管D1相并联的二极管D2，以及一端与三极管Q2的基极相连接、另一端则与三极管Q1的发射极相连接的电阻R4组成；所述电容C2的负极还与信号采集电路相连接；所述三极管Q1的集电极与电容C2的正极相连接、其基极则与三极管Q2的基极相连接；所述三极管Q2的集电极和二极管D3的P极均与纠偏电路相连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘霖，刘永，古家顺，南玺，
申请(专利权)人：宁波摩米创新工场电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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