有机发光元件制造技术

本发明专利技术为一种有机发光元件，包括基板、第一电极、有机发光层、第二电极以及结晶层。第一电极位于基板上。有机发光层位于第一电极上。第二电极位于有机发光层上，其中有机发光层位于第一电极与第二电极之间。结晶层位于第二电极上，其中第二电极位于结晶层与有机发光层之间，结晶层的材料包括由如下式(1)、式(2)或式(3)所表示的化合物，式(1)中的X为Si、Ge、Sn、Pb或C，采用本发明专利技术有机发光元件的有机发光显示器具有较佳的显示质量，采用此有机发光元件的有机发光照明装置具有良好的出光效率。

【技术实现步骤摘要】
有机发光元件
本专利技术是有关于一种发光元件，且特别是有关于一种有机发光元件。
技术介绍
随着科技的进步，平面显示器是近年来最受瞩目的显示技术。其中，有机发光显示器因其自发光、无视角依存、省电、制程简易、低成本、低温度操作范围、高应答速度以及全彩化等优点而具有极大的应用潜力，可望成为下一代的平面显示器主流。在有机发光显示器中，上发光型有机发光显示器(top-emissionOLED)通过共振腔效应(microcavityeffect)而具有高色纯度与高效率。然而，上发光型有机发光显示器存在大视角易有色偏的问题，且光线因全反射波导效应而易局限在显示器内，故具有出光效率不佳的缺点。
技术实现思路
本专利技术的目的主要是提供一种有机发光元件，以改善现有技术中大视角色偏现象及出光效率不佳的缺点。本专利技术的目的是这样实现的，一种有机发光元件，包括基板、第一电极、有机发光层、第二电极以及结晶层。第一电极位于基板上。有机发光层位于第一电极上。第二电极位于有机发光层上，其中有机发光层位于第一电极与第二电极之间。结晶层位于第二电极上，其中第二电极位于结晶层与有机发光层之间，结晶层的材料包括由式(1)所表示的化合物，其中X为Si、Ge、Sn、Pb或C，且结晶层具有粗糙表面，其中，该结晶层的最大厚度小于1μm。其中，该第一电极包括一反射电极，且该第二电极包括一穿透电极。其中，更包括一缓冲层，位于该第二电极与该结晶层之间。其中，该粗糙表面为一出光表面。本专利技术的另一种有机发光元件包括基板、第一电极、有机发光层、第二电极以及结晶层。第一电极位于基板上。有机发光层位于第一电极上。第二电极位于有机发光层上，其中有机发光层位于第一电极与第二电极之间。结晶层位于第二电极上，其中第二电极位于结晶层与有机发光层之间，结晶层的材料包括由式(2)表示的化合物，且结晶层具有粗糙表面，其中，该结晶层的最大厚度小于1μm。其中，该第一电极包括一反射电极，且该第二电极包括一穿透电极。其中，更包括一缓冲层，位于该第二电极与该结晶层之间。其中，该粗糙表面为一出光表面。本专利技术的另一种有机发光元件包括基板、第一电极、有机发光层、第二电极以及结晶层。第一电极位于基板上。有机发光层位于第一电极上。第二电极位于有机发光层上，其中有机发光层位于第一电极与第二电极之间。结晶层位于第二电极上，其中第二电极位于结晶层与有机发光层之间，结晶层的材料包括由式(3)表示的化合物，且结晶层具有粗糙表面，其中，该结晶层的最大厚度小于1μm。其中，该第一电极包括一反射电极，且该第二电极包括一穿透电极。其中，更包括一缓冲层，位于该第二电极与该结晶层之间。其中，该粗糙表面为一出光表面。本专利技术的有益效果：基于上述，本专利技术的有机发光元件包括式(1)、式(2)或式(3)表示的化合物所形成的结晶层，此结晶层具有粗糙表面。结晶层能有效地破坏元件内部发光的全反射，将有机发光元件内激发的光线导出，以提升出光效率，并大幅改善大视角色偏现象。因此，采用此有机发光元件的有机发光显示器具有较佳的显示质量，以及采用此有机发光元件的有机发光照明装置具有良好的出光效率。附图说明图1是依照本专利技术的一实施例的一种有机发光元件的剖面示意图；图2是依照本专利技术的另一实施例的一种有机发光元件的剖面示意图；其中，附图标记：100：有机发光元件102：基板110：第一电极120：有机发光层122：电子传输层124：空穴传输层126：空穴注入层130：第二电极140：结晶层142：粗糙表面150：缓冲层具体实施方式为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。图1是依照本专利技术的一实施例的一种有机发光元件的剖面示意图。请参照图1，本实施例的有机发光元件100包括基板102、第一电极110、有机发光层120、第二电极130以及结晶层140。在本实施例中，基板102可为硬式基板或软式基板，硬式基板例如是玻璃基板、刚性塑料基板、金属基板、晶圆或陶瓷基板等，软式基板例如是有机基板，诸如聚亚酰胺基板、聚碳酸酯基板、聚苯二甲酸酯基板、聚萘二甲酸醇酯基板、聚丙烯基板、聚乙烯基板、聚苯乙烯基板、其它合适的基板、上述聚合物衍生物基板、或者是薄的金属或合金基板。基板102可采用透明材质或非透明材质。第一电极110位于基板102上。第二电极130位于有机发光层120上，且第二电极130位于结晶层140与有机发光层120之间。在本实施例中，有机发光元件100为上发光型有机发光显示器，在此情况下，第一电极110例如是反射电极。第二电极130例如是穿透电极。第一电极110可包括反射材料，所述反射材料例如是金属、合金、金属氧化物等导电材质、或是金属与透明金属氧化物导电材料的堆栈层，上述金属例如是金、银、铝、钼、铜、钛、铬、钨或其它合适的金属，然本专利技术不限于此。第二电极130可包括透明金属氧化物导电材料。上述透明金属氧化物导电材料例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物或其它合适的金属氧化物、或是上述至少二者的堆栈层，然本专利技术不限于此。第一电极110与第二电极130可利用蒸镀工艺并搭配精细金属掩膜(finemetalmask,FFM)来形成，然本专利技术不限于此。举例而言，第一电极110与第二电极130也可使用溅镀工艺来形成，或者是化学气相沉积工艺或物理气相沉积并配合微影蚀刻工艺或精细金属掩膜来形成。在本实施例中，第一电极110例如是阳极，以及第二电极130例如是阴极，但必需说明的，第一电极110与第二电极130的阴、阳极与否，就以设计上的需求，而有所变动。有机发光层120位于第一电极110上，且位于第一电极110与第二电极130之间。在本实施例中，有机发光层120可包括红色有机发光图案、绿色有机发光图案、蓝色有机发光图案、其他颜色的发光图案或是上述发光图案的组合。有机发光层120的形成方法例如是蒸镀法、涂布法、沉积法或其它合适的方法。在本实施例中，为了进一步提升有机发光元件100的发光效率，更设置电子传输层122与空穴传输层124。电子传输层122由电子传输材料构成，例如是配置于有机发光层120与第二电极130之间。空穴传输层124由空穴传输材料所构成，例如是配置于有机发光层120与第一电极110之间。此外，还可进一步包括空穴注入层126。空穴注入层126由空穴注入材料构成，例如是配置于第一电极110与空穴传输层124之间。在另一实施例中，可进一步配置电子注入层于第二电极130与电子传输层122之间。然而，必须一提的是，空穴注入层126、空穴传输层124、电子传输层122以及电子注入层的配置是可选的，其亦可不存在于有机发光元件100中。在本实施例中是以有机发光元件为正常型(normaltype)OLED为例，但本专利技术不以此为限，在其他实施例中，有机发光元件亦可应用于反置型(invertedtype)OLED。在本实施例中，有机发光元件100更包括缓冲层150，位于第二电极130与结晶层140之间。缓冲层150的材料通常是使用空穴传输材料等有机材料，例如NPB(N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基联苯胺，N,N’-Bis(naphthalene-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)-benzidi本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光元件，其特征在于，该有机发光元件包括：一基板；一第一电极，位于该基板上；一有机发光层，位于该第一电极上；一第二电极，位于该有机发光层上，其中该有机发光层位于该第一电极与该第二电极之间；以及一结晶层，位于该第二电极上，其中该第二电极位于该结晶层与该有机发光层之间，该结晶层的材料包括由式(1)表示的化合物，其中X为Si、Ge、Sn、Pb或C，且该结晶层具有一粗糙表面，

