共模噪声滤波器及其制造方法技术

一种共模噪声滤波器，其特征在于，具备：层叠体；以及在层叠体的内部形成，在第1方向上对置的第1线圈导体以及第2线圈导体，第1线圈导体具有与第2线圈导体对置的第1面，第2线圈导体具有与第1面对置的第2面，相较于在第1方向上对置的第1面的中心部与第2面的中心部之间的距离，在第1方向上对置的第1面的端部与第2面的端部之间的距离较长，第1面以及第2面的各自的截面的角部的形状是圆弧状，在第1以及第2线圈导体的截面中，第1方向上的高度h与正交于第1方向的第2方向上的宽度w之间的关系是h≥w。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在数字设备或AV设备、信息通信终端等各种电子设备中使用的共模 噪声滤波器及其制造方法。
技术介绍
如图9所示，现有的共模噪声滤波器具备：层叠体1 ;在层叠体1的内部形成并彼 此对置的2个线圈导体2、3 ;以及与线圈导体2、3分别连接的引出导体4、5。并且，2个线 圈导体2、3的截面形状是方形。 此外，作为与本专利技术有关的现有技术文献信息，例如已知专利文献1。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2012-89543号公报
技术实现思路
本专利技术的共模噪声滤波器具备：层叠体；以及在层叠体的内部形成，在第1方向上 对置的第1线圈导体以及第2线圈导体，第1线圈导体具有与第2线圈导体对置的第1面， 第2线圈导体具有与第1面对置的第2面，相较于在第1方向上对置的第1面的中心部与第 2面的中心部之间的距离，在第1方向上对置的第1面的端部与第2面的端部之间的距离较 长，第1面以及第2面的各自的截面的角部的形状是圆弧状，在第1以及第2线圈导体的截 面中，第1方向上的高度h与正交于第1方向的第2方向上的宽度w之间的关系是h多w。 另外，本专利技术的共模噪声滤波器的制造方法是制造具备层叠体的共模噪声滤波器 的制造方法，该层叠体具有含有玻璃的非磁性体部，该共模噪声滤波器的制造方法具备：第 1步骤，在非磁性体部的内部，形成彼此对置并且以银为主成分的第1以及第2线圈导体； 以及第2步骤，对层叠体进行烧制，在第2步骤中，对层叠体进行烧制的温度比玻璃的转变 点温度高，并且比银的软化点温度高。 根据本专利技术的，能够防止差分信号变差。【附图说明】 图1是本专利技术的实施方式1的共模噪声滤波器的剖视图。 图2是本专利技术的实施方式1的共模噪声滤波器的层叠体11的分解立体图。 图3是本专利技术的实施方式1的共模噪声滤波器的立体图。 图4是本专利技术的实施方式1的共模噪声滤波器的主要部分的放大剖视图。 图5是图9所示的现有的共模噪声滤波器的主要部分的放大剖视图。 图6是本专利技术的实施方式2的共模噪声滤波器的主要部分的放大剖视图。 图7是本专利技术的实施方式3的共模噪声滤波器的主要部分的放大剖视图。 图8是本专利技术的实施方式3的共模噪声滤波器的主要部分的放大剖视图。 图9是现有的共模噪声滤波器的剖视图。【具体实施方式】 在说明本专利技术的实施方式之前，对参照图9说明的现有的共模噪声滤波器的问题 进行说明。此外，图5中示出线圈导体2、3的放大剖视图。 如果将现有的共模噪声滤波器进行薄型化，则对置的线圈导体2、3之间的距离变 短。如果对置的线圈导体2、3之间的距离变短，则在线圈导体2、3之间产生的电容增加，特 性阻抗降低。由于特性阻抗的降低，从而无法得到与各通信标准相对应的规定的特性阻抗， 差分信号有可能变差。 下面，对于能够解决上述问题，防止差分信号变差的共模噪声滤波器以及该共模 噪声滤波器的制造方法进行说明。 此外，在各实施方式中，对相同的结构标注相同标号，省略详细的说明。 (实施方式1) 参照图1至图4说明实施方式1。 图1是共模噪声滤波器的剖视图，图2是共模噪声滤波器的层叠体11的分解立体 图，图3是共模噪声滤波器的立体图，图4是共模噪声滤波器的主要部分的放大剖视图。 如图1所示，本实施方式1的共模噪声滤波器具有：层叠体11 ;以及在层叠体11 内部形成并在上下方向（第1方向）上彼此对置的第1、第2线圈导体12、13。并且，如图 4所示，第1、第2线圈导体12、13的截面的宽度w与高度h的关系是h > w。