本发明专利技术涉及一种晶硅电池的电镀槽体，其特征在于，包括槽体、阴极和阳极，在槽体内所述阳极的底部高于阴极的底部，所述阳极底部设有塑料条。本发明专利技术提供的铜电极异质结电池具有以下有益技术效果：1.既解决了银储量有限和未来银价格上涨的问题，又满足了光伏产业未来发展的需求；2.铜异质结电池相对目前的传统晶硅电池具有成本更低，而效率更高的优势，尤其是可提高单位面积发电量，更适宜分布式发电；3.铜电极技术研发的成功将突破我国光伏产业低水平重复投资和技术创新性不够的困境。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术设及一种晶娃电池的电锻槽体。
技术介绍
传统晶娃电池工艺中普遍采用的丝网印刷银浆工艺，由于银的成本较高和资源有 限，并不能满足未来太阳能电池的生产需求。而且丝网印刷过程需要对娃片施加一定的压 力，容易导致碎片的问题。传统晶娃电池的产品存在边缘漏电、化学锻锡后ITO发白、栅线 断线、栅线线宽不均匀、栅线脱落等技术缺陷。 本专利技术提供新型的铜电极化技术，运种技术对娃片施加外部压力很微小或可实现 非接触式工艺，可实现低碎片率生产，并且电池制造成本更低而转换效率更高。本专利技术W异 质结电池为基础进行铜电极技术研发，其中包括光刻、湿法腐蚀和电锻等主要工艺技术，最 后进行工艺集成和产业化解决方案的研究。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是W异质结电池为基础进行铜电极技术研发，提供一种 晶娃电池的电锻槽体，阳极的底部高于阴极的底部，阳极底部设有塑料条，克服了栅线断 线、栅线线宽不均匀、栅线脱落等技术问题。 为了解决上述技术问题，本专利技术采取的技术方案如下：[000引 （1) 一种晶娃电池的电锻槽体，包括槽体、阴极和阳极，在槽体内所述阳极的底部 高于阴极的底部，所述阳极底部设有塑料条。似根据（1)所述的晶娃电池的电锻槽体，所述阳极脱焊处用捆扎带捆绑。[000引 做根据（1)或者似制造的异质结电池，所述异质结电池的电极为铜电极，在娃 晶片上下表面设有铜电极层；所述娃晶片的结构依次包括ITO层、P-Si层、i-Si层、Si衬 底、N-Si层、i-Si层和ITO层。[000引 （4) 一种制备做所述的异质结电池的方法，包括如下步骤： a)在娃晶片上沉积铜，形成电极层； b)光刻；[001引 C)湿法及电锻。[001引 妨根据（4)所述的异质结电池的制备方法，所述娃晶片的结构依次包括ITO层、 P-Si层、i-Si层、Si衬底、N-Si层、i-Si层和ITO层。 (6)根据（4)或（5)所述的异质结电池的制备方法，所述a)步骤中，在娃晶片双面 沉积铜，形成电极层；采用射频方式进行沉淀，射频频率为12-16MHZ，工作气体为氣气，祀 材为铜。所述沉积的工艺条件如下，本底真空为SXlO5Pa,工作气压为0. 1-0. 5Pa，瓣射功率 为200-400W，瓣射时间为200-280S，娃晶片溫度为90-110°C。[001引 （7)根据（4)-(6)任一项所述的方法异质结电池的制备方法，所述b)光刻步骤包 括，激光光绘绘制图形、冲片显影菲林片、压膜和曝光。 (8)根据（4)-(7)任一项所述的方法异质结电池的制备方法，在所述冲片显影菲 林片步骤中，定影、显影液W浓度20-30%的比例配置，冲片溫度为30-50°C，传送速度恒 定。 (9)根据（4)-(8)任一项所述的方法异质结电池的制备方法，所述压膜步骤如下， 压膜轮滚轴上表面溫度90-110°C，压膜轮滚轴下表面溫度90-100°C，传输速率0. 4-0. 6m/ min。 (10)根据（4)-(9)任一项所述的方法异质结电池的制备方法，所述曝光的能量强 度为 80-90mv/cm2。 (11)根据（4)-(10)任一项所述的方法异质结电池的制备方法，所述湿法包括显 影、水洗和稀硫酸清洗。 (12)根据（4)-(11)任一项所述的方法异质结电池的制备方法，在所述显影中， 碳酸钢浓度为0. 5-2%，溫度为20-40°C，时间为0. 5-4min;所述水洗步骤为水洗2次，每 次水洗时间为l-2min，溫度为室溫-45°C;所述稀硫酸清洗步骤在室溫中进行，硫酸浓度为 1〇%，清洗时间为〇.2-1111111。[002。 （13)根据（4)-(12)任一项所述的方法异质结电池的制备方法，所述电锻步骤中 电锻溶液的配方为，水硫酸铜67. 5-90g/l，硫酸100-130ml/l，氯离子50-80卵m，陶氏添加 剂 451#2-4ml/l，陶氏 452#10-30ml/l。[002引 （14)根据（4)-(13)任一项所述的方法异质结电池的制备方法，所述电锻的工艺 条件为，18-35°C，1-6A/血2,12-40min。[002引 （15)根据（4)-(14)任一项所述的方法异质结电池的制备方法，在电锻步骤之后 还依次包括如下步骤：水洗、去膜、水洗、去除种子铜、水洗、稀硫酸清洗、化学锻锡、水洗和 干燥。 (16)根据（4)-(15)任一项所述的方法异质结电池的制备方法，在电锻之后水洗、 去膜之前的水洗步骤为洗3次，每次l-2min，溫度范围为室溫-45°C。[002引 （17)根据（4)-(16)任一项所述的方法异质结电池的制备方法，所述去膜步骤使 用1-3 %氨氧化钢，溫度为20-55°C，时间为I-Smin。[002引 （18)根据（4)-(17)任一项所述的方法异质结电池的制备方法，在去膜之后、去除 种子铜之前的水洗步骤为洗2次，每次l-2min，溫度范围为室溫-45°C。 (19)根据（4)-(18)任一项所述的方法异质结电池的制备方法，所述去除种子铜 的配方为SPS:100 ~120g/l，&8〇4:1%~3% ;工艺条件为：室溫-40°C，0. 5-5min。[002引 （20)根据（4)-(19)任一项所述的方法异质结电池的制备方法，在去除种子铜之 后、稀硫酸清洗之前的水洗步骤为洗2次，每次l-2min，溫度范围为室溫-45°C。 (21)根据（1)-(20)任一项所述的方法异质结电池的制备方法，所述稀硫酸清洗 使用5%-10%硫酸，在室溫下清洗1-3111^。 (22)根据（1)-(21)任一项所述的方法异质结电池的制备方法，所述化学锻锡的 配方为乐思SNIOOA90%v/v,乐思SNIOOB10%v/v，工艺条件为 63-72°C，l-5min。 (23)根据（1)-(22)任一项所述的方法异质结电池的制备方法，在化学锻锡之后、 干燥之前的水洗步骤为洗3次，每次l-2min，溫度范围为40-45°C。[003引（24)根据（1)-(23)任一项所述的方法异质结电池的制备方法，所述干燥在成氛 围中，干燥溫度为30-40°C，干燥时间为4-6min。 (25)根据（1)-(24)任一项所述的方法异质结电池的制备方法，电池正面主栅宽 度为l-2cm共S根，细栅宽度60-80um共73-75根，电池背面主栅宽度为l-2cm共S根，细 栅宽度60-80um共140-150根。 (26)根据（1)-(25)任一项所述的方法异质结电池的制备方法，沉淀载板边缘宽 度为2-4mm，正面全部瓣射，背面用载板支撑并作为边缘隔离；预留的干膜比娃片大，防止 从侧边上铜；PVD前将娃片四周用高溫胶带包裹起来，起到隔离的作用。[003引 （27)根据（1)-(26)任一项所述的方法异质结电池的制备方法，在ITO过程中，化 锡溫度为20-30°C，PH值为0. 9-1. 1，即减少酸度，W减轻酸的腐蚀。 针对边缘漏电问题，本专利技术提供W下解决方案： (I)PVD载板边缘宽度由原来的l-2mm变为2-4mm。正面全部瓣射，背面用载板支 撑并作为边缘隔离。ITO锻膜也是同样的过程，但ITO载板边缘无法限位，导致隔离区口0 据娃片边缘位置波动性大，铜有可能进入隔离本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种晶硅电池的电镀槽体，其特征在于，包括槽体、阴极和阳极，在槽体内所述阳极的底部高于阴极的底部，所述阳极底部设有塑料条。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郭桦，陈锐，李玮，阚东武，段光亮，蔡晓晨，徐妍，
申请(专利权)人：国电新能源技术研究院，国电光伏有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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