【技术特征摘要】
2015.07.03 TW 1041216691.一种有机发光元件，其特征在于，该有机发光元件包括：一基板；一第一电极，位于该基板上；一有机发光层，位于该第一电极上；一第二电极，位于该有机发光层上，其中该有机发光层位于该第一电极与该第二电极之间；以及一结晶层，位于该第二电极上，其中该第二电极位于该结晶层与该有机发光层之间，该结晶层的材料的分子结构为立体对称性佳且分子中有单键键结的结构，分子结构可旋转，该结晶层的材料包括由式(1)表示的化合物，其中X为Si、Ge、Sn、Pb或C，且该结晶层具有一粗糙表面，2.根据权利要求1所述的有机发光元件，其特征在于，该结晶层的最大厚度小于1μm。3.根据权利要求1所述的有机发光元件，其特征在于，该第一电极包括一反射电极，且该第二电极包括一穿透电极。4.根据权利要求1所述的有机发光元件，其特征在于，更包括一缓冲层，位于该第二电极与该结晶层之间。5.根据权利要求1所述的有机发光元件，其特征在于，该粗糙表面为一出光表面。6.一种有机发光元件，其特征在于，该有机发光元件包括：一基板；一第一电极，位于该基板上；一有机发光层，位于该第一电极上；一第二电极，位于该有机发光层上，其中该有机发光层位于该第一电极与该第二电极之间；以及一结晶层，位于该第二电极上，其中该第二电极位于该结晶层与该有机发光层之间，该结晶层的材料的分子结构为立体对称性佳且分子中有单键键结的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王禹清，赵清烟，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71