第1、第2线 圈导体12、13彼此对置的面12a、13a的截面的角部12b、13b变为圆弧状。此外，在本实施 方式中，第1、第2线圈导体12、13对置的面12a、13a的相反侧的面12c、13c的截面的角部 的形状也变为圆弧状。即，第1线圈导体12以及第2线圈导体13的截面形状是，所有角部 变为圆弧状。但是，面12c、13c的截面的角部不必一定是圆弧状，面12c、13c的截面的角部 也可以如图5所示为方形。以下说明的实施方式2、3也是同样的。 接下来，参照图2、图3对层叠体11的结构进行说明。 如图2所示，层叠体11具有：第1~第7绝缘体层Ila~llg、在第3绝缘体层Ilc 上形成的第1线圈导体12、在第4绝缘体层Ild上形成的第2线圈导体13、在第2绝缘体 层Ilb上形成并与第1线圈导体12连接的第1引出导体14、以及在第5绝缘体层lie上形 成并与第2线圈导体13连接的第2引出导体15。 如图3所示，在层叠体11的两端部，形成有外部电极16a~16d。 第1线圈导体12与外部电极16a连接，第2线圈导体13与外部电极16c连接，第 1引出导体14与外部电极16b连接，第2引出导体15与外部电极16d连接。 第1线圈导体12与第1引出导体14经由第1通孔电极17a连接，利用第1线圈 导体12与第1引出导体14,构成一个线圈。另外，第2线圈导体13与第2引出导体15经 由第2通孔电极17b连接，利用第2线圈导体13与第2引出导体15,构成另一个线圈。 此外，在图2中，第1引出导体14、第2引出导体15的形状为将直线连接结合而得 到的形状，但也可以是旋涡状等其他形状。 另外，在图2中，第1引出导体14、第2引出导体15分别在不同的绝缘体层11b、 lie上形成，但第1引出导体14和第2引出导体15的位置并不限定于图1。例如，也可以 将第1引出导体14和第2引出导体15在同一绝缘体层上形成。另外，也可以将第1引出 导体14与第2引出导体15的位置对调。也可以将第1线圈导体12和第1引出导体14配 置在第2线圈导体13与第2引出导体15之间。 第1~第7绝缘体层Ila~Ilg的形状为片状，从下方起向第1方向依次进行层 叠。第2~第6绝缘体层Ilb~Ilf由玻璃陶瓷等含有玻璃的非磁性材料构成。另外，第 1、第7绝缘体层IlaUlg由Cu-Ni-Zn铁氧体等磁性材料构成。第1、第2线圈导体12、13 设置在由第2~第6绝缘体层Ilb~Ilf构成的非磁性体部18的内部。 此外，第1~第7绝缘体层Ila~Ilg的片数不限于图1所示的片数。另外，第1、 第2引出导体14、15也可以与由磁性材料构成的绝缘体层（lla、llg等）接触。 通过分别将由银构成的导电材料在绝缘体层IlcUld的表面以旋涡状进行镀敷 或印刷，从而形成有第1、第2线圈导体12、13。并且，第1、第2线圈导体12、13隔着第4绝 缘体层Ild在第1方向上对置。即，第1、第2线圈导体12、13除了两端部以外，配置为在俯 视时重叠。第1、第2线圈导体12、13将卷绕方向设为同一方向，相互进行磁耦合。 此外，第1、第2线圈导体12、13的形状也可以不设为旋涡状，而是设为螺旋状等其 他形状。另外，第1、第2线圈导体12、13也可以不使用银，而是使用银钯合金等当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种共模噪声滤波器，具备：层叠体；以及形成在所述层叠体的内部，在第1方向上对置的第1线圈导体以及第2线圈导体，所述第1线圈导体具有与所述第2线圈导体对置的第1面，所述第2线圈导体具有与所述第1面对置的第2面，相较于在所述第1方向上对置的所述第1面的中心部与所述第2面的中心部之间的距离，在所述第1方向上对置的所述第1面的端部与所述第2面的端部之间的距离较长，所述第1面以及所述第2面的各自的截面的角部的形状是圆弧状，在所述第1线圈导体以及第2线圈导体的截面中，所述第1方向上的高度h与正交于所述第1方向的第2方向上的宽度w之间的关系是h≥w。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：川岛讬司，大森吉晴，田中秀树，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP