【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室，反应室的下端部设置有抽气管道，其连接至设置在反应室外部的真空泵；所述反应室的轴线位置设置有片架，其连接至设置在反应室外部的片架旋转机构；所述反应室外侧设置有电磁线圈；其特征在于，所述反应室的上端面设置有反应端盖，其采用中空结构，所述送气管道延伸至反应端盖内部；所述反应端盖的下端面之中设置有多个导气管道，每一个导气管道均包括有第一管部，第二管部与第三管部，其中，第一管部连接至反应端盖内部，第三管部连接至反应室内部，第二管部设置于第一管部与第三管部之间；所述第一管部的直径在竖直方向上逐渐缩小，第三管部的直径在竖直方向上逐渐增大。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：牟恒，
申请(专利权)人：江苏德尔森传感器科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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