用含硅芳炔树脂制备的C/C‑SiC复合材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种以含硅芳炔树脂为前驱体制备的C/C‑SiC复合材料及其制备方法，含硅芳炔树脂是一种新型的有机无机杂化树脂，可溶可熔，固化树脂耐热性能突出，热分解残留率(800℃)高达90％以上。本发明专利技术以含硅芳炔树脂为前驱体，采用前驱体浸渍法(PIP)制备C/C‑SiC复合材料，具体工艺为：将纤维或织物浸渍含硅芳炔树脂前驱体溶液或熔体，制备含硅芳炔树脂复合材料，经高温炭化得到多孔C/C‑SiC复合材料；再用含硅芳炔树脂溶液或熔体再次浸渍多孔C/C‑SiC复合材料，再经干燥、固化、炭化工序，如此重复2～6次，制得性能优良的致密C/C‑SiC复合材料，本发明专利技术技术具有浸渍工艺简易、炭化工艺简单、致密化效率高、材料性能高的特点。发明专利技术的C/C‑SiC复合材料可望用于航天航空等高技术领域。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
本专利技术涉及树脂及C/C复合材料
，具体地说，是一种。【
技术介绍
】C/C复合材料是以碳纤维增强炭基体的复合材料，其比重轻，具备优异的耐热性能和抗烧蚀性能，可以承受高于3000°c的高温，用于短时间烧蚀的环境中，如航天工业使用的火箭发动机喷管、喉衬等。此外，C/C复合材料的耐摩擦耐磨损性能优异，其摩擦系数小、性能稳定，是各种耐摩擦和耐磨损部件的最佳候选材料。但是其抗氧化性能较差，制备成本高昂，这大大限制了 C/C复合材料的推广应用。自上世纪七十年代以来，从提高基体的抗氧化性着手，用抗氧化性能优异的SiC取代C/C复合材料中的一部分C基体，制备C/C-SiC复合材料，用于热防护、结构承载和防氧化一体化构件，至今在该领域已展开了较多研究工作。制备C/C-SiC复合材料的主要方法有化学气相渗透(CVI)、前驱体转化(PIP)以及反应熔体法(RMI)，其中，CVI法制备的C/C-SiC复合材料的性能最好，但是其周期长，对设备要求高，生产成本高；RMI法制备的C/C-SiC复合材料成本低，但制备过程中，容易造成纤维损伤，所得C/C-SiC复合材料的性能较差；而P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用含硅芳炔树脂制备的C/C‑SiC复合材料，其特征在于，利用含硅芳炔树脂和碳纤维制备C/C‑SiC复合材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄发荣，杜磊，鲁加荣，姜云，陈慧高，辛浩，
申请(专利权)人：华东理工大学，
类型：发明
国别省市：上海